IC62LV2568L
IC62LV2568LL
IC62LV2568L
IC62LV2568LL
256K ×8低功耗和低V
++
CMOS静态RAM
.eatures
?? 55 ， 70 ， 100 ns的访问时间
??低有功功率： 126毫瓦（最大，L ， LL ）
低待机功率： 36 μW （最大值， L）和7.2
μW （最大值， LL ） CMOS待机
??低数据保持电压： 1.5V （分钟）
??可在低功率（ -L ）和超低
功率（ -LL ）
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
TTL兼容的输入和输出
??单2.7V - 3.6V电源
??可在32引脚8x20mm TSOP - 1 ， 32针
8x13.4mm TSOP - 1和48引脚6 * 8毫米T. -BGA
描述
该
1+51
IC62LV2568L和IC62LV2568LL低功耗
低V
CC
， 262,144位字的8位CMOS静态RAM 。
他们使用的是制造
1+51
的高性能CMOS
技术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，得到更高的性能和
低功耗设备。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IC62LV2568L和IC62LV2568LL在32引脚可用
8 * 20毫米的TSOP -1， 8 * 13.4毫米的TSOP -1和48引脚6 * 8毫米T.-
BGA 。
.UNCTIONAL框图
A0-A17
解码器
2048 x 128 x 8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
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1
IC62LV2568L
IC62LV2568LL
PIN CON.IGURATIONS
32引脚8 * 20毫米TSOP - 1 ， 8 * 13.4毫米STSOP - 1
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
48引脚6 * 8毫米T. -BGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I / O
4
I / O
5
GND
VCC
I / O
6
I / O
7
A9
2
A1
A2
3
CE2
WE
NC
4
A3
A4
A5
5
A6
A7
6
A8
I / O
0
I / O
1
VCC
GND
NC
OE
A10
CE1
A11
A17
A16
A12
A15
A13
I / O
2
I / O
3
A14
引脚说明
A0-A17
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
NC
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
无连接
动力
地
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V - 3.6V
2.7V - 3.6V
2
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IC62LV2568L
IC62LV2568LL
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
, I
SB
I
SB
, I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
CC
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关的Vcc与GND
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-0.3到+4.0
-40至+85
-65到+150
0.7
单位
V
V
°C
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
p.
p.
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.2
2.2
0.3
1
1
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
注意事项：
1. V
IL
=＆ 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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3
IC62LV2568L
IC62LV2568LL
IC62LV2568L电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
40
45
0.4
1.0
35
50
-70
分钟。马克斯。
30
35
0.4
1.0
35
50
-100
分钟。马克斯。
20
25
0.4
1.0
35
50
单位
mA
mA
V
CC
=最大，
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
IND 。
CE1
≥
V
IH
或CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大值， F = 0
COM 。
IND 。
CE1
≥
V
CC
0.2V,
CE2
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
0.2V, V
IN
≤
0.2V
I
SB
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
IC62LV2568LL电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
40
45
0.4
1.0
10
15
-70
分钟。马克斯。
30
35
0.4
1.0
10
15
-100
分钟。马克斯。
20
25
0.4
1.0
10
15
单位
mA
mA
V
CC
=最大，
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
IND 。
CE1
≥
V
IH
或CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大值， F = 0
COM 。
CE
≥
V
CC
0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
0.2V, V
IN
≤
0.2V
I
SB
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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IC62LV2568L
IC62LV2568LL
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
-55
分钟。马克斯。
55
10
5
10
10
0
55
55
55
30
20
20
分钟。
70
10
5
0
10
10
0
-70
马克斯。
70
70
70
35
25
25
-100
分钟。马克斯。
100
15
5
0
10
10
0
100
100
100
50
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(2)
CE1
以低Z输出
t
LZCE
2
(2)
CE2为低-Z输出
t
HZCE
(2)
CE1
或CE2为低-Z输出
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
0.4V至2.2V ，输出负载指定.igure 1 。
2.测试与.igure 2.过渡负载从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和。所有时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0.4V至2.2V
5纳秒
1.5V
见.igures 1,2
AC测试负载
1 TTL
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1 TTL
.igure 1
.igure 2
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