IC41C16105S
IC41LV16105S
.eatures
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与.AST页模式
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
??刷新间隔： 1024次/ 16毫秒，
1024次/ 128ms的自刷新
刷新模式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，
隐藏和自刷新
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
5V ±10 ％ （ IC41C16105S ）
3.3V±10 ％ （ IC41LV16105S ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
描述
该
1+51
IC41C16105S和IC41LV16105S是1,048,576 X
16位高性能CMOS动态随机存取
回忆。 .ast页面模式让1024的随机访问
访问周期单列短至每20纳秒以内
16位的字。上下字节的字节写入控制，
使得IC41C16105S适合用于16-， 32位宽的数据
总线系统。
这些特性使得IC41C16105S和IC41LV16105S
理想地适用于高带宽图形，数字信号
处理，高性能计算系统，并
外设应用。
该IC41C16105S和IC41LV16105S被封装在一个
42引脚400mil SOJ和400mil 44-（ 50- ）引脚TSOP - 2 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 .ast页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
PIN CON.IGURATIONS
44 （50） -pin TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
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它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
DR011-0A 2001年5月23日
1
IC41C16105S
IC41LV16105S
.UNCTIONAL描述
该IC41C16105S和IC41LV16105S是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率
应用程序。在读或写周期，每个位
通过10位地址唯一解决。这些
输入10位（ A0- A9）的时间。行地址是
由行地址选通（RAS）的锁存。列
地址由列地址选通（CAS）的锁存。
RAS
用于锁存所述第一10比特和
CAS
所使用的
后10位。
该ICS41C16105S和IC41LV16105S有两个
CAS
控制，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在iDEN的信号功能
蒂卡尔方式的单
CAS
输入上的其它1M ×16
DRAM的。在关键的区别是，每个
CAS
控制其
对应的I / O三态逻辑（结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IC41C16105S和IC41LV16105S
CAS
功能
由所述第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16105L和IS41LV16105L两个
字节读和字节写周期的能力。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准
最后。
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9 ）与
RAS
至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
循环，一个内部的10位计数器提供的行
地址和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
自刷新周期
在自刷新允许用户动态刷新，数据
保留模式在128毫秒延长更新周期。
即每行125微秒使用分布式CBR刷新的时候。
该功能还允许用户的一个充分的选择静态
低功耗数据保持方式。可选的自刷新
功能是通过执行一个CBR刷新周期开始和
控股
RAS
LOW指定吨
RAS
.
在自刷新模式时，通过驱动终止
RAS
高
在t的最小时间
RP
。这个延迟使得对于
任何内部刷新周期的完成，可能是在
进程的时间
RAS
低到高的转变。如果
DRAM控制器采用分布式刷新序列
在退出自刷新不要求脉冲串刷新。
然而，如果该DRAM控制器利用
RAS-只
or
爆刷新序列，所有1024行必须刷新
平均内部刷新率内，之前的重来
消费的正常运行。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
4
集成电路解决方案公司
DR011-0A 2001年5月23日
IC41C16105S
IC41LV16105S
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
INDUSTRAIL工作温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
INDUSTRAIL环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
1.0
0.3
0
40
典型值。
5.0
3.3
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
p.
p.
p.
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
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