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IC41SV44052
IC41SV44054
文档标题
4Mx4位动态RAM具有快速页面模式
修订历史
版本号
0A
0B
历史
最初的草案
畅工作范围从V
CC
=1.9V~2.4V
到V
CC
=1.9V~2.7V, V
IH
-1.4V到V
IH
=1.6V
草案日期
六月14,2002
七月31,2002
备注
初步
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR035-0B 2002年7月31日
1
IC41SV44052
IC41SV44054
初步
4M ×4 ( 16兆位)动态RAM
与快速页面模式
特点
快速页模式访问周期
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔:
- 2048次/ 32毫秒
- 4096次/ 64毫秒
刷新模式:
RAS-只,
CAS先于RAS
(CBR) ,及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电:
1.9V
2.7V
描述
ICSI
44054分之44052系列是4194304 ×4位高
高性能CMOS动态随机存取存储器。该
快速页模式允许2048或4096之内的随机访问
与存取周期时间的单行短20ns的每4位
字。
这些特性使得44054分之44052系列非常适合于
数字信号处理,并且低功耗的便携式音频
应用程序。
该44054分之44052系列封装在一个26引脚的SOJ 300MIL
和一个26针TSOP- 2
关键时序参数
参数
RAS
访问时间(吨
RAC
)
CAS
访问时间(吨
CAC
)
列地址访问时间(t
AA
)
快速页模式周期时间(t
PC
)
读/写周期时间(T
RC
)
-70
-100
单位
70
20
35
45
100
25
50
60
ns
ns
ns
ns
ns
130 180
引脚配置
24 ( 26 )引脚SOJ , TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*A11(NC)
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
A0-A10
I/O0-3
WE
OE
RAS
CAS
VCC
GND
地址输入( 4K刷新)
地址输入( 2K刷新)
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
* A11是NC为2K刷新设备。
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年,集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
DR035-0B 2002年7月31日
IC41SV44052
IC41SV44054
功能框图
OE
WE
CAS
控制
逻辑
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
CAS
CAS
WE
OE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O3
存储阵列
4,194,304 x 4
地址
缓冲器
A0-A10
真值表
功能
待机
写:字(早期写)
读 - 写
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
注意:
1.早期只写。
(1)
RAS
H
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
CAS
H
L
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
高-Z
D
OUT
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
集成电路解决方案公司
DR035-0B 2002年7月31日
3
IC41SV44052
IC41SV44054
功能说明
该IC41SV44052和IC41LV44054是CMOS DRAM的
用于高速带宽,低功率应用进行优化。
在读或写周期,每个位是唯一
通过11或12个地址位解决的。这些都是
进入11位( A0 - A10)的时间为2K刷新设备
或12位( A0 - A11)的时间为4K刷新设备。该
行地址由行地址选通(RAS)的锁存。
列地址由列地址锁存
选通( CAS) 。
RAS
用于锁存所述第一9位和
CAS
使用后者的10比特。
刷新周期
保留数据, 2048刷新周期需要在每
32毫秒的周期,或者4096刷新周期需要在每
64ms的时间。有两种方法来刷新存储器:
1.计时每2048行地址( A0
通过A10 )或4096行地址( A0至A11 )
与RAS每32分别毫秒或64毫秒至少一次。
任何读,写,读 - 修改 - 写或RAS只循环
刷新寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ,
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
循环,一个内部11(12 )比特的计数器提供的行
地址和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式,没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此,输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低,这是
通过返回两个终止
RAS
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期,一旦启动,不能结束或中止
最低吨前
RAS
时间已经过期。一个新的周期
不能启动,直到最小的预充电时间t
RP
,
t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8完成初始化
化周期(含周期的任意组合
RAS
信号)。
上电过程中,则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ,
为准过去,一边拿着
WE
HIGH 。该同事
UMN地址必须持有由指定的最小时间
t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
t
OEA
都不满意。其结果是,在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
WE ,
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ,
以先到为准
最后。
4
集成电路解决方案公司
DR035-0B 2002年7月31日
IC41SV44052
IC41SV44054
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
储存温度
等级
0.5
为+3.0
0.5
为+3.0
50
0.2
-10至+70
55
+125
单位
V
V
mA
W
o
C
o
C
注意:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
(电压参考GND )。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
分钟。
1.9
1.6
0.3
-10
马克斯。
2.7
V
CC
+ 0.3
0.6
70
单位
V
V
V
o
C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容: A0 -A10
输入电容:
RAS , CAS,WE , OE
数据输入/输出电容: I / O0 -I / O3
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25
o
C,F = 1兆赫。
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DR035-0B 2002年7月31日
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