IC66LV10016AL
文档标题
16M位（ 1M - WORD 16位）低功耗伪SRAM
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0A
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最初的草案
草案日期
二月05,2004
备注
初步
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产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
PSR002-0A 2004年2月5日
1
IC66LV10016AL
16M位（ 1M - WORD 16位）低功耗伪SRAM
特点
组织： 1M ×16
电源电压： 2.7 3.3V
三态输出与TTL兼容
描述
该IC66LV10016AL是一个家庭的低电压，低功耗
16位组织为1M字16Mbit的静态RAM ，
设计与伪SRAM技术，与制造
CMOS工艺技术。
该IC66LV10016AL是针对低功耗而设计
应用，如移动蜂窝电话，个人数字
助理和其他电池供电的产品。
操作模式通过的一个组合确定
设备控制输入
CE
,
ZZ ， LB
,
UB
,
WE
和
OE
。每
模式被概括在表的功能。
在执行写操作时的水平低
WE
与低级别的重叠
LB
和/或
UB
和低电平
CE
和高电平
ZZ.
地址（ A0 A19） ，必须设置
前的写周期，并且必须在整个周期内保持稳定。
读操作是通过设置执行
WE
在一个较高的水平，并
OE
在低水平，同时
LB
和/或
UB
和
CE
在活跃
状态，
ZZ
处于非活动状态。
当设置
LB
在高电平和其它控制是在一个
活跃阶段，上层字节被选择用于读取和写入
操作，以及低位字节没有被选中。当设置
UB
在一个较高的水平和其他引脚在活跃阶段，低级字节
被选择和上层字节不是。
当设置
LB
和
UB
在一个较高的水平或
CE
和
ZZ
在高
水平或
ZZ
在一个低的水平，该芯片是在一个非选择状态。在
该模式中，输出级处于高阻抗状态，
允许或领带与其他芯片。
当
OE
是在高电平时，输出级是在高
阻抗状态。
封装类型： 48 - FBGA - 6.00x8.00毫米
2
地址阿塞斯时间：为70ns
PART NAME表& KEY SPEC摘要
产品系列
深鲍威
工作工作电压调速
下
待机工作PKG型
温度（ VCC / VCCQ ）
(I
ZZ
马克斯） （我
SB
2 ，最大值） （ ICC2 ，最大值）
2.7-3.3V
70ns
25A
70A
20mA
48-TFBGA
IC66LV10016AL -70B扩展
(-25-85°C)
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它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
PSR002-0A 2004年2月5日
IC66LV10016AL
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
2
3 4
5
OE
UB
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
WE
A11
针
6
ZZ
I/O1
I/O3
VCC
VSS
I/O7
I/O8
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
低功耗模式
片选输入
写使能输入
输出使能输入
高字节（ I / O9 16 ）
低字节（ I / O1 8）
电源
供应地
无连接
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I/O9
A0~A19
I / O1 - I / O16
ZZ
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
VSS
NC
I / O10 I / O11
VSS
I/O12
VCC
I/O13
I / O15 I / O14
I/O16
A19
A8
A18
48-TFBGA
功能表
CE
H
X
(1)
L
L
L
L
L
L
L
L
ZZ
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
(1)
X
(1)
H
X
(1)
L
L
L
H
H
H
WE
X
(1)
X
(1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
(1)
X
(1)
X
(1)
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
(1)
X
(1)
X
(1)
H
H
L
L
H
L
L
I/O1-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I/O9-16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
深度掉电模式
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注意事项：
1， X表示鸵鸟政策自理。 （必须是低或HIGHT状态）
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集成电路解决方案公司
PSR002-0A 2004年2月5日
IC66LV10016AL
绝对最大额定值
符号
V
IN
,V
OUT
VCC
PD
T
英镑
豪饮者
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
评级
-0.2 VCC + 0.3
-0.2 3.6
1.0
-65到150
-25到85
单位
V
V
W
°C
°C
注意：
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能引起的device.Functional永久性损坏
操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC电气特性
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
参数
(1)
条件
民
2.7
Vcc-0.3
-0.3
(3)
-1
-1
最大
3.3
Vcc+0.3
(2)
0.3
1
1
0.3
单位
V
V
V
A
A
V
V
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
IN
= VSS到Vcc
输出漏电流V
OUT
= VSS到Vcc
输出禁用
输出低电压
输出高电压
I
OL
=0.5mA
I
OH
=-0.5mA
Vcc-0.3
注意事项：
1.拓博= -25至85℃ ，另有规定。
2.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 1.0V
≤
20ns
3.冲： -1.0V的情况下脉冲宽度的
≤
20ns
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
功耗特性
符号
I
CC
1
参数
Vcc操作
电源电流
VCC动态操作
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机电流
（ CMOS输入）
深度掉电模式
条件
周期时间= 1μs的时间， 100 ％占空比
I
OUT
=0mA,CE≤0.2V,ZZ=V
IH
,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥Vcc-0.2V
循环时间= tRCmin ， 100 ％的占空
I
OUT
=0mA,CE=V
IL
， ZZ = V
IH
,
V
IN
=V
IL
或V
IH
CE = V
IH
， ZZ = V
IH
,
其他输入= V
IL
或V
IH
CE≥Vcc-0.2V,ZZ≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥Vcc-0.2V
ZZ≤0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥Vcc-0.2V
民
—
最大
3
单位
mA
I
CC
2
—
20
mA
I
SB
1
I
SB
2
I
ZZ
—
—
—
0.3
70
25
mA
A
A
电容
符号
C
IN
C
IO
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
笔记
pF
pF
5
集成电路解决方案公司
PSR002-0A 2004年2月5日
QQ：2881677436 复制
