IC62VV1008L
IC62VV1008LL
文档标题
1一M× 8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
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版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
九月4,2002
备注
初步
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
LPSR026-0A 2002年9月4日
1
IC62VV1008L
IC62VV1008LL
1M ×8 1.8V超低功耗
CMOS静态RAM
特点
访问的70 ， 100 ns的时间
CMOS低功耗运行：
I
CC
= 10毫安（典型值） *操作
I
SB2
=3
A
（典型值） *待机
低数据保持电压： 1.2V （分钟）
输出使能（ OE ）和两个芯片使
（ CE1 ， CE2 ）输入，便于应用
TTL兼容的输入和输出
全静态操作：
—
无时钟或刷新reguired
单1.65V - 2.2V电源
在测试模式下晶圆级烧伤
可在知道好裸片形式
48引脚8 * 10毫米TF -BGA
*典型值是在V测
CC
= 1.8V ，T
A
=25°C
初步
描述
该
ICSI
IC62VV1008L和IC62VV1008LL是一个低电压，
1,048,576字×8位， CMOS SRAM 。它是使用制造
ICSI
的低电压，六晶体管（ 6T ） ， CMOS技术。该
设备是有针对性地满足国家的最先进的要求
技术诸如蜂窝电话和寻呼机。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
与CMOS输入电平降低下来。此外，易
存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（
WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IC62VV1008L和IC62VV1008LL在可知道
良好的裸片和48引脚8 * 10毫米TF- BGA封装。
功能框图
A0-A19
解码器
1024K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
控制
电路
2
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IC62VV1008L
IC62VV1008LL
销刀豆网络gurations
48引脚8 * 10毫米TF -BGA （俯视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
I / O
0
GND
VCC
I / O
3
NC
A18
2
OE
NC
NC
I / O
1
I / O
2
NC
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
VCC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
NC
I / O
5
I / O
6
NC
WE
A11
6
CE2
NC
I / O
4
VCC
GND
I / O
7
NC
A19
引脚说明
A0-A19
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
NC
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
(P
OWER
-D
OWN
)
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
2
I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
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IC62VV1008L
IC62VV1008LL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
CC
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关的Vcc与GND
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5到+0.4的Vcc
-0.3到+2.4
-40至+85
-65到+150
1
单位
V
V
°C
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1)(2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25
o
C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.0 V
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(2)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -0.1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
- 0.1毫安
分钟。
1.4
—
1.4
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.2
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
注意事项：
1. V
IH （ MAX 。 ）
= V
CC
+ 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
1. V
白细胞介素（分钟）
=＆ 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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IC62VV1008L
IC62VV1008LL
IC62VV1008L电源特性
(1)
（以上经营范围）
-70
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
VCC工作动态
电源电流
VCC工作动态
电源电流
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
= 1.8V ， CE1 = V
IL
,CE2=V
IH
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
= 1.8V
CE1
= V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
OUT
= 0 mA时， F = 1
兆赫
V
CC
=最大值， F = 0
CE1
≥
V
CC
– 0.2V
或CE2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.2V, V
IN
≤
0.2V
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
—
—
—
—
—
—
-100
MAX 。 MIN 。
马克斯。
15
20
—
—
12
15
2.5
2.5
35
50
单位
mA
mA
2.5 —
2.5 —
35
50
—
—
I
SB
2
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
IC62VV1008LL电源特性
(1)
（以上经营范围）
-70
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
V
CC
工作动态
电源电流
V
CC
工作动态
电源电流
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
= 1.8V,
CE1
= V
IL
， CE2 = V
IH
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
= 1.8V
CE1
= V
IL
， CE2 = V
IH
f = 1
兆赫
V
CC
=最大值， F = 0
CE1
≥
V
CC
– 0.2V
或CE2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.2V, V
IN
≤
0.2V
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
—
—
—
—
—
—
MAX 。 MIN 。
15
20
—
—
-100
MAX 。 UNIT
12
15
2.5
2.5
15
25
mA
mA
2.5 —
2.5 —
15
25
—
—
I
SB
2
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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5
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