IC41C4100
IC41LV4100
文档标题
1Mx4位动态RAM与EDO页面模式
修订历史
版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
5,2001九月
备注
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR027-0A 2001年9月5日
1
IC41C4100
IC41LV4100
1M ×4 （ 4兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
扩展数据输出（ EDO ）页面模式存取周期
TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
刷新方式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，
隐
单电源供电：
5V ±10 ％ （ IC41C4100 ）
3.3V±10 ％ （ IC41LV4100 ）
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
描述
该
ICSI
IC41C4100和IC41LV4100是1,048,576 ×4位
高性能CMOS动态随机存取存储器。
该IC41C4100提供所谓的EDO加速周期访问
页面模式。 EDO页面模式让1024的随机访问
访问周期单列短按12纳秒以内
4位的字。
这些特性使得IC41C4100and IC41LV4100理想
适合于，数字信号处理，高性能的音频
系统和外围设备的应用程序。
该IC41C4100封装在一个20引脚SOJ 300MIL和300MIL
TSOP-2.
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-50
50
14
25
20
90
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置
20 （ 26 ）引脚SOJ ， TSOP- 2
I/O0
I/O1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
引脚说明
A0-A9
I/O0-3
WE
OE
RAS
CAS
VCC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
A0
A1
A2
A3
VCC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
2
集成电路解决方案公司
DR027-0A 2001年9月5日
IC41C4100
IC41LV4100
功能说明
该IC41C4100和IC41LV4100是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率应用
系统蒸发散。在读或写周期，每个位是唯一
通过20位地址寻址。这些输入
10位（ A0- A9）的时间。行地址被锁存在
行地址选通（RAS）的。列地址被锁存
由列地址选通（CAS）的
.
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0通过
A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何读，写，
读 - 修改 - 写或
RAS-只
周期刷新AD-
穿着一行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部10位计数器提供的AD-行
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有1024列
所选择的行以高数据速率进行随机访问。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。因此，
在EDO页模式，在读周期的时序裕量
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期
时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OE
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
先发生。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
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DR027-0A 2001年9月5日
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