IC62VV51216L
IC62VV51216LL
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512K ×16位1.8V和超低功耗CMOS静态RAM
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草案日期
备注
最初的草案
2,2001年十一月初
1.删除55ns产品
2,2002九月
2.改变了我
CC
1 ： 15mA至20mA小于70ns的工业产品
10mA至12毫安为100ns的商业产品
10毫安至15mA为100ns的工业产品
3.更改了我
CC
2 ： 2mA至2.5毫安
4.更改了我
SB
2 ： 20μA至25μA的工业产品
5.更改为V
DR
闵： 1.0V至1.2V
6. Cgange因为我
DR
： 10μA至20μA的商用/ L的产品
6μA到13μA的商用/ LL产品
15μA至30μA工业/ L的产品
8μA到23μA工业/ LL产品
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
LPSR018-0B 2002年9月2日
1
IC62VV51216L
IC62VV51216LL
512K ×16的1.8V ULTRA
低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 70 ， 100纳秒
CMOS低功耗运行
- 为20mW （典型值）的操作
- 5 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单1.65V - 2.2V的Vcc电源
??全静态操作：无时钟或刷新重
quired
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
可在知道好裸片形式44针
TSOP - 2和48引脚8 * 10毫米TF -BGA
描述
该
ICSI
IC62VV51216L和IC62VV51216LL是低功耗的，
8.388,608位静态RAM， 16组织为524,288字
位。他们使用的是制造
ICSI
的高性能CMOS
技术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，产量高的性能和
低功耗设备。
当CE1为高电平或CE2为低（取消）或两者
LB
和
UB
高，器件处于待机模式，在这
的功耗可以通过使用CMOS输入可以减少
的水平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
输出使能输入， CE1 ， CE2和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节
（ LB ）的访问。
该IC62VV51216L和IC62VV51216LL封装在
JEDEC standare 44针TSOP -2和48引脚8 * 10毫米TF- BGA封装。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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集成电路解决方案公司
LPSR018-0B 2002年9月2日
IC62VV51216L
IC62VV51216LL
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP- 2
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
A8
A9
A10
A11
A12
A13
48引脚TF- BGA （ TOP教职员）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
2
OE
UB
3
A0
4
A1
A4
5
A2
6
CE2
I / O
8
I / O
9
A3
CE1
I / O
0
I / O
2
I / O
10
A5
A6
I / O
1
GND
I / O
11
A17
A7
I / O
3
VCC
VCC
I / O
12
NC
A16
I / O
4
GND
I / O
14
I / O
13
A14
A15
I / O
5
I / O
6
I / O
15
NC
A12
A13
WE
I / O
7
A18
A8
A9
A10
A11
NC
引脚说明
A0-A18
I/O0-I/O15
CE1
CE2
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片ENABLE1输入
芯片使能2输入，只有BGA
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
VCC
GND
低字节控制（L / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ L / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
WE
CE1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
2
CE2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I/O0/-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I / O引脚
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
X
X
X
输出禁用
H
读
H
H
H
写
L
L
L
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IC62VV51216L
IC62VV51216LL
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
1.65V- 2.2V
1.65V - 2.2V
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.4
-40至+85
-0.3到+2.4
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
(1)
V
IL
(2)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
分钟。
1.4
—
1.4
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.2
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
, O
UTPUTS
D
ISABLED
注意事项：
1. V
IH
（最大）= Vcc的+ 0.2V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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IC62VV51216L
IC62VV51216LL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
单位
0.4V至1.4V
5纳秒
0.9V
0.9V
参见图1和2
AC测试负载
1 TTL
产量
100 pF或者30 pF的（为55ns ）
INCLUDING
夹具
范围
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1 TTL
图1
图2
IC62VV51216L电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
2
VCC工作动态
电源电流
VCC工作动态
电源电流
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
= 1.8V
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
= 1.8V
I
OUT
= 0 mA时， F = 1兆赫
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
15
20
2.5
2.5
35
50
-100
min.max 。
—
—
—
—
—
—
12
15
2.5
2.5
35
50
单位
mA
mA
A
V
CC
=最大，其他输入= 0 V
CC
COM 。
1)
CE1
≥
V
CC
– 0.2V,
IND 。
（ CE1控制）或
2) 0V
≤
CE2
≤
0.2V （ CE2控制）或
3)
LB
/
UB
≥
V
CC
– 0.2 (
LB
/
UB
控制）
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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