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ICM7555 ， ICM7556

数据表

2006年8月24日

FN2867.9

通用定时器

该ICM7555和ICM7556是CMOS RC定时器提供

在标准显著改善性能

SE / NE六分之五百五十五和355定时器，而在同一时刻被

直接替代在大多数应用中的那些设备。

改进的参数包括低电源电流，宽

工作电源电压范围，低门槛，

触发和复位电流，无crowbarring的

输出转换期间的电源电流，频率更高

性能没有要求解耦控制

电压为稳定的操作。

具体地， ICM7555和ICM7556是稳定

能够产生精确的时间延迟控制器或

频率。的ICM7556是双ICM7555 ，与两

定时器独立经营彼此的，只有分享

V +和GND 。在单次模式下，每一个脉冲宽度

电路由一个外部电阻精确地控制和

电容。对于非稳态的操作，一个振荡器，所述自由

运行频率和占空比都准确

通过两个外部电阻器和一个电容器来控制。与

常规双极SE / NE 6分之555设备，所述控制

电压端子不必去耦电容器。

该电路被触发和复位下降（负）

波形和逆变器的输出可源出或吸入

电流大到足以驱动TTL负载，或提供最低限度的

偏移量来驱动CMOS负载。

特点

精确等价于大多数情况下SE / NE555 / 556或

TLC555/556

低电源电流

- ICM7555 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 60μA

- ICM7556 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 120μA

极低的输入电流。。。。。。。。。。。。。。。。。 20PA

高速运行。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1MHz的

保证电源电压范围。。。。。。。。。 2V至18V

温度稳定性。。。。。。。。。。。。 0.005 ％ / ℃， + 25°C

正常复位功能 - 供应无Crowbarring在

输出转换

可搭配更高的阻抗计时元素

比更长的RC时间常数定期六分之五百五十五

通过定时时间从微秒

可以工作在非稳态和单稳态模式

占空比可调

高输出源/漏驱动器能驱动TTL / CMOS

输出具有非常低的偏移量， HI和LO

无铅加退火有（符合RoHS ）

应用

精密计时

- 脉冲生成

连续计时

时间延迟产生

脉冲宽度调制

脉冲位置调制

缺少脉冲检测器

引脚配置

ICM7555 （ 8 LD PDIP ， SOIC ）

顶视图

ICM7556 （ 14 LD PDIP ， CERDIP ）

顶视图

放电1

GND 1

触发2

输出3

RESET 4

8 V

DD

7放电

6阈值

5控制

电压

阈值2

老

控制3

电压

RESET 4

输出5

触发6

7 GND

14 V

DD

13放电

12阈值

11

控制

电压

10 RESET

9 OUTPUT

8扳机

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ICM7555 ， ICM7556

订购信息

产品型号

ICM7555CBA

ICM7555CBA-T

ICM7555CBAZ （注）

ICM7555CBAZ -T （注）

ICM7555IBA

ICM7555IBAT

ICM7555IBAZ （注）

ICM7555IBAZ -T （注）

ICM7555IPA

ICM7555IPAZ （注）

ICM7556IPD

ICM7556IPDZ （注）

ICM7556MJD

最热

7555 CBA

7555 CBAZ

7555 IBA

7555 IBAZ

7555 IPA

7555 IPAZ

ICM7556IPD

ICM7556IPDZ

ICM7556MJD

TEMP 。 RANGE

(°C)

0至+70

-25至+85

-55到+125

包

8 Ld的SOIC

8 Ld的SOIC卷带

8 Ld的SOIC （无铅）

磁带和卷轴

8 Ld的SOIC

8 Ld的SOIC卷带

8 Ld的SOIC （无铅）

磁带和卷轴

8 Ld的PDIP

8 Ld的PDIP ** （无铅）

14 Ld的PDIP

14 Ld的PDIP ** （无铅）

14 Ld的CERDIP

PKG 。 DWG 。＃

M8.15

E8.3

E14.3

F14.3

**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接加工利用

应用程序。

注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板

终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品

MSL分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。

2

FN2867.9

2006年8月24日

ICM7555 ， ICM7556

绝对最大额定值

电源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 18V

输入电压

触发器，控制电压阈值，

复位（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V + + 0.3V至GND -0.3V

输出电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

（ ° C / W）

θ

JC

（ ° C / W）

14引脚CERDIP封装。。。。。。。。。。

80

24

14引脚PDIP封装* 。。。。。。。。。。。

115

不适用

8引脚PDIP封装* 。。。。。。。。。。。。

130

不适用

8引脚SOIC封装。。。。。。。。。。。。。

170

不适用

最高结温（密封包装）。。。。。。。 + 175℃

最高结温（塑料封装）。。。。。。。 + 150°C

最大存储温度范围。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。 + 300℃

（ SOIC - 只会提示）

*

无铅PDIPs可用于通孔波峰焊

处理而已。它们不用于回流焊使用

处理应用。

工作条件

温度范围

ICM7555C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 ° C至+ 70°C

ICM7555I ， ICM7556I 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -25 ° C至+ 85°C

ICM7556M 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

1.由于可控硅结构中固有的用于制造这些器件的CMOS工艺，任何终端连接到电压大于

V + + 0.3V或小于V- -0.3V可能引起破坏性的闭锁。出于这个原因，建议没有来自外部源的不输入

从相同的电源进行工作，施加到器件它的电源被建立之前。在多电源系统，电源

在ICM7555和ICM7556必须先打开。

2.

θ

JA

测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介379的详细信息。

电气规格

适用于ICM7555和ICM7556 ，除非另有说明

T

A

= +25°C

（注4 ）

-55°C至

+125°C

民

典型值

最大

300

600

单位

μA

%

858

1161

150

200

250

0.5

2

1717

2323

150

200

250

0.5

62

28

67

32

71

36

10

62

67

71

61

27

0.5

72

37

50

72

0.5

μs

PPM /°C的

%/V

%

μs

PPM /°C的

%/V

% V

DD

% V

DD

nA

% V

DD

参数

静态电源电流

符号

I

DD

ICM7555

测试条件

V

DD

= 5V

V

DD

= 15V

ICM7556

V

DD

= 5V

V

DD

= 15V

民

典型值

40

60

80

120

2

最大

200

300

400

600

单稳态定时精度

R

A

= 10K ，C = 0.1μF ，V

DD

= 5V

温度漂移

（注3）

V

DD

= 5V

V

DD

= 10V

V

DD

= 15V

漂移与供应（注3 ）

非稳态定时精度

V

DD

= 5V至15V

R

A

= R

B

= 10K ，C = 0.1μF ，V

DD

= 5V

温度漂移

（注3）

V

DD

= 5V

V

DD

= 10V

V

DD

= 15V

漂移与供应（注3 ）

阈值电压

触发电压

触发电流

阈值电流

控制电压

V

TH

V

TRIG

I

TRIG

I

TH

V

CV

V

DD

= 5V至15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

3

FN2867.9

2006年8月24日

ICM7555 ， ICM7556

电气规格

适用于ICM7555和ICM7556 ，除非另有说明

（续）

T

A

= +25°C

参数

复位电压

复位电流

排漏

输出电压

符号

V

RST

I

RST

I

DIS

V

OL

测试条件

V

DD

= 2V至15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V ，我

SINK

= 20mA下

V

DD

= 5V ，我

SINK

= 3.2毫安

V

OH

V

DD

= 15V ，我

来源

- 0.8毫安

V

DD

= 5V ，我

来源

- 0.8毫安

放输出电压

V

DIS

V

DD

= 5V ，我

SINK

= 15毫安

V

DD

= 15V ，我

SINK

= 15毫安

电源电压（注3）

输出上升时间（注3 ）

输出下降时间（注3 ）

振荡器频率

（注3）

V

DD

t

R

t

F

f

最大

功能操作

R

L

= 10M ，C

L

= 10pF的，V

DD

= 5V

R

L

= 10M ，C

L

= 10pF的，V

DD

= 5V

V

DD

= 5V ，R

A

= 470Ω, R

B

= 270Ω,

C = 200pF的

2.0

75

1

18.0

3.0

14.3

4.0

0.4

0.2

14.6

4.3

0.2

0.4

民

0.4

典型值

最大

1.0

10

1.0

0.4

14.2

3.8

0.6

0.4

16.0

（注4 ）

-55°C至

+125°C

民

0.2

典型值

最大

1.2

50

1.25

0.5

单位

V

nA

V

ns

兆赫

注意事项：

3.这些参数是基于特性数据，未经测试。

4.只适用于军用温度范围内的产品（M后缀）。

工作原理图

V

DD

8

R

门槛

6

5

控制

电压

R

+

比较

A

+

4

倒装佛罗里达州运

RESET

产量

DRIVERS

-

7

n

产量

3

放电

TRIGGER

2

R

-

比较

B

1

GND

1

注意：

此功能框图降低了电路降低到它的最简单的等效组件。阕未使用的输入。

真值表

阈值电压

不在乎

＆ GT ;

2

/

3

(V+)

＆ LT ;

2

/

3

(V+)

不在乎

触发电压

不在乎

＆ GT ;

1

/

3

(V+)

＆ GT ;

1

/

3

(V+)

＆ LT ;

1

/

3

(V+)

RESET

低

高

产量

低

稳定

高

放电开关

On

稳定

关闭

注： RESET将主宰所有其他输入：触发将支配门槛。

4

FN2867.9

2006年8月24日

ICM7555 ， ICM7556

原理图

V

DD

P

R

P

门槛

N

控制

电压

N

R

产量

P

TRIGGER

P

NPN

R

N

GND

RESET

R = 100kΩ的

±20%

（典型值）

放电

应用信息

一般

的ICM7555和ICM7556设备是，在大多数情况下，

直接替代的NE / SE 6分之555设备。不过，

能够在外部部件实现经济

算上使用ICM7555和ICM7556 。由于双极

NE / SE六分之五百五十五设备产生的大电流撬棍

输出驱动器，它是必要的去耦的电源

线具有良好的电容器靠近器件。该ICM7555

和ICM7556设备不产生这样的瞬变。看

图1 。

500

T

A

= 25°C

电源电流（mA ）

400

该ICM7555和ICM7556农产品供给的电流尖峰

只有2毫安 - 为3mA ，而不是300毫安 - 400mA的电流供应

去耦通常是没有必要的。另外，在最

情况下，控制电压去耦电容

因为在CMOS的输入阻抗不要求

片上比较器是非常高的。因此，对于许多

应用中，两个电容器可以使用ICM7555保存

和三个电容与ICM7556 。

电源注意事项

虽然电源电流消耗的ICM7555以及

ICM7556设备是非常低的，总的系统的电源电流

能高，除非定时元件是高

阻抗。因此，使用高值的R值和最低值

对于C在图2A ，2B和3 。

V

DD

GND

1

2

3

4

RESET

8

7

6

5

V

DD

放电

门槛

控制

电压

可选

电容

10K

备用输出

300

SE/NE555

200

产量

TRIGGER

100

0

ICM7555/56

0

200

400

时间（纳秒）

600

800

V

DD

R

C

图2A 。稳态运行

图1.电源电流瞬变比较了

一个标准双极555的输出过程中

过渡

5

FN2867.9

2006年8月24日

ICM7555 ， ICM7556

数据表

2002年11月

FN2867.6

通用定时器

该ICM7555和ICM7556是CMOS RC定时器提供

在标准显著改善性能

SE / NE555 / 6和355定时器，而在同一时刻被

直接替代在大多数应用中的那些设备。

改进的参数包括低电源电流，宽

工作电源电压范围，低门槛，

触发和复位电流，无crowbarring的

输出转换期间的电源电流，频率更高

性能没有要求解耦控制

电压为稳定的操作。

具体地， ICM7555和ICM7556是稳定

能够产生精确的时间延迟控制器或

频率。的ICM7556是双ICM7555 ，与两

定时器独立经营彼此的，只有分享

V +和GND 。在单次模式下，每一个脉冲宽度

电路由一个外部电阻精确地控制和

电容。对于非稳态的操作，一个振荡器，所述自由

运行频率和占空比都准确

通过两个外部电阻器和一个电容器来控制。与

常规双极六分之五百五十五设备，所述控制电压

终端不必去耦电容器。电路

是触发和复位下降（负）的波形，并

逆变器的输出可源出或吸入电流足够大

驱动TTL负载，或提供最小的偏移来驱动CMOS

负载。

特点

精确等价于大多数情况下SE / NE555 / 556或

TLC555/556

低电源电流

- ICM7555 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 60μA

- ICM7556 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 120μA

极低的输入电流。。。。。。。。。。。。。。。。。 20PA

高速运行。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1MHz的

保证电源电压范围。。。。。。。。。 2V至18V

温度稳定性。。。。。。。。。。。。 0.005 ％ /

o

C上25

o

C

正常复位功能 - 供应无Crowbarring在

输出转换

可搭配更高的阻抗计时元素

比更长的RC时间常数定期六分之五百五十五

通过定时时间从微秒

可以工作在非稳态和单稳态模式

占空比可调

高输出源/漏驱动器能驱动TTL / CMOS

输出具有非常低的偏移量， HI和LO

订购信息

产品型号

温度。

RANGE （

o

C)

包

PKG 。号

ICM7555CBA （ 7555CBA ）

ICM7555IBA （ 7555IBA ）

ICM7555IPA

ICM7556IPD

ICM7556MJD

0到70

-25到85

8 Ld的SOIC

8 Ld的PDIP

14 Ld的PDIP

M8.15

E8.3

E14.3

F14.3

应用

精密计时

- 脉冲生成

连续计时

时间延迟产生

脉冲宽度调制

脉冲位置调制

缺少脉冲检测器

-55 125 14 Ld的CERDIP

引脚配置

ICM7555 （ PDIP ， SOIC ）

顶视图

ICM7556 （ PDIP ， CERDIP ）

顶视图

放电1

GND 1

触发2

输出3

RESET 4

8 V

DD

7放电

6阈值

5控制

电压

输出5

触发6

7 GND

阈值

2

老

控制

3

电压

RESET 4

14 V

DD

13放电

12阈值

11控制

电压

10 RESET

9 OUTPUT

8扳机

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ICM7555 ， ICM7556

绝对最大额定值

电源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 18V

输入电压

触发器，控制电压阈值，

复位（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V + + 0.3V至GND -0.3V

输出电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

θ

JC

(

o

C / W ）

14引脚CERDIP封装。。。。。。。。。

80

24

14引脚PDIP封装。。。。。。。。。。。。

115

不适用

8引脚PDIP封装。。。。。。。。。。。。。

130

不适用

8引脚SOIC封装。。。。。。。。。。。。。

170

不适用

最高结温（密封包装）。。。。。。。。 175

o

C

最高结温（塑料封装）。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围

ICM7555C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0

o

C至70

o

C

ICM7555I ， ICM7556I 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -25

o

C至85

o

C

ICM7556M 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至125

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

1.由于可控硅结构中固有的用于制造这些器件的CMOS工艺，任何终端连接到电压大于V +的

+ 0.3V或小于V- -0.3V可能引起破坏性的闭锁。出于这个原因，建议没有从外部源输入的运行不

从相同的电源被施加到器件上的电源被建立之前。在多电源系统，对供应

ICM7555 / 6 ，必须先打开。

2.

θ

JA

测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介379的详细信息。

电气规格

适用于ICM7555和ICM7556 ，除非另有说明

（注4 ）

T

A

= 25

o

C

-55

o

C至125

o

C

最大

200

300

400

600

-

71

36

10

71

1.0

民

-

858

-

1717

-

61

27

-

61

0.2

典型值

-

150

200

250

0.5

-

150

200

250

0.5

-

最大

300

600

-

1161

-

2323

-

72

37

50

72

1.2

单位

A

%

s

PPM /

o

C

PPM /

o

C

PPM /

o

C

%/V

%

s

PPM /

o

C

PPM /

o

C

PPM /

o

C

%/V

% V

DD

% V

DD

nA

% V

DD

V

参数

静态电源电流

符号

I

DD

ICM7555

测试条件

V

DD

= 5V

V

DD

= 15V

ICM7556

V

DD

= 5V

V

DD

= 15V

民

-

典型值

40

60

80

120

2

-

0.5

2

-

0.5

67

32

-

67

-

单稳态定时精度

R

A

= 10K ，C = 0.1μF ，V

DD

= 5V

温度漂移

（注3）

V

DD

= 5V

V

DD

= 10V

V

DD

= 15V

-

漂移与供应（注3 ）

非稳态定时精度

V

DD

= 5V至15V

R

A

= R

B

= 10K ，C = 0.1μF ，V

DD

= 5V

温度漂移

（注3）

V

DD

= 5V

V

DD

= 10V

V

DD

= 15V

-

62

28

-

62

0.4

漂移与供应（注3 ）

阈值电压

触发电压

触发电流

阈值电流

控制电压

复位电压

V

TH

V

TRIG

I

TRIG

I

TH

V

CV

V

RST

V

DD

= 5V至15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 2V至15V

2

ICM7555 ， ICM7556

电气规格

适用于ICM7555和ICM7556 ，除非另有说明

（注4 ）

T

A

= 25

o

C

参数

复位电流

排漏

输出电压

符号

I

RST

I

DIS

V

OL

测试条件

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V

V

DD

= 15V ，我

SINK

= 20mA下

V

DD

= 5V ，我

SINK

= 3.2毫安

V

OH

V

DD

= 15V ，我

来源

- 0.8毫安

V

DD

= 5V ，我

来源

- 0.8毫安

放输出电压

V

DIS

V

DD

= 5V ，我

SINK

= 15毫安

V

DD

= 15V ，我

SINK

= 15毫安

电源电压（注3）

输出上升时间（注3 ）

输出下降时间（注3 ）

振荡器频率

（注3）

V

DD

t

R

t

F

f

最大

功能操作

R

L

= 10M ，C

L

= 10pF的，V

DD

= 5V

R

L

= 10M ，C

L

= 10pF的，V

DD

= 5V

V

DD

= 5V ，R

A

= 470, R

B

= 270,

C = 200pF的

民

-

14.3

4.0

-

2.0

-

典型值

-

0.4

0.2

14.6

4.3

0.2

-

75

1

最大

10

1.0

0.4

-

0.4

-

18.0

-

-55

o

C至125

o

C

民

-

14.2

3.8

-

3.0

-

典型值

-

最大

50

1.25

0.5

-

0.6

0.4

16.0

-

单位

nA

V

ns

兆赫

注意事项：

3.这些参数是基于特性数据，未经测试。

4.只适用于军用温度范围内的产品（M后缀）。

工作原理图

V

DD

8

R

门槛

6

5

控制

电压

R

+

TRIGGER

2

R

1

比较

A

+

4

倒装佛罗里达州运

RESET

产量

DRIVERS

产量

-

7

n

3

放电

-

比较

B

1

GND

注意：

此功能框图降低了电路降低到它的最简单的等效组件。阕未使用的输入。

真值表

阈值电压

不在乎

＆ GT ;

2

/

3

(V+)

＆ LT ;

2

/

3

(V+)

不在乎

触发电压

不在乎

＆ GT ;

1

/

3

(V+)

＆ GT ;

1

/

3

(V+)

＆ LT ;

1

/

3

(V+)

RESET

低

高

产量

低

稳定

高

放电开关

On

稳定

关闭

注： RESET将主宰所有其他输入：触发将支配门槛。

3

ICM7555 ， ICM7556

原理图

V

DD

P

R

P

门槛

N

控制

电压

N

R

产量

P

TRIGGER

P

NPN

R

N

GND

RESET

R = 100kΩ的

±20%

（典型值）

放电

应用信息

一般

的ICM7555 / 6装置是，在大多数情况下，直接

替代的NE / SE 6分之555设备。然而，这是

能够在外部部件实现经济

算上使用ICM7555 / 6 。由于双极六分之五百五十五

设备产生的输出驱动大电流撬棍，

有必要去耦用电源线

良好的电容靠近器件。该六分之七千五百五十五设备

不产生这样的瞬变。参见图1 。

500

T

A

= 25

o

C

电源电流（mA ）

400

该ICM7555 / 6生产供应的只有电流尖峰

2毫安 - 为3mA ，而不是300毫安 - 400mA的电流供应

去耦通常是没有必要的。另外，在最

情况下，控制电压去耦电容

因为在CMOS的输入阻抗不要求

片上比较器是非常高的。因此，对于许多

应用2个电容可以使用ICM7555保存，

3电容器用ICM7556 。

电源注意事项

虽然电源电流消耗的ICM7555 / 6

设备是非常低的，总的系统的电源电流可

高，除非定时元件均为高阻抗。

因此，在使用高值的R值和最低值对于C

图2和图3 。

V

DD

300

SE/NE555

200

TRIGGER

2

100

0

RESET

ICM7555/56

0

200

400

时间（纳秒）

600

800

R

C

产量

V

DD

3

4

6

5

7

GND

1

8

V

DD

10K

替代方案

内特

产量

放电

门槛

控制

电压

可选

电容

图1.电源电流瞬变比较了

一个标准双极555的输出过程中

过渡

图2A 。稳态运行

4

ICM7555 ， ICM7556

V

DD

1

2

产量

V

DD

3

4

8

7

6

5

R

B

产量

RESET

C

可选

电容

V

DD

≤18V

TRIGGER

1

2

ICM7555

3

4

6

5

可选

电容

8

7

放电

门槛

控制

电压

C

R

A

t

产量

= -ln

(1/3)

R

A

C = 1.1R

A

C

V

DD

R

A

图2B 。 ALTERNATE非稳态配置

输出驱动能力

该输出驱动器包括一个CMOS反相器能够的

驾驶大多数逻辑系列，包括CMOS和TTL 。如

例如，如果驾驶CMOS ，输出摆幅在各供电

的电压将等于电源电压。在电源电压

4.5V以上的ICM7555 / 6将驱动至少2个标准

TTL负载。

非稳态操作

该电路可以被连接到触发本身和自由运行方式

一个多谐振荡器，参见图2A 。输出摆幅轨

轨，并且是真正的50％占空比的方波。（触发点

和输出摆幅是对称的）。大于1％以下

频率变化被观察到的，以上的+ 5V的电压范围内

为+ 15V 。

1

-

f

= -----------------

1.4 RC

图3.单稳态操作

控制电压

控制电压端允许两个行程

电压的阈值和触发内部

比较器来进行控制。这提供的可能性

振荡频率调制中的非稳态模式或甚至

抑制振荡的，这取决于所施加的电压。在

单稳态模式中，延迟时间可以通过改变

改变施加的电压，控制电压引脚。

RESET

复位端子被设计成具有基本

相同的触发电压为标准双极6分之555 ，即0.6V至

0.7V 。在所有电源电压它代表了一个非常高的

输入阻抗。复位的操作模式

功能，但是，远超过标准提高

双极六分之五百五十五在于它仅控制内部触发器，

这反过来又控制着同时的状态

输出放电针。这避免了多

门槛问题，有时缓慢下降的遭遇

在双极型器件的边缘。

定时器也可以被连接成如图2B所示。在这

电路中，频率是：

f

=

1.44

(

R A

+

2R B

)

C

占空比由R值控制

A

和R

B

由

公式：

D

=

(

R

+

R

) (

R

+

2R

)

A

B

A

B

单稳态操作

在这种操作模式中，定时器功能作为一杆，见

图3.最初的外部电容器（C）被放电保持

由计时器内部的晶体管。在施加负

触发脉冲到管脚2，内部触发器被设定，它

释放外部电容器两端的短路和

驱动器输出高电平。现在该电容器两端的电压

用时间常数t = R指数增加

A

C.当

电容器两端的电压等于

2

/

3

V +的比较

复位触发器，从而使电容放电RAP -

懒懒地也带动输出的低电平状态。 TRIGGER

必须返回到高状态之前的输出可以返回到

低状态。

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