1+$ +$" $
.eatures
64K ×16高速CMOS静态RAM
高速存取时间：10， 12，15，和20纳秒
CMOS低功耗运行
?? 1650毫瓦（最大值） @ -10ns周期
?? 55毫瓦（最大） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单5V ±10 ％电源
?? .ully静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
工业应用温度
提供44引脚SOJ封装
44引脚TSOP- 2
描述
该
1+51
IC61C6416是一个高速， 1048576位静态
RAM （16位）组织为65,536字。据制作
运用
1+51
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快10纳秒的低功耗
消费。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供，
输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IC61C6416打包在JEDEC标准的44引脚
400mil SOJ和44引脚400mil TSOP - 2 。
.UNCTIONAL框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
AHSR011-0A 2001年5月23日
1
1+$ +$" $
PIN CON.IGURATIONS
44引脚SOJ
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44引脚TSOP- 2
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
引脚说明
A0-A15
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
VCC
GND
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I / O0 -I / O7 I / O8 -I / O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
, I
SB
I
CC
, I
CC
I
CC
, I
CC
写
I
CC
, I
CC
2
集成电路解决方案公司
AHSR011-0A 2001年5月23日
1+$ +$" $
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意：
1.压力大于下ABSO-上市
LUTE最大额定值可能会导致人员
永久性损坏设备。这是一个应力
值仅为的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件
在业务部门的指示
本规范是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
速度
-10, -12
-15, -20
-12
-15, -20
V
CC
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 5%
5V ± 10%
!
＆ QUOT ;
分钟。
2.4
2.2
0.5
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高
电压
(1)
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
输入低电压
(2)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
#
$
%
＆放大器;
2
2
注意事项：
1. V
IH
=V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时， F =
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
分钟。马克斯。
300
50
10
-12
分钟。马克斯。
280
300
50
55
10
15
-15
分钟。马克斯。
260
290
50
55
10
15
-20
分钟。马克斯。
235
255
50
55
10
15
单位
mA
mA
'
3
I
SB
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
p.
p.
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
-10
分钟。马克斯。
10
3
0
0
3
0
0
10
10
5
5
5
5
5
-12
分钟。马克斯。
12
3
0
0
3
0
0
12
12
6
6
6
6
6
-15
分钟。马克斯。
15
3
0
0
0
3
0
0
15
15
7
6
6
7
6
-20
分钟。马克斯。
20
4
0
0
0
3
0
0
20
20
9
8
8
9
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
t
LZOE
t
HZCE
t
LZCE
t
BA
t
HZB
t
LZB
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在.igure 1输出负载。
2.测试与.igure 2.过渡负载从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和。所有时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
见.igures 1,2
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
.igure 1
4
.igure 2
集成电路解决方案公司
AHSR011-0A 2001年5月23日
QQ：2881677436 复制
