IC- HK ， IC -HK
B
155 MHz的开关激光
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描述
激光开关IC -HK / B能够秒杀无开关
ING激光二极管以及德网络斯内德电流脉冲在
频率范围从直流到155兆赫。
二极管电流通过在电压确定
销CI和由电阻RK1和RK2 。两
快速开关通过CMOS独立控制
输入EN1和EN2 。因此，激光二极管可以是
接通和关断的或不同的电流之间切换
租金水平去连接了RK1和RK2的比值定义。
每个通道可以在150毫安直流操作和
达700毫安脉冲电流取决于频
昆西，占空比和散热。
集成的热关断功能可以防止
损害温度过高。
IC- HK / B补充的激光二极管驱动器IC- WK
其使用激光二极管的监测电流来
控制激光功率。因此， IC- WK控制
以这样的方式压在销的CI的平均值
的发射的激光功率是恒定的（APC） ，亲
人们提供有一个恒定的占空比和开关
频率高于100 kHz的高。
+3.5..5 V
CLDA
LD
3
7
赛维
VDD
IC- HK / B
8
CI
M1
M2
EN1
1
EN2
V（ CI ）
5
OVERTEMP.-
关闭
AGND1
2
RK1
AGND2 GND
4
RK2
6
图1 ：操作电压控制电流
租金来源
6
+3.5..5 V
CVCC
100 nF的
VCC
LDA
CLDA
1 uF的
CLD
2.2 nF的
CVDD
100 nF的
短暂
保护
MDK
LED
MD
LD
+
VREF
0.5 V
1
MDA
3
赛维
7
VDD
CI
D
赛维
8
CI
IC- HK / B
M1
M2
NQ
R
IC- WK
RM
EN1
1
EN1
CM
CI
47 nF的..
EN2
5
EN2
过电流
1
GND
反馈周一/
过温。
AGND
200 ..50 k
OVERTEMP.-
关闭
AGND1
AGND2
4
GND
6
RGND
DGND
2
0V
RK1
0..
RK2
0..
图2 ：在CW驱动IC - WK （参见应用信息相结合的IC -HK操作/ B
可选件/连接）
IC- HK ， IC -HK
B
155 MHz的开关激光
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绝对最大额定值
除了这些值可能会损坏;设备操作不能保证。
项
号
符号
参数
电压VDD
目前在VDD
电压CI
目前在赛维
目前在AGND1
目前在AGND2
电压EN1 ， EN2 ， AGND1和
AGND2
电压LDK
易患ESD在所有引脚
工作结温
存储温度范围
IC- HK
IC- HKB
HBM ， 100 pF的通过1.5 kΩ的排出
-40
-40
直流电流
直流电流
直流电流
条件
分钟。
-0.7
-10
-0.7
-10
-150
-150
-0.7
-0.7
-0.7
马克斯。
6
150
6
300
10
10
6
6
15
1
150
150
V
mA
V
mA
mA
mA
V
V
V
kV
°C
°C
单位
G001 VDD
G002我（VDD）的
G003 V（ CI）
G004 I（ LDK ）
G005 I（ AGND1 ）
G006 I（ AGND2 ）
G007 V（ ）
G008 V（ LDK ）
G009 Vd的（ ）
G010 TJ
G011 TS
热数据
工作条件： VDD = 3.5 ... 5.5 V
项
号
T01
T02
符号
Ta
RthJA
参数
工作环境温度范围
（增程应要求提供）
热电阻芯片/环境
(SO8)
热电阻芯片/环境
(MSOP8)
焊接到PCB上，不需要额外的冷却区
千卡。垫焊接到大约2平方厘米散热
区域
焊接到PCB，千卡。板焊接到
约。 2平方厘米散热面积
条件
分钟。
-25
典型值。
马克斯。
85
170
50
60
°C
K / W
K / W
K / W
单位
30
30
T03
RthJA
所有电压以地为参考，除非另有说明。
所有电流进入器件引脚为正;所有流出来的器件引脚为负。
IC- HK ， IC -HK
B
155 MHz的开关激光
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电气特性
工作条件： VDD = 3.5 ... 5.5 V ，环境温度为-25 ... 125°C ，除非另有说明
项
号
001
002
003
004
005
006
007
008
009
101
102
107
符号
参数
条件
Tj
°C
图。
分钟。
3.5
CW操作
脉冲操作，
F（ EN1 ， EN2 ） = 150 MHz的
IC- HK
IC- HKB
维生素C （Cl ）= V（ CI） - VDD和
我（ CI ） = 10 mA时，其他引脚开路
VC （ EN ） = V （ EN ） - VDD ，
我（ EN ）= 1毫安，其他引脚开路
我（ ） = -10毫安，其他引脚开路
0
0
0
0
0.4
0.4
-1.25
1
110
典型值。
马克斯。
5.5
80
150
5.5
12
1.25
1.25
-0.4
5
150
150
F > 100千赫， THI / T < 1:10
我（ LDK ） = 40毫安
我（ LDK ） = 60毫安
我（ LDK ） = 150毫安，
IC- HK
我（ LDK ） = 150毫安，
IC- HKB
ENX = LO ，V （ LDK ） = VDD
IOP = 150 mA时，
我（ LDK ） ： 10 ％
→
90%Iop
IOP （ LDK ） = 150毫安，
我（ LDK ） ： 90 ％
→
10%Iop
ENX喜
不料， V（ 50 ％ ）
→
I(50%)
3
3
1
33
0
我（ LDK ） < 5毫安
V（ CI） = 0 ... VDD和
我（ LDK ） = 30 ... 300毫安， RK1 RK2 =
0.75
0.9
1
50
0
700
1.2
1.3
1.5
1.8
10
1.5
1.5
3
67
5.5
1.15
1.1
V
A
mA
V
V
V
V
V
A
°C
mA
mA
V
V
V
V
A
ns
ns
ns
％ VDD
V
V
单位
设备总
VDD
我（VDD）的
我（VDD）的
V（ LDK ）
VC （ CI ）喜
VC （ EN ）喜
VC （ ） LO
IPD （ ）
花花公子
ICW （ LDK ）
IPK （ LDK ）
VS （ LDK ）
允许的电源电压
在VDD电源电流
在VDD电源电流
允许电压在赛维
钳位电压喜在CI
钳位电压喜在EN1 ， EN2
钳位电压LO在VDD ，赛维LDK
CI ， EN1 ， EN2 ， AGND1 ， AGND2
下拉电流在CI ， EN1 ，
EN2
过温关断
允许的CW目前在赛维
（每通道）
允许的脉冲电流在
江西赛维（每通道）
饱和电压在赛维
激光控制LDK ， CI ， EN1 ， EN2
108
109
110
111
112
113
114
115
I0(LDK)
TR （ ）
TF （ ）
TP （ ）
VT（ ENX ）
V（ CI ）
名词（CI）的
CR （ ）
在赛维LDK漏电流
LDK电流上升时间
LDK电流下降时间
传播延迟
V（ ENX ）
→
我（ LDK ）
输入阈值电压
允许电压在CI
阈值电压CI
电流匹配常用信
nel1/Channel2
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