1+$ + #$
.eatures
32K ×8低功耗CMOS静态RAM
访问时间： 45 ， 70纳秒
低有功功率： 200毫瓦（典型值）
低待机功耗
- 250 μW （典型值） CMOS待机
- 28毫瓦（典型值） TTL待机
?? .ully静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V电源
描述
该
1+51
IC62C256是一款低功耗， 32,768字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
1+51
的高
高性能，低功耗CMOS技术。
当
CS
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗可被降低至
250 μW （典型值） ，在CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
片选（ CS）输入和一个低电平有效输出使能（ OE ）
输入。该低电平有效写使能（ WE）控制着写作
和读取内存。
该IC62C256与其他32K ×8的SRAM的管脚兼容
330mil SOP或8 * 13.4毫米TSOP- 1封装。
.UNCTIONAL框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CS
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
ALSR010-0A 2001年5月23日
1
1+$ + #$
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
DC电气特性
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
0.3
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
2
10
2
10
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
10
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
,
输出禁用
注意：
1. V
IH
=V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
CC
I
SB
参数
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CS
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
CC
=最大，
CS
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CS
≥
V
CC
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
-45 NS
分钟。马克斯。
60
70
70
80
5
10
0.5
1.0
-70 NS
分钟。马克斯。
60
70
65
75
5
10
0.5
1.0
单位
mA
mA
mA
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
I
SB
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
p.
p.
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
集成电路解决方案公司
ALSR010-0A 2001年5月23日
3
1+$ + #$
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CS
存取时间
OE
存取时间
-45 NS
分钟。马克斯。
45
2
0
0
3
0
0
45
45
25
20
20
30
-70 NS
分钟。
马克斯。
70
2
0
0
3
0
0
70
70
35
25
25
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
OE
以低Z输出
t
HZOE
OE
到输出高阻态
t
LZCS
CS
以低Z输出
t
HZCS
CS
到输出高阻态
t
PU
!
t
PD
!
CS
到上电
CS
掉电
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在.igure 1输出负载。
2.测试与.igure 2.过渡负载从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和。所有时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
见.igures 1,2
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
.igure 1 。
.igure 2 。
4
集成电路解决方案公司
ALSR010-0A 2001年5月23日
1+$ + #$
.eatures
32K ×8低功耗CMOS静态RAM
访问时间： 45 ， 70纳秒
低有功功率： 200毫瓦（典型值）
低待机功耗
- 250 μW （典型值） CMOS待机
- 28毫瓦（典型值） TTL待机
?? .ully静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V电源
描述
该
1+51
IC62C256是一款低功耗， 32,768字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
1+51
的高
高性能，低功耗CMOS技术。
当
CS
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗可被降低至
250 μW （典型值） ，在CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
片选（ CS）输入和一个低电平有效输出使能（ OE ）
输入。该低电平有效写使能（ WE）控制着写作
和读取内存。
该IC62C256与其他32K ×8的SRAM的管脚兼容
330mil SOP或8 * 13.4毫米TSOP- 1封装。
.UNCTIONAL框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CS
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
ALSR010-0A 2001年5月23日
1
1+$ + #$
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
DC电气特性
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
0.3
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
2
10
2
10
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
10
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
,
输出禁用
注意：
1. V
IH
=V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
CC
I
SB
参数
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CS
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
CC
=最大，
CS
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CS
≥
V
CC
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
-45 NS
分钟。马克斯。
60
70
70
80
5
10
0.5
1.0
-70 NS
分钟。马克斯。
60
70
65
75
5
10
0.5
1.0
单位
mA
mA
mA
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
I
SB
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
p.
p.
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
集成电路解决方案公司
ALSR010-0A 2001年5月23日
3
1+$ + #$
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CS
存取时间
OE
存取时间
-45 NS
分钟。马克斯。
45
2
0
0
3
0
0
45
45
25
20
20
30
-70 NS
分钟。
马克斯。
70
2
0
0
3
0
0
70
70
35
25
25
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
OE
以低Z输出
t
HZOE
OE
到输出高阻态
t
LZCS
CS
以低Z输出
t
HZCS
CS
到输出高阻态
t
PU
!
t
PD
!
CS
到上电
CS
掉电
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在.igure 1输出负载。
2.测试与.igure 2.过渡负载从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和。所有时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
见.igures 1,2
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
.igure 1 。
.igure 2 。
4
集成电路解决方案公司
ALSR010-0A 2001年5月23日
QQ：2881677436 复制
