IC62LV5128L
IC62LV5128LL
文档标题
512Kx8位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
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版本号
0A
0B
历史
最初的草案
草案日期
1,2001五月
备注
初步
1.更改为吨
PWE
： 45 40纳秒55纳秒产品
八月31,2001
： 60 40纳秒70纳秒产品
2.更改为V
CC
： 2.2-3.6V到2.7-3.6V
3.1更改为我
CC
测试conditiomn ： V
CC
=最大。到3V
3.2改变了我
CC
： 30 25mA电流55 ns的产品
25至20mA为70纳秒首页=产品
20 15毫安100 ns的产品
4.1更改为V
DR
分钟。 ： 1.2 1.5V
4.2更改为我
DR
测试条件： V
CC
= 1.2 1.5V ，我
DR
5.更改为吨
HZCE
25 20纳秒55纳秒产品
6.更改为吨
HZWE
33 30纳秒70纳秒产品
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
LPSR012-0B 2001年8月31日
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IC62LV5128L
IC62LV5128LL
512K ×8低功耗和低V
CC
CMOS静态RAM
特点
?? 55 ， 70 ， 100 ns的访问时间
CMOS低功耗运行：
—
60毫瓦（典型值）的操作
—
3 μW （典型值）待机
??低数据保持电压： 1.5V （分钟）
输出使能（ OE ）和芯片使能
（CE）输入端，便于在应用程序
TTL兼容的输入和输出
全静态操作：
—
无时钟或刷新reguired
??单2.7V - 3.6V电源
提供32引脚8 * 20毫米TSOP- 1 ，
32针8 * 13.4毫米的TSOP -1和48针
6 * 8毫米TF -BGA
描述
该
ICSI
IC62LV5128L和IC62LV5128LL是一个低电压，
524,288字由8位CMOS SRAM 。它是使用制造
ICSI
的低电压，六晶体管（ 6T ） ， CMOS技术。该
设备是有针对性地满足国家的最先进的要求
技术诸如蜂窝电话和寻呼机。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。此外，易扩展内存是
通过使用芯片使能和输出使能输入提供，
CE
和
OE 。
该低电平有效写使能（
WE）
同时控制
写入和读取的存储器。
该IC62LV5128L和IC62LV5128LL在32引脚可用
8 * 20毫米的TSOP -1， 8 * 13.4毫米的TSOP -1和48引脚6 * 8毫米TF-
BGA 。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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IC62LV5128L
IC62LV5128LL
销刀豆网络gurations
32引脚8 * 20毫米TSOP - 1 ， 8 * 13.4毫米STSOP - 1
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
48引脚6 * 8毫米TF -BGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I / O
4
I / O
5
GND
VCC
I / O
6
I / O
7
A9
2
A1
A2
3
NC
WE
NC
4
A3
A4
A5
5
A6
A7
6
A8
I / O
0
I / O
1
VCC
GND
A18
OE
A10
CE
A11
A17
A16
A12
A15
A13
I / O
2
I / O
3
A14
引脚说明
A0-A18
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
NC
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V - 3.6V
2.7V - 3.6V
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IC62LV5128LL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
CC
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关的Vcc与GND
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-0.3到+4.0
-40至+85
-65到+150
1
单位
V
V
°C
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1)(2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25
o
C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.0 V
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(2)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
—
2.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
注意事项：
1. V
IH
（最大）
=V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟）
=＆ 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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IC62LV5128L
IC62LV5128LL
IC62LV5128L电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
= 3V,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE
≥
V
IH
V
CC
=最大值， F = 0
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
25
25
0.2
0.3
35
50
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
20
20
0.2
0.3
35
50
-100
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
15
15
0.2
0.3
35
50
单位
mA
mA
I
SB
2
A
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
IC62LV5128LL电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
= 3V,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE
≥
V
IH
V
CC
=最大值， F = 0
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
25
25
0.2
0.3
15
20
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
20
20
0.2
0.3
15
20
-100
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
15
15
0.3
0.3
15
20
单位
mA
mA
I
SB
2
A
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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