IC61LV12816
文档标题
128K ×16海特高速SRAM与3.3V
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1
草案日期
备注
九月12,2001
四月23,2004
历史
最初的草案
第6页修改错字
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产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
AHSR024-0B
04/23/2004
1
IC61LV12816
128K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间：8， 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
TTL和CMOS兼容的接口电平
3.3V单电源
±
10 ％的电力供应
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
描述
该
ICSI
IC61LV12816是一个高速， 2097152位静态
RAM （16位）组织为131,072字。据制作
运用
ICSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快8 ns的低功耗
消费。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供，
输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IC61LV12816打包在JEDEC标准的44引脚
400mil SOJ ， 44引脚400mil TSOP - 2 ，以及48引脚6 * 8毫米TF-
BGA 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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IC61LV12816
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
VCC
3.3V
±
10%
3.3V
±
10%
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
T
BIAS
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
在偏压温度：
COM 。
IND 。
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到4.0
-0.5 VCC + 0.5
-65到+150
-65到+85
-45至+90
2.0
+20
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–5
–1
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 ％， - 5 ％ 。
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IC61LV12816
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
1
2
3
4
写
I
CC
电源特性
(1)
（以上经营范围）
-8 NS
符号
I
CC
I
SB
1
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
220
230
30
40
10
15
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
200
210
30
40
10
15
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
180
190
30
40
10
15
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
165
175
30
40
10
15
单位
mA
mA
5
6
7
8
9
10
11
12
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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