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IC42S32202/L
文档标题
512K ×32位×4银行( 64兆位) SDRAM
修订历史
版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
八月17,2004
备注
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR042-0C 2004年8月17日
1
IC42S32202/L
512K字× 32位×4银行( 64兆位)
同步动态RAM
特点
·并发自动预充电
·时钟频率: 166/143/125 MHz的
完全同步操作
·内部流水线结构
·四个内部银行( 512K X 32位X 4bank )
·可编程模式
-CAS #延迟: 2或3的
-Burst长度: 1,2,4,8或整页
-Burst类型:交错式或线性爆裂
-Burst - 读单写
·突发停止功能
·单个字节由DQM0-3控制
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
单+ 3.3V ± 0.3V电源
·接口: LVTTL
·包装: 400× 875密耳, 86引脚TSOP- 2,0.50mm引脚
俯仰和11x13mm , 90球BGA ,球间距0.8毫米
无铅封装。
描述
ICSI
IC42S32202和IC42S32202L是一个高速
配置为四512K ×32的DRAM与CMOS
同步接口(所有信号被登记在
时钟信号CLK )的上升沿。
每一个512K ×32位的银行组织的2048行
由256列由32 bits.Read和写入访问开始
在编程序列中的所选择的位置。
访问开始用BankActive的注册
命令,然后接着读或写
命令
ICSI
IC42S32202和IC42S32202L提供
可编程的读或写的1,2,4,8突发长度,或
整页,带有一阵终止操作。自动
预充电功能可以被启用,以提供一个自定时
行预充电的脉冲串的端部被启动,它将
sequence.The刷新功能,自动或自
刷新易于使用。
通过具有可编程的模式寄存器,系统
可以选择最合适的模式,以最大限度地发挥其
性能。
这些器件非常适合需要的应用
高内存带宽。
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年,集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
DR042-0C 2004年8月17日
IC42S32202/L
功能框图
列解码器
行解码器
2048 X 256 X 32
权证L L一R R AY
(BANK #0)
SENSE
扩音器
CLK
时钟
卜FF器
控制
信号
摹简è R成为
CKE
SENSE
CS #
RAS #
CAS #
WE#
行解码器
扩音器
命令
解码器
模式
注册
2048 X 256 X 32
权证L L一R R AY
( BANK # 1 )
山口嗯
解码器
COLUMN
C 0加利德
A10/AP
列解码器
行解码器
A0
A9
BS0
BS1
地址
卜FF器
2048 X 256 X 32
电池阵列
(BANK 2 )
检测放大器
刷新
计数器
SENSE
DQ
卜FF器
DQ0
Q 31
解码器
扩音器
ROW
2048 X 256 X 32
电池阵列
( BANK # 3 )
COLUMN
解码器
DQM0~3
集成电路解决方案公司
DR042-0C 2004年8月17日
3
IC42S32202/L
引脚说明
IC42S32202和IC42S32202L表1.Pin详细
符号类型
描述
CLK
CKE
输入
输入
钟: CLK
由系统clock.All SDRAM的输入信号进行采样的正沿从动
CLK.CLK也递增内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能: CKE
激活( HIGH)和停用( LOW )的CLK signal.If CKE变低同步
chronously与时钟(设置和保持时间相同,其它输入) ,内部时钟被暂停
从下一个时钟周期和输出的状态和突发地址只要被冻结为所述CKE
仍然low.When所有银行都处于空闲状态,停用时钟控制入门到
关机和自刷新modes.CKE是同步的,除了设备进入电源后,
下来,自刷新模式,在CKE变成异步直到退出以相同的模式。
输入缓冲器,包括CLK ,被禁止在关机和自刷新模式,提供
低待机功耗。
银行选择: BS0
和BS1确定哪个银行BankActivate ,读,写,或BankPrecharge
命令被应用。
地址输入: A0 -A10
在BankActivate命令期间进行采样(行地址A0 - A10 )和
读/写命令(列地址A0- A7与A10定义自动预充电),选择一个
位置出了256K的在各个bank.During一个预充电命令可用, A10是
采样,以确定是否所有的银行将被预充电(A10 =高) 。
地址输入时也一个模式寄存器设置为操作码。
BS0 , BS1输入
A0- A10输入
CS #
输入
芯片选择: CS #使
(采样为低电平)和禁用(采样HIGH)命令decoder.All
当CS #采样HIGH.CS #为外部银行选择上的命令被屏蔽
多banks.It系统被认为是命令代码的一部分。
行地址选通:中
RAS #信号定义结合的操作命令与
CAS #和WE #信号,并锁定在CLK.When RAS #和CS #正边缘AS-i
牢固插入“LOW”和CAS #是断言“高”,无论是BankActivate命令或预充电
命令被选中的WE# signal.When在WE #被认定为“高”的BankActivate的COM
命令被选中,由BS指定的银行接通到活动状态。当在WE #是
置为“低”的预充电命令被选中,由BS指定的银行被切换到
在预充电操作之后的空闲状态。
列地址选通:中
CAS #信号定义结合的操作命令与
RAS#和WE#信号,并锁存于CLK的上升沿。当RAS #保持“高”,
CS #是断言“低”栏目的访问是通过断言CAS #启动“低”。然后,阅读或
写命令由WE#置“低”或“高”。
写使能:该
WE#信号的定义结合的操作命令与RAS #和
CAS#信号,并锁存于CLK.The WE#的输入的上升沿被用于选择
BankActivate或预充电命令和读或写命令。
数据输入/输出面膜: DQM0 - DQM3
字节是具体的非持久性的I / O缓冲区的控制。在I / O
缓冲器置于高阻抗状态时的DQM采样HIGH.Input数据时掩蔽DQM
在写cycle.Output数据被屏蔽采样为高电平(双时钟延迟)时, DQM是
在读cycle.DQM3口罩DQ31 - DQ24 , DQM2口罩DQ23 - DQ16 , DQM1高采样
口罩DQ15 - DQ8和DQM0口罩DQ7 - DQ0 。
RAS #
输入
CAS #
输入
WE#
输入
DQM0-3输入
DQ0-31输入/输出数据I / O:在
DQ0-31的输入和输出数据与的正边缘同步
CLK.The I / O是字节屏蔽期间读取和写入。
4
集成电路解决方案公司
DR042-0C 2004年8月17日
IC42S32202/L
引脚功能
NC
VDDQ
VSSQ
VDD
VSS
-
供应
供应
供应
供应
无连接:这些
引脚应悬空。
DQ电源:提供
隔离电源的DQ ,以提高抗噪声能力。
DQ地:提供
隔离地面的DQ ,以提高抗噪声能力。
电源: + 3.3V
± 0.3V
销刀豆网络gurations
86引脚TSOP 2
引脚配置(顶视图)
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDD
DQM 0
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BS0
BS1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM 2
VDD
NC
DQ16
VSSQ
DQ17
DQ18
VDDQ
DQ19
DQ20
VSSQ
DQ21
DQ22
VDDQ
DQ23
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSS
DQM1
NC
NC
CL
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
VSS
NC
DQ31
VDDQ
DQ30
DQ29
VSSQ
DQ28
DQ27
VDDQ
DQ26
DQ25
VSSQ
DQ24
VSS
90球FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ
26
DQ
28
V
SSQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SS
A4
A7
CLK
DQM1
V
DDQ
V
SSQ
V
SSQ
DQ11
DQ13
2
DQ
24
V
DDQ
DQ
27
DQ
29
DQ
31
DQM
3
A5
A8
CKE
NC
DQ
8
DQ
10
DQ
12
V
DDQ
DQ
15
3
VSS
V
SSQ
DQ
25
DQ
30
NC
A3
A6
4
5
6
7
V
DD
V
DDQ
DQ
22
DQ
17
NC
A2
A10
8
DQ
23
V
SSQ
DQ
20
DQ
18
DQ
16
DQM
2
A0
BA1
CS
WE
DQ
7
DQ
5
DQ
3
V
SSQ
DQ
0
9
DQ
21
DQ
19
V
DDQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
A1
NC
RAS
DQM
0
V
SSQ
V
DDQ
V
DDQ
DQ
4
DQ
2
( TOP VIEW )
NC
A9
NC
V
SS
DQ
9
DQ
14
V
SSQ
V
SS
NC
BA0
CAS
V
DD
DQ
6
DQ
1
V
DDQ
V
DD
集成电路解决方案公司
DR042-0C 2004年8月17日
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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