初步信息
ICS3726-02
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
VCXO
描述
该ICS3726-02是一种低成本，低抖动，
高性能的3.3伏VCXO设计来取代
昂贵的分立的VCXO模块。该ICS3726-02
提供了一个更宽的工作频率范围的和改进
电源噪声抑制。片上电压
晶体振荡器接受0至3.3 V输入
电压，以使输出时钟由± 200ppm的变化。
使用ICS的专利VCXO技术，设备
使用在一个廉价的外部可牵引的晶体
20至52 MHz频率范围，以产生一VCXO输出时钟
以相同的频率。
这部分是适用于机顶盒，多媒体时钟
合成器和ADSL / VDSL的应用程序。
片上VCXO的频率由一个调节
外部控制电压输入引脚VIN 。因为
VIN为高阻抗输入，它可以直接驱动
从PWM RC积分电路。频率输出
增加了与VIN电压输入。可使用范围的
VIN为0 VDD 。
特点
封装采用8引脚SOIC
20 MHz至52 MHz的工作频率范围
使用廉价的外部晶振
芯片专利VCXO与400ppm的拉范围
0 VCXO的调谐电压VDD
输出使能控制
3.3 V工作电压
在TTL电平12毫安输出驱动能力
适用于表面安装的晶体的CL = 10 pF的
先进的低功率，亚微米CMOS工艺
可在Pb（铅）免费包装
框图
VDD
VIN
X1
20至52 MHz的
可牵引水晶
X2
电压
控制
水晶
振荡器
20至52 MHz的
时钟（ REFOUT ）
可选调
水晶电容器
GND
OE
MDS 3726-02 B
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
●
1
525赛STRE等，圣乔本身， CA 9 5126
●
修订版120505
TE L（ 40 8 ） 2 97-12 01
●
W W瓦特I C ST 。 C 0米
初步信息
ICS3726-02
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
VCXO
引脚分配
X1
NC
六
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
X2
OE
VDD
REFOUT
我CS 3 7 2 6 - 2 0
8 - P I N （ 1 5 0英里升）S OI
引脚说明
针
数
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
XI
NC
VIN
GND
REFOUT
VDD
OE
X2
针
TYPE
输入
—
输入
动力
产量
动力
输入
输入
做Connet的这个引脚。
引脚说明
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
电压输入VCXO 。零到VDD信号，其控制
VCXO频率。
连接到地面。
VCXO， CMOS电平时钟输出的标称频率相匹配
晶体。
连接到+ 3.3V （ 0.01
f
去耦电容推荐） 。
输出使能， OE = 1启用输出， OE = 0禁用REFOUT ，
内部上拉。
水晶连接。连接到一个可牵引20到52 MHz的晶振。
MDS 3726-02 B
在TE碎电路系统
●
2
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120505
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
初步信息
ICS3726-02
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
VCXO
外部元件的选择
该ICS3726-02需要的最小数量
外部元件的正常工作。
去耦电容
0.01去耦电容
F
应连接
VDD和GND引脚6和4尽量靠近之间
ICS3726-02越好。为确保最佳的设备
性能，去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
外部晶体连接在尽量靠近
芯片如可能，应是对在同一侧
PCB作为ICS3726-02 。应该没有通过的
晶体引脚和X1和X2设备之间
销。不应该有信号线下方或
接近的晶体。请参阅应用笔记MAN05 。
水晶调节负载电容
该晶体的痕迹应该包括垫小的固定
电容器， 1 X 1和地之间，和另一
之间的X2和地面。这些电容器的馅
在PCB上是可选的。需要对这些电容器是
在系统原型评估确定的，并且是
由所使用的特定的晶体（制造影响
和频率）和PCB布局。所要求的典型
电容器的值是1至4 pF的。该芯片具有内部负荷
电容器和被设计用的工作表面贴装
晶体为10pF的负载电容。
用于确定这些值的方法
电容器可在应用笔记MAN05找到。
系列终端电阻
当时钟的输出和之间的PCB迹线
负荷超过1英寸，应使用一系列终止。
以系列终止50Ω迹（常用
走线阻抗） ，放置一个33Ω的电阻串联
时钟线，尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
20.
石英晶体
该ICS3726-02 VCXO功能包括的
外部晶体和集成的VCXO振荡器
电路。为了确保最佳的系统性能
（频率引入范围）和可靠性，一个液晶装置
用推荐的参数（如下所示）
必须使用，且布局指南中讨论
示出下面的部分必须被遵循。
石英晶体的振荡频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
连接到它。该ICS3726-02集成芯片
可变负载电容那拉（改变）
频率的晶体。使用指定的结晶
与ICS3726-02被设计成具有零
频率误差时的片+杂散的总
电容为10pF 。
推荐的晶体参数：
在25初始精度
°
C
温度稳定性
老化
负载电容
并联电容C0
C0 / C1比
等效串联电阻
± 20 ppm的
± 30 ppm的
± 20 ppm的
14 pF的
7 pF的最大
250最大
35
最大
MDS 3726-02 B
在TE碎电路系统
●
3
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120505
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
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ICS3726-02
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
VCXO
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS3726-02永久性损坏。这些评价，
这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
参考晶体参数
分钟。
0
+3.15
典型值。
–
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
请参阅第3页
MDS 3726-02 B
在TE碎电路系统
●
4
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120505
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
初步信息
ICS3726-02
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
VCXO
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
6
±50
0
3.3
mA
mA
V
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％ ，
环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
符号
F
O
条件
分钟。
20
典型值。
MAX 。单位
52
兆赫
PPM
水晶Pullability
F
P
VCXO增益
VIN = VDD / 2 + 1 V ，注1
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
周期抖动均方根
周期抖动P- P
集成RMS抖动
相位噪声相对于
支架
@ 10 Hz的
@ 100赫兹
@ 1 kHz的
@ 10千赫
@ 100千赫
@ 1兆赫
t
OR
t
OF
t
D
t
J
t
J
0.8 2.0 V ，C
L
= 15 pF的
2.0 0.8 V ，C
L
= 15 pF的
测得为1.4 V ，C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的@ 35.328兆赫
C
L
= 15 pF@35.328兆赫
集成12千赫至20兆赫
@ 35.328兆赫
@ 35.328 MHz载波
频率
-65
-90
-120
-140
-147
-147
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
40
50
6.7
46
1
150
1.5
1.5
60
PPM / V
ns
ns
%
ps
ps
ps
0V< VIN < 3.3V，注1
+ 200
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
MDS 3726-02 B
在TE碎电路系统
●
5
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
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●
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VCXO
描述
该ICS3726-02是一种低成本，低抖动，
高性能的3.3伏VCXO设计来取代
昂贵的分立的VCXO模块。该ICS3726-02
提供了一个更宽的工作频率范围的和改进
电源噪声抑制。片上电压
晶体振荡器接受0至3.3 V输入
电压，以使输出时钟由± 200ppm的变化。
使用ICS的专利VCXO技术，设备
使用在一个廉价的外部可牵引的晶体
20至52 MHz频率范围，以产生一VCXO输出时钟
以相同的频率。
这部分是适用于机顶盒，多媒体时钟
合成器和ADSL / VDSL的应用程序。
片上VCXO的频率由一个调节
外部控制电压输入引脚VIN 。因为
VIN为高阻抗输入，它可以直接驱动
从PWM RC积分电路。频率输出
增加了与VIN电压输入。可使用范围的
VIN为0 VDD 。
特点
封装采用8引脚SOIC
20 MHz至52 MHz的工作频率范围
使用廉价的外部晶振
芯片专利VCXO与400ppm的拉范围
0 VCXO的调谐电压VDD
输出使能控制
3.3 V工作电压
在TTL电平12毫安输出驱动能力
适用于表面安装的晶体的CL = 10 pF的
先进的低功率，亚微米CMOS工艺
可在Pb（铅）免费包装
框图
VDD
VIN
X1
20至52 MHz的
可牵引水晶
X2
电压
控制
水晶
振荡器
20至52 MHz的
时钟（ REFOUT ）
可选调
水晶电容器
GND
OE
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●
1
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VCXO
引脚分配
X1
NC
六
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
X2
OE
VDD
REFOUT
我CS 3 7 2 6 - 2 0
8 - P I N （ 1 5 0英里升）S OI
引脚说明
针
数
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
XI
NC
VIN
GND
REFOUT
VDD
OE
X2
针
TYPE
输入
—
输入
动力
产量
动力
输入
输入
做Connet的这个引脚。
引脚说明
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
电压输入VCXO 。零到VDD信号，其控制
VCXO频率。
连接到地面。
VCXO， CMOS电平时钟输出的标称频率相匹配
晶体。
连接到+ 3.3V （ 0.01
f
去耦电容推荐） 。
输出使能， OE = 1启用输出， OE = 0禁用REFOUT ，
内部上拉。
水晶连接。连接到一个可牵引20到52 MHz的晶振。
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室内运动场
P
ERFORMANCE
VCXO
外部元件的选择
该ICS3726-02需要的最小数量
外部元件的正常工作。
去耦电容
0.01去耦电容
F
应连接
VDD和GND引脚6和4尽量靠近之间
ICS3726-02越好。为确保最佳的设备
性能，去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
外部晶体连接在尽量靠近
芯片如可能，应是对在同一侧
PCB作为ICS3726-02 。应该没有通过的
晶体引脚和X1和X2设备之间
销。不应该有信号线下方或
接近的晶体。请参阅应用笔记MAN05 。
水晶调节负载电容
该晶体的痕迹应该包括垫小的固定
电容器， 1 X 1和地之间，和另一
之间的X2和地面。这些电容器的馅
在PCB上是可选的。需要对这些电容器是
在系统原型评估确定的，并且是
由所使用的特定的晶体（制造影响
和频率）和PCB布局。所要求的典型
电容器的值是1至4 pF的。该芯片具有内部负荷
电容器和被设计用的工作表面贴装
晶体为10pF的负载电容。
用于确定这些值的方法
电容器可在应用笔记MAN05找到。
系列终端电阻
当时钟的输出和之间的PCB迹线
负荷超过1英寸，应使用一系列终止。
以系列终止50Ω迹（常用
走线阻抗） ，放置一个33Ω的电阻串联
时钟线，尽量靠近时钟输出引脚
可能。时钟输出的额定阻抗是
20.
石英晶体
该ICS3726-02 VCXO功能包括的
外部晶体和集成的VCXO振荡器
电路。为了确保最佳的系统性能
（频率引入范围）和可靠性，一个液晶装置
用推荐的参数（如下所示）
必须使用，且布局指南中讨论
示出下面的部分必须被遵循。
石英晶体的振荡频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
连接到它。该ICS3726-02集成芯片
可变负载电容那拉（改变）
频率的晶体。使用指定的结晶
与ICS3726-02被设计成具有零
频率误差时的片+杂散的总
电容为10pF 。
推荐的晶体参数：
在25初始精度
°
C
温度稳定性
老化
负载电容
并联电容C0
C0 / C1比
等效串联电阻
± 20 ppm的
± 30 ppm的
± 20 ppm的
14 pF的
7 pF的最大
250最大
35
最大
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VCXO
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS3726-02永久性损坏。这些评价，
这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
参考晶体参数
分钟。
0
+3.15
典型值。
–
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
请参阅第3页
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VCXO
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
6
±50
0
3.3
mA
mA
V
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％ ，
环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
符号
F
O
条件
分钟。
20
典型值。
MAX 。单位
52
兆赫
PPM
水晶Pullability
F
P
VCXO增益
VIN = VDD / 2 + 1 V ，注1
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
周期抖动均方根
周期抖动P- P
集成RMS抖动
相位噪声相对于
支架
@ 10 Hz的
@ 100赫兹
@ 1 kHz的
@ 10千赫
@ 100千赫
@ 1兆赫
t
OR
t
OF
t
D
t
J
t
J
0.8 2.0 V ，C
L
= 15 pF的
2.0 0.8 V ，C
L
= 15 pF的
测得为1.4 V ，C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的@ 35.328兆赫
C
L
= 15 pF@35.328兆赫
集成12千赫至20兆赫
@ 35.328兆赫
@ 35.328 MHz载波
频率
-65
-90
-120
-140
-147
-147
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
40
50
6.7
46
1
150
1.5
1.5
60
PPM / V
ns
ns
%
ps
ps
ps
0V< VIN < 3.3V，注1
+ 200
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
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