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.
IBM43RF0100
SiGe,高动态范围,低噪声晶体管
特点
低噪声系数: NFmin
1.1分贝@ 2.0GHz的
V
CE
= 2.0V ,我
C
=5mA
低工作电压V
CE
= 1.0 2.5V
输入IIP3性能:
+ 10dBm的@ 2.0GHz的,
V
CE
= 2.5V ,我
C
=10mA
封装: SOT353
描述
该IBM43RF0100是硅锗(SiGe)
NPN晶体管设计的高性能,低
成本的应用。利用IBM的SiGe工艺,
封装技术,高增益,低噪声和
出色的线性度低功耗的
可能。组装在一个小型表面安装
包装,这款产品是专为应用程序
需要高性能,如低噪声放大器,压控振荡器,
与其它低噪声晶体管应用。
引脚图
4
引脚分配
销1
销2
BASE
1
辐射源
集热器
辐射源
5
3脚
引脚4
3
2
1
5脚
1.连接要求低电阻路径的信号
地面上。
sgrf0100.06
06/09/00
IBM公司。版权所有。
使用还受到在本文档的末尾的规定。
第1页7
IBM43RF0100
SiGe,高动态范围,低噪声晶体管
订购信息
产品型号
IBM43RF0100
IBM43RF0100EV19
IBM43RF0100EV09
提供的磁带和卷轴包装
1900MHz的评估板供IBM43RF0100
900MHz的评估板供IBM43RF0100
描述
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
工作结温
储存温度
参数
等级
7
4.5
2.0
75
140
-65到+150
单位
V
V
V
mA
°C
°C
笔记
1
1
1
1
1
1
1.强调高于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在operatioal表示
n
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性
的能力。
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sgrf0100.06
06/09/00
第2 7
IBM43RF0100
SiGe,高动态范围,低噪声晶体管
DC电气特性
(T
A
= +25
°
C)
符号
β
V
A
V
BE
Beta版
早电压
基极发射极电压
I
CC
=10A
集电极发射极击穿电压
基地开。
集电极发射极击穿电压
基地短路。
发射极基极击穿电压
集电极基极击穿电压
收藏家底击穿电压
参数
分钟。
45
30
755
典型值。
100
65
770
785
马克斯。
165
V
mV
单位
笔记
1
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
BV
CBO
BV
SO
3
3.3
V
2
7
3.2
7
30
10.5
4.0
10.5
45.0
V
V
V
V
2
2
2
1. V
CE
= 2.5V ,我
C
= 5毫安
2. I
R
=10A
AC特性
(V
CE
= 2.0V ,我
CC
= 5毫安,
符号
参数
T
A
= +25°C)
分钟。
典型值。
17.5
12.5
dB
0.9
1.1
1.7
2.3
马克斯。
单位
S
21
2
900兆赫
小信号的插入功率增益
1900兆赫
900兆赫
16.0
11.0
NF
噪声系数
1900兆赫
sgrf0100.06
06/09/00
IBM公司。版权所有。
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IBM43RF0100
SiGe,高动态范围,低噪声晶体管
典型的散射参数
(T
A
= 25 ° C,V
CE
= 2.0V ,我
CQ
=5.0mA)
频率
(千兆赫)
0.100
0.200
0.300
0.400
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
S11
MAG
0.805
0.765
0.725
0.685
0.650
0.522
0.472
0.457
0.461
0.465
0.477
0.488
0.499
0.507
-19.1
-32.8
-46.5
-60.2
-72.7
-119.2
-150.1
-173.3
167.7
151.4
137.4
124.5
112.6
101.2
MAG
14.445
13.558
12.671
11.784
10.919
7.309
5.294
4.108
3.369
2.842
2.451
2.164
1.929
1.740
S21
164.2
155.0
145.8
136.6
128.3
98.9
79.5
64.1
50.5
37.7
25.7
14.3
3.0
-8.1
MAG
0.025
0.036
0.047
0.058
0.067
0.093
0.109
0.123
0.139
0.156
0.176
0.190
0.209
0.229
S12
77.3
70.8
64.3
57.8
52.4
36.8
30.0
25.4
21.2
16.0
10.9
3.8
-2.8
-9.3
MAG
1.008
0.943
0.878
0.813
0.747
0.503
0.368
0.287
0.233
0.204
0.169
0.198
0.215
0.259
S22
-15.2
-24.2
-33.2
-42.2
-50.0
-77.4
-95.2
-109.7
-125.3
-141.0
-164.0
179.7
157.8
141.3
的S11 & S22的S21和Smith圆图极坐标
(T
A
= 25 ° C,V
CE
= 2.0V ,我
CQ
=5.0mA)
S11 HBT
S22 HBT
0.300 GHz的
5.000 GHz的
0.2
1
0.5
2
S21 HBT
0.300 GHz的
5.000 GHz的
5
0
0.2
0.5
1
2
5
-0.2
-5
-0.5
-1
-15
-10
-5
0
5
10
15
-2
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06/09/00
第4 7
IBM43RF0100
SiGe,高动态范围,低噪声晶体管
典型的噪声参数
(T
A
= 25 ° C,V
CE
= 2.0V ,我
CQ
=5.0mA)
频率
(千兆赫)
0.5
0.8
1.0
1.8
2.0
2.5
3.0
4.0
NFmin
( dB)的
0.8
0.9
0.9
1.1
1.1
1.3
1.4
1.6
伽玛
( MAG )
0.35
0.34
0.32
0.30
0.28
0.23
0.28
0.32
伽玛
( ANG)
32
43
50
93
101
127
157
-160
R
N
(归一
50欧姆)
0.18
0.16
0.16
0.12
0.12
0.11
0.09
0.09
NF 50欧姆
( dB)的
0.9
1.0
1.0
1.2
1.2
1.4
1.5
1.7
相关的增益
( dB)的
25.5
21
19
14
13
11
10
8
sgrf0100.06
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:19520735817/13148740183
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