IC41C82002
IC41LV82002
2M ×8 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
.eatures
扩展数据输出（ EDO ）页面模式
访问周期
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔：
- 2048次/ 32毫秒
刷新模式：
4)5-Only,
+)5-before-4)5
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
5V ± 10％或3.3V ± 10％的
通过字节和写字节读取操作
+)5
描述
该
1+51
82002系列是2097152 ×8位高性能
CMOS动态随机存取存储器。江户时代页
模式允许在一行中2048随机访问
存取周期时间尽可能短，每8位字20纳秒。
这些特点使得82002系列非常适合于高
带宽的图形，数字信号处理，高性能
计算系统和外围设备的应用程序。
在82002系列封装在一个28引脚300MIL SOJ和28
脚TSOP - 2
产品系列概述
产品型号
IC41C82002
IC41LV82002
刷新
2K
2K
电压
5V ± 10%
3.3V ± 10%
关键时序参数
参数
RAS
访问时间（吨
RAC
)
CAS
访问时间（吨
CAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
EDO页面模式周期时间（t
PC
)
读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
PIN CON.IGURATION
28引脚SOJ ， TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A10
I/O0-7
WE
OE
RAS
CAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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DR017-0A 2001年6月22日
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IC41C82002
IC41LV82002
.UNCTIONAL描述
该IC41C82002和IC41LV82002是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率
应用程序。在读或写周期，每个位
通过11位地址唯一解决。这些
输入11位（ A0 - A10）的时间为2K刷新
装置。的行地址由行地址锁存
选通脉冲（RAS）的。列地址被锁存
列地址选通（ CAS） 。
RAS
用于锁存所述
第9位，
CAS
使用后者的10比特。
刷新周期
保留数据， 2048刷新周期需要在每
32毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每2048行地址（ A0
通过A10）与RAS至少每32毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或RAS只重周期
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期时，内部11位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准
最后。
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IC41C82002
IC41LV82002
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
1.0
0.3
0
典型值。
5.0
3.3
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
单位
V
V
V
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A10
输入电容：
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O7
马克斯。
5
7
7
单位
p.
p.
p.
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
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IC41C82002
IC41LV82002
电气特性
(1)
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
符号
I
IL
I
IO
V
OH
V
OL
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压电平
输出低电压电平
工作电流：
随机读/写
(2,3,4)
平均供电电流
工作电流：
EDO页模式
(2,3,4)
平均供电电流
刷新电流：
RAS-只
(2,3)
平均供电电流
刷新电流：
CBR
(2,3,5)
平均供电电流
测试条件
任何输入0V < V
IN
＆ LT ; VCC
其他投入不被测= 0V
输出禁用（高阻）
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= ?? 5.0毫安与V
CC
=5V
I
OH
= ?? 2.0毫安与V
CC
=3.3V
I
OL
= 4.2 mA，带V
CC
=5V
I
OL
= 2 mA，带V
CC
=3.3V
RAS ， CAS
＆ GT ; V
IH
RAS ， CAS
＆ GT ; V
CC
0.2V
RAS ， CAS ，
地址骑自行车，T
RC
= t
RC
（分）
RAS
= V
IL
,
CAS ，
t
RC
= t
RC
（分）
RAS
骑自行车，
CAS
＆ GT ; V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS ， CAS
循环
t
RC
= t
RC
（分）
5V
3.3V
5V
3.3V
-50
-60
-50
-60
-50
-60
-50
-60
速度
分钟。
5
5
2.4
马克斯。
5
5
0.4
2
0.5
1
0.5
120
110
90
80
120
110
120
110
单位
A
A
V
V
mA
mA
mA
I
CC
4
mA
I
CC
5
mA
I
CC
6
mA
注意事项：
1. 200微秒的初始暂停，需要跟八个电后
RAS
前正确的设备更新周期（ RAS - Only或CBR ）
操作是有保证的。八
RAS
周期唤醒应反复随时吨
RE 。
刷新的要求超出。
2.取决于循环率。
3.指定值与最小周期时间，输出开获得。
4，列地址被更改一次，每次EDO页面周期。
5.启用芯片刷新和地址计数器。
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