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IC62LV256
文档标题
32K ×8低功耗SRAM与3.3V
修订历史
版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
5,2001十月
备注
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
ALSR007-0A 2001年10月5日
1
IC62LV256
32K ×8低压静态RAM
特点
访问时间: 45 , 70 , 100纳秒
低有功功率: 70毫瓦
低待机功耗
- 60 μW CMOS待机
全静态操作:无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
描述
ICSI
IC62LV256是一款低功耗, 32 , 768字×8位
静态RAM 。它是使用制造
ICSI
的高性能
CMOS双金属技术。
CE
为高(取消) ,器件处于待机
模式,在其中的功耗减小到
20 μW (典型值), CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能( CE)输入和一个低电平有效输出使能( OE )
输入。该低电平有效写使能( WE)控制着写作
和读取内存。
该IC62LV256与其他32K ×8的SRAM引脚兼容
在300MIL DIP和SOJ , 330mil SOP,和8 * 13.4毫米的TSOP -1
包。
功能框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年,集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
ALSR007-0A 2001年10月5日
IC62LV256
引脚配置
28引脚DIP , SOJ和SOP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚配置
8x13.4mm TSOP - 1
引脚说明
A0-A14
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
真值表
模式
未选择
(掉电)
输出禁用
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到+4.6
-55到+125
-65到+150
0.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
集成电路解决方案公司
ALSR007-0A 2001年10月5日
3
IC62LV256
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
5%
3.3V
±
5%
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
,输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时, F = 0
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大,
CE
V
CC
– 0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-45 NS
分钟。马克斯。
20
30
35
45
2
5
90
200
-70 NS
分钟。马克斯。
20
30
30
40
2
5
90
200
NS -100
分钟。马克斯。
20
30
30
40
2
5
90
200
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
A
注意事项:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
5
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 3.3V 。
4
集成电路解决方案公司
ALSR007-0A 2001年10月5日
IC62LV256
读周期开关特性
(1)
(以上经营范围)
-45 NS
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
分钟。
45
2
0
0
3
0
0
马克斯。
45
45
25
20
20
30
-70 NS
分钟。
70
2
0
0
3
0
0
马克斯。
70
70
35
25
25
50
NS -100
分钟。
100
2
0
0
3
0
0
马克斯。
100
100
50
25
25
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V
和指定的图1a的输出负载。
2.测试,与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100%测试。
3.未经100%测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
AC测试负载
1213
3.3V
1213
3.3V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
图1A 。
图1B 。
集成电路解决方案公司
ALSR007-0A 2001年10月5日
5
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