IC61C1024
IC61C1024L
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128K ×8的高速SRAM
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最初的草案
在第6页和第8页修改错字
草案日期
三月13,2001
十月18,2001
备注
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
AHSR008-0B 2001年10月18日
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IC61C1024
IC61C1024L
128K ×8 HIGH -SPEED
CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 12 ， 15 ， 20 ， 25纳秒
低有功功率： 600毫瓦（典型值）
低待机功率： 500 μW （典型值） CMOS
待机
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗版本： IC61C1024L
商业和工业温度范围
可用的
描述
该
ICSI
IC61C1024和IC61C1024L是非常高的速度，
低功耗， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。他们
使用的是制造
ICSI的
高性能CMOS
技术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，得到更高的性能和低
电力消耗装置。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IC61C1024和IC61C1024L在32引脚可用
300MIL SOJ ，和8 * 20毫米的TSOP -1，和8 * 13.4毫米的TSOP -1
包。
功能框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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AHSR008-0B 2001年10月18日
IC61C1024
IC61C1024L
引脚配置
32引脚SOJ
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚配置
32引脚8x20mm的TSOP -1和8x13.4mm的TSOP -1
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
A0-A16
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
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AHSR008-0B 2001年10月18日
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IC61C1024
IC61C1024L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-55到+125
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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IC61C1024
IC61C1024L
IC61C1024电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
≥
V
IH
中，f = 0或
CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE1
≥
V
CC
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
170
180
40
60
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
160
170
40
60
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
150
160
40
60
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
140
150
40
60
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
COM 。
IND 。
—
—
30
40
—
—
30
40
—
—
30
40
—
—
30
40
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
IC61C1024L电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
≥
V
IH
中，f = 0或
CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE1
≥
V
CC
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
160
170
40
60
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
150
160
40
60
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
140
150
40
60
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
COM 。
IND 。
—
—
500
750
—
—
500
750
—
—
500
750
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
集成电路解决方案公司
AHSR008-0B 2001年10月18日
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