IC42S16400
文档标题
1米x 16Bit的×4银行（ 64兆位） SDRAM
修订历史
版本号
0A
0B
0C
历史
最初的草案
修改DC工作条件
1.添加-6ns速度等级
2.过时8Mx8配置
3.过时的低功耗版本
4.过时-8ns速度等级
加入60球（ 64M SDRAM ） VF- BGA封装
添加无铅封装
草案日期
备注
Demcember 20,2001
四月15,2002
Novembver 22,2002
0D
0E
九月05,2003
十二月02,2003
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR034-0E 2003年12月2日
1
IC42S16400
1M ×16位× 4银行（ 64兆位）
同步动态RAM
特点
单3.3V （ ± 0.3V ）电源
高速时钟周期的时间-6： 166MHz的，
-7 ： 133MHz<3-3-3>
完全同步操作参考时钟
上升沿
可以断言在随机接入列
每个周期
四银行内部通过A12 & A13 contorlled
（银行选择）
字节由LDQM和UDQM控制
IC42S16400
可编程的缠绕顺序（顺序/
交错）
可编程突发长度（1， 2 ，4，8和满
页）
可编程
CAS
延迟（图2和3 ）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
?? LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64ms的
突发终止突发停止和预充电
命令
封装400mil 54引脚TSOP - 2和60ball （ 64M ）
VF- BGA
Pb（铅） - 免费包可
描述
该IC42S16400是高速67,108,864位同步
异步的动态随机存取存储器，奥尔加
的发布为1,048,576 ×16× 4 （字X位x行）
分别。
同步DRAM的实现的高速数据
传输采用流水线架构和时钟
频率高达166MHz的为-6 。所有的输入和输出是
与clock.The的上升沿同步
同步DRAM与低压兼容
TTL （ LVTTL ）。这些产品被包装在54针
TSOP - 2和60ball （ 64M ） VF -BGA 。
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP- 2
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
DR034-0E 2003年12月2日
IC42S16400
60 - BALL VF- BGA （ 64M SDRAM ）
7
6
5
4
3
2
1
VDD
A1
A2
A10
BA0
CS
CAS
WE
NC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ3
DQ2
DQ1
VDD
A3
A0
BA1
NC
RAS
LDQM
VDD
NC
VSSQ
VDDQ
DQ4
VSSQ
V
DDQ
DQ0
A4
A5
A7
A9
NC
CLK
UDQM
NC
NC
VDDQ
VSSQ
DQ
11
VDDQ
VSSQ
DQ
15
VSS
A6
A8
A11
CKE
NC
NC
NC
DQ8
DQ9
DQ
10
DQ
12
DQ
13
DQ
14
VSS
R
P
N
M
L
K
J
H
G
F
E
D
C
B
A
引脚说明
A0 - A11
BA0,BA1
DQ0 - DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM ， UDQM
V
DD
/V
SS
V
DD
Q / V
SS
Q
NC
地址
银行地址
数据输入/输出
时钟
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
行地址： RA0 - RA11 ，列地址： CA0 - CA7
自动预充电标志： A10
选择银行时被激活
RAS
活动
选择银行进行读/写时
CAS
活动
复用的数据输入/输出引脚
系统时钟input.All其它输入被注册到SDRAM
在CLK的上升沿
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的意志
跻身断电的国家之一，暂停或自刷新
启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
RAS ， CAS
和
我们定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩输入数据的写入
模式
电源为内部电路和输入缓冲器
电源，输出缓冲器
无连接
集成电路解决方案公司
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3
IC42S16400
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
DDQ
参数
等级
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
V
I
V
O
I
O
P
D
T
选择
T
英镑
电源电压（相对于V
SS
)
-0.5到+4.6
电源电压为输出（相对于V
SSQ
)
-0.5到+4.6
输入电压
（相对于V
SS
)
-0.5到V
DD
+0.5
输出电压
（相对于V
SSQ
)
-1.0到V
DDQ
+0.5
短路输出电流
50
功耗（
T
A
= 25 °C)
1
工作温度
储存温度
0至+70
-65到+150
注意事项：
1.暴露器件的应力超过上述绝对最大额定值可能会导致永久性的
损害。该装置不意味着在所述的范围之外的条件下进行操作
本说明书中的操作部。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
DC推荐工作条件
(
在T
A
= 0至+ 70 ° C除非另有说明）
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压DQ
高电平输入电压（所有输入）
低电平输入电压（所有输入）
分钟。
3.0
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
3.3
—
—
马克斯。
3.6
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
V
电容特性
（在T
A
= 0 70℃ ，V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
IN
C
CLK
C
I
/
O
参数
输入电容，地址&控制引脚
I
NPUT电容， CLK引脚
分钟。
2.5
2.5
4.0
马克斯。
3.8
3.5
6.5
单位
pF
pF
pF
数据输入/输出电容
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5
IC42S16400
文档标题
1米x 16Bit的×4银行（ 64兆位） SDRAM
修订历史
版本号
0A
0B
0C
历史
最初的草案
修改DC工作条件
1.添加-6ns速度等级
2.过时8Mx8配置
3.过时的低功耗版本
4.过时-8ns速度等级
加入60球（ 64M SDRAM ） VF- BGA封装
添加无铅封装
草案日期
备注
Demcember 20,2001
四月15,2002
Novembver 22,2002
0D
0E
九月05,2003
十二月02,2003
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR034-0E 2003年12月2日
1
IC42S16400
1M ×16位× 4银行（ 64兆位）
同步动态RAM
特点
单3.3V （ ± 0.3V ）电源
高速时钟周期的时间-6： 166MHz的，
-7 ： 133MHz<3-3-3>
完全同步操作参考时钟
上升沿
可以断言在随机接入列
每个周期
四银行内部通过A12 & A13 contorlled
（银行选择）
字节由LDQM和UDQM控制
IC42S16400
可编程的缠绕顺序（顺序/
交错）
可编程突发长度（1， 2 ，4，8和满
页）
可编程
CAS
延迟（图2和3 ）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
?? LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64ms的
突发终止突发停止和预充电
命令
封装400mil 54引脚TSOP - 2和60ball （ 64M ）
VF- BGA
Pb（铅） - 免费包可
描述
该IC42S16400是高速67,108,864位同步
异步的动态随机存取存储器，奥尔加
的发布为1,048,576 ×16× 4 （字X位x行）
分别。
同步DRAM的实现的高速数据
传输采用流水线架构和时钟
频率高达166MHz的为-6 。所有的输入和输出是
与clock.The的上升沿同步
同步DRAM与低压兼容
TTL （ LVTTL ）。这些产品被包装在54针
TSOP - 2和60ball （ 64M ） VF -BGA 。
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP- 2
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
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A10
A0
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54
53
52
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49
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47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
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36
35
34
33
32
31
30
29
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VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
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IC42S16400
60 - BALL VF- BGA （ 64M SDRAM ）
7
6
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4
3
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VDD
A1
A2
A10
BA0
CS
CAS
WE
NC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ3
DQ2
DQ1
VDD
A3
A0
BA1
NC
RAS
LDQM
VDD
NC
VSSQ
VDDQ
DQ4
VSSQ
V
DDQ
DQ0
A4
A5
A7
A9
NC
CLK
UDQM
NC
NC
VDDQ
VSSQ
DQ
11
VDDQ
VSSQ
DQ
15
VSS
A6
A8
A11
CKE
NC
NC
NC
DQ8
DQ9
DQ
10
DQ
12
DQ
13
DQ
14
VSS
R
P
N
M
L
K
J
H
G
F
E
D
C
B
A
引脚说明
A0 - A11
BA0,BA1
DQ0 - DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM ， UDQM
V
DD
/V
SS
V
DD
Q / V
SS
Q
NC
地址
银行地址
数据输入/输出
时钟
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
行地址： RA0 - RA11 ，列地址： CA0 - CA7
自动预充电标志： A10
选择银行时被激活
RAS
活动
选择银行进行读/写时
CAS
活动
复用的数据输入/输出引脚
系统时钟input.All其它输入被注册到SDRAM
在CLK的上升沿
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的意志
跻身断电的国家之一，暂停或自刷新
启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
RAS ， CAS
和
我们定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩输入数据的写入
模式
电源为内部电路和输入缓冲器
电源，输出缓冲器
无连接
集成电路解决方案公司
DR034-0E 2003年12月2日
3
IC42S16400
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
DDQ
参数
等级
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
V
I
V
O
I
O
P
D
T
选择
T
英镑
电源电压（相对于V
SS
)
-0.5到+4.6
电源电压为输出（相对于V
SSQ
)
-0.5到+4.6
输入电压
（相对于V
SS
)
-0.5到V
DD
+0.5
输出电压
（相对于V
SSQ
)
-1.0到V
DDQ
+0.5
短路输出电流
50
功耗（
T
A
= 25 °C)
1
工作温度
储存温度
0至+70
-65到+150
注意事项：
1.暴露器件的应力超过上述绝对最大额定值可能会导致永久性的
损害。该装置不意味着在所述的范围之外的条件下进行操作
本说明书中的操作部。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
DC推荐工作条件
(
在T
A
= 0至+ 70 ° C除非另有说明）
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压DQ
高电平输入电压（所有输入）
低电平输入电压（所有输入）
分钟。
3.0
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
3.3
—
—
马克斯。
3.6
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
V
电容特性
（在T
A
= 0 70℃ ，V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
IN
C
CLK
C
I
/
O
参数
输入电容，地址&控制引脚
I
NPUT电容， CLK引脚
分钟。
2.5
2.5
4.0
马克斯。
3.8
3.5
6.5
单位
pF
pF
pF
数据输入/输出电容
集成电路解决方案公司
DR034-0E 2003年12月2日
5
QQ：2881677436 复制
