IC62C1024L
IC62C1024L
.eatures
128K ×8低功耗CMOS静态RAM
高速存取时间： 35 ， 45 ， 55 ， 70纳秒
低有功功率： 450毫瓦（典型值）
低待机功率： 150 μW （典型值） CMOS
待机
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
?? .ully静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产生高
高性能和低功耗的器件。
描述
该
1+51
IC62C1024L是一款低功耗， 131,072字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
1+51
的高
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IC62C1024L可在32引脚600mil DIP ， SOP 450mil
8 * 20毫米TSOP- 1封装。
.UNCTIONAL框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
ALSR006-0A
1
IC62C1024L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-45至+85
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
p.
p.
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
0.3
2
10
2
10
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
10
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
-35 NS
分钟。马克斯。
100
110
10
15
500
750
-45 NS
分钟。马克斯。
90
100
10
15
500
750
-55 NS
分钟。马克斯。
80
90
10
15
500
750
-70 NS
分钟。马克斯。
70
80
10
15
500
750
单位
mA
mA
V
CC
=最大，
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE1
≥
V
IH
印第安纳州。
或CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大，
COM 。
CE1
≤
V
CC
0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V,
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
I
SB
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
集成电路解决方案公司
ALSR006-0A
3
IC62C1024L
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
分钟。
35
3
0
0
3
3
0
-35
马克斯。
35
35
35
10
10
10
-45
分钟。马克斯。
45
3
0
0
5
5
0
45
45
45
20
15
15
分钟。
55
3
0
0
7
7
0
-55
马克斯。
55
55
55
25
20
20
分钟。
70
3
0
0
10
10
0
-70
马克斯。
70
70
70
35
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
OE
以低Z输出
t
HZOE
OE
到输出高阻态
t
LZCE
CE1
以低Z输出
t
LZCE
CE2为低-Z输出
t
HZCE
CE1
或CE2到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在.igure 1A输出负载。
2.测试与.igure 1B的载荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和。所有时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
见.igures 1a和1b
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
.igure 1A 。
4
.igure 1B 。
集成电路解决方案公司
ALSR006-0A
IC62C1024L
IC62C1024L
.eatures
128K ×8低功耗CMOS静态RAM
高速存取时间： 35 ， 45 ， 55 ， 70纳秒
低有功功率： 450毫瓦（典型值）
低待机功率： 150 μW （典型值） CMOS
待机
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
?? .ully静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产生高
高性能和低功耗的器件。
描述
该
1+51
IC62C1024L是一款低功耗， 131,072字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
1+51
的高
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IC62C1024L可在32引脚600mil DIP ， SOP 450mil
8 * 20毫米TSOP- 1封装。
.UNCTIONAL框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
ALSR006-0A
1
IC62C1024L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-45至+85
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
p.
p.
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
0.3
2
10
2
10
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
10
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
-35 NS
分钟。马克斯。
100
110
10
15
500
750
-45 NS
分钟。马克斯。
90
100
10
15
500
750
-55 NS
分钟。马克斯。
80
90
10
15
500
750
-70 NS
分钟。马克斯。
70
80
10
15
500
750
单位
mA
mA
V
CC
=最大，
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE1
≥
V
IH
印第安纳州。
或CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大，
COM 。
CE1
≤
V
CC
0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V,
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
I
SB
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
集成电路解决方案公司
ALSR006-0A
3
IC62C1024L
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
分钟。
35
3
0
0
3
3
0
-35
马克斯。
35
35
35
10
10
10
-45
分钟。马克斯。
45
3
0
0
5
5
0
45
45
45
20
15
15
分钟。
55
3
0
0
7
7
0
-55
马克斯。
55
55
55
25
20
20
分钟。
70
3
0
0
10
10
0
-70
马克斯。
70
70
70
35
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
OE
以低Z输出
t
HZOE
OE
到输出高阻态
t
LZCE
CE1
以低Z输出
t
LZCE
CE2为低-Z输出
t
HZCE
CE1
或CE2到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在.igure 1A输出负载。
2.测试与.igure 1B的载荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和。所有时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
见.igures 1a和1b
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
.igure 1A 。
4
.igure 1B 。
集成电路解决方案公司
ALSR006-0A
