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IC63LV1024
文档标题
128K ×8海特高速SRAM与3.3V电源环
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版本号
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历史
最初的草案
加入B( 36针TF -BGA 6x8mm )
和H( 32引脚的TSOP - 1 8x13.4mm )
套餐类型
要纠正错字错误
过时"H"类型
草案日期
备注
九月12,2001
六月20,2002
十月16,2003
四月16,2004
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
AHSR025-0D
04/16/2004
1
IC63LV1024
128K ×8高速CMOS静态RAM
3.3V革命引脚
特点
高速存取时间:
8 ,10,12和15纳秒
高性能,低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
OE
选项
CE
掉电
全静态操作:无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
??可用的软件包:
- 32引脚300MIL SOJ
- 32引脚400mil SOJ
- 32引脚400mil TSOP- 2
- 36引脚TF- BGA封装( 6mmx8mm )
描述
ICSI
IC63LV1024是一个非常高速,低功耗, 131 ,
072个字的8位CMOS静态RAM革命的引脚。
该IC63LV1024使用制造
ICSI
的高perform-
ANCE CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术,产生高
高性能和低功耗的器件。
CE
为高(取消) ,器件处于
待机模式下,在该功耗可
降低到250 μW (典型值), CMOS输入电平。
该IS63LV1024采用3.3V单电源供电
和所有的输入是TTL兼容的。
该IS63LV1024可在32引脚300MIL SOJ , 400mil
SOJ , 400mil TSOP -2和36引脚TF- BGA封装( 6mmx8mm ) 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年,集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
AHSR025-0D
04/16/2004
IC63LV1024
引脚配置
32引脚SOJ
引脚配置
32引脚TSOP- 2
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
引脚配置
36引脚TF- BGA (俯视图)
( 6× 8毫米)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I / O
4
I / O
5
GND
VCC
I / O
6
I / O
7
A9
2
A1
A2
3
NC
WE
NC
4
A3
A4
A5
5
A6
A7
6
A8
I / O
0
I / O
1
VCC
GND
NC
OE
A10
CE
A11
NC
A16
A12
A15
A13
I / O
2
I / O
3
A14
集成电路解决方案公司
AHSR025-0D
04/16/2004
3
IC63LV1024
引脚说明
A0-A16
CE
OE
WE
I/O1-I/O8
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
真值表
模式
WE
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作,VCC电源电流
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
未选择
X
(掉电)
输出禁用
H
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-55到+125
-65到+150
1.0
单位
V
°C
°C
W
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
4
集成电路解决方案公司
AHSR025-0D
04/16/2004
IC63LV1024
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
,输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 %, - 5 % 。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
1
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
TTL待机
当前
( TTL输入)
CMOS待机
当前
( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时, F =最大值。
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大,
CE
V
CC
– 0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。
马克斯。
160
170
30
40
10
15
-10 NS
分钟。
马克斯。
150
160
30
40
10
15
-12 NS
分钟。
马克斯。
140
150
30
40
10
15
-15 NS
分钟。
MAX 。 UNIT
130
140
30
40
10
15
mA
mA
I
SB
2
mA
注意事项:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 3.3V 。
集成电路解决方案公司
AHSR025-0D
04/16/2004
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IC63LV1024-8B
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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