IC- MFL / IC- MFLT
8 / 12倍的异常安全逻辑N沟道场效应管驱动器
C1版本，页面2/13
描述
IC- MFL / IC- MFLT是一个单片集成，
其驱动8/12通道电平调节装置
N型沟道FET 。内部电路块具有
设计了这样一种方式，与单一ER-
避免同时，如开路引脚（VCC ，GND GNDR ）或
短路的两个输出端， IC- MFL的输出
阶段切换到prede网络定义，安全的低状态。克斯特
应受连接的N型沟道FET因而关闭
安全地在单一错误的情况下。
在8 / 12通道的输入包括
施密特触发器有一个下拉电流源
并且与TTL和CMOS电平（ 1.8兼容
到5伏） 。八/十二经脉有电流 -
有限推挽输出级和一个下拉电阻
TOR的输出。的输出级提供输出
的5伏信号，并通过一个高信号引脚被使能
EN 。此外，各阶段可以处理浪涌电压
年龄脉冲（最大18 V ，脉宽< 100毫秒，最大。
2 ％的占空比） ，在输出端。
IC- MFL在监视VCC引脚的电源电压和
在两个接地引脚GND和GNDR的电压。
该引脚GND和GNDR必须连接用于─
为了保证安全低GETHER外部
在错误的情况下，输出级的状态。
应在VCC电源电压的下冲预
德科幻斯内德的阈值时，电压监控器会导致
输出要积极通过低压侧连接至GND
晶体管。如果电源电压停止施加
到VCC时，输出由下拉绑GNDR
电阻器。
如果地电势之间的连接
GND引脚被破坏时，高边和低边
输出级的晶体管被关闭并
输出绑通过下拉电阻来GNDR 。
如果在另一方面地之间的连接
电位和GNDR销被破坏，仅
输出级的高侧晶体管被关闭;该
输出则积极通过低压侧连接至GND
晶体管。
打开输入IN1 ... 8/12和EN正在积极绑
通过下拉电流GND 。下拉电流
有两个阶段，以限制功率耗散
具有增强抗噪声能力。
当不同的逻辑状态的两个输出短
短路时，低压侧驱动器的驱动能力
占优势，保持连接的N沟道
场效应管在安全停堆状态。
该装置是由ESD保护，防止破坏。
套餐
IC- MFL / IC- MFLT
8 / 12倍的异常安全逻辑N沟道场效应管驱动器
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引脚配置QFN24
4毫米×4毫米JEDEC MO220
引脚功能
编号名称功能
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
OUT1
-
-
GNDR
VCC
IN1
IN2
IN3
IN4
IN5
IN6
IN7
IN8
-
EN
-
GND
OUT8
OUT7
OUT6
OUT5
OUT4
OUT3
OUT2
TP
5 V输出通道1
（北卡罗来纳州）
（北卡罗来纳州）
接地（电阻）
5 V电源电压
输入通道1
输入通道2
输入通道3
输入通道4
输入通道5
输入通道6
输入通道7
输入通道8
（北卡罗来纳州）
使能输入
（北卡罗来纳州）
地
5 V输出通道8
5 V输出通道7
5 V输出6通道
5 V输出通道5
5 V输出通道4
5 V输出通道3
5 V输出通道2
热垫
该
散热垫
要被连接到接地平面的电路板上。 GND ， GNDR之间的连接
地平面应conciled系统FMEA方面。
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引脚配置QFN28
为5mm× 5mm至JEDEC MO220
引脚功能
编号名称功能
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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13
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27
28
OUT2
OUT1
GNDR
VCC
IN1
IN2
IN3
IN4
IN5
IN6
IN7
IN8
IN9
IN10
IN11
IN12
EN
GND
OUT12
OUT11
OUT10
OUT9
OUT8
OUT7
OUT6
OUT5
OUT4
OUT3
TP
5 V输出通道2
5 V输出通道1
接地（电阻）
5 V电源电压
输入通道1
输入通道2
输入通道3
输入通道4
输入通道5
输入通道6
输入通道7
输入通道8
输入通道9
输入通道10
输入通道11
输入通道12
使能输入
地
5 V输出通道12
5 V输出通道11
5 V输出通道10
5 V输出通道9
5 V输出通道8
5 V输出通道7
5 V输出6通道
5 V输出通道5
5 V输出通道4
5 V输出通道3
热垫
28
27
26
25
24
23
22
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
MFLT
代码...
...
18
17
16
15
8
9
10
11
12
13
14
该
散热垫
要被连接到接地平面的电路板上。 GND ， GNDR之间的连接
地平面应conciled系统FMEA方面。
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绝对最大额定值
除了这些值可能会损坏;设备操作不能保证。
项
号
符号
参数
电源电压
电压OUT1 ... 8/12
峰值电压为OUT1 ... 8/12
电压IN1 ... 8/12 ， EN
电压GNDR参考GND
电压GND参考GNDR
目前在OUT1 ... 8/12 ， IN1 ... 8/12 ， EN
目前在OUT1 ... 8/12
目前在VCC ， GND
目前在GND ， GNDR
ESD敏感性
工作结温
存储温度范围
牛逼< 100毫秒，占空比< 2 ％
HBM 100 pF的通过1.5 kΩ的排出
-40
-55
牛逼< 100毫秒，占空比< 2 ％
牛逼< 100毫秒，占空比< 2 ％
条件
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-10
-10
-50
-100
马克斯。
6
6
18
6
0.3
0.3
10
120
50
10
2
150
125
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
kV
°C
°C
单位
G001 VCC
G002 V（ ）
G003 VP（ ）
G004 V（ ）
G005 V（ GNDR ）
G006 V（ GND ）
G007 IMX （ ）
G008 IMX （ ）
G009 IMX （ ）
G010 IMX （ ）
G011 Vd的（ ）
G012 TJ
G013 TS
热数据
工作条件： VCC = 5V ± 10 ％
项
号
T01
T02
符号
Ta
RthJA
参数
工作环境温度范围
热电阻芯片/环境
SMD装配，不需要额外的冷却区域。
条件
分钟。
-40
典型值。
马克斯。
125
75
°C
K / W
单位
所有电压以地为参考，除非另有说明。
所有电流进入器件引脚为正;所有流出来的器件引脚为负。
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