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我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

HZU系列

硅外延平面稳压二极管的稳定器

ADE - 208-024G （ Z）

Rev.7

2002年12月

特点

超小型树脂包装（ URP ），适用于表面贴装设计。

这些二极管是交付流片。

订购信息

型号

HZU系列

标志

让马克代码

封装代码

URP

管脚配置

阴极标记

标志

1.阴极

2.阳极

HZU系列

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

功耗

结温

储存温度

注意：

1. P.C。董事会。

符号

TSTG

价值

200

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

(V)

TYPE

HZU2.0

HZU2.2

HZU2.4

HZU2.7

GRADE

HZU3.0

HZU3.3

HZU3.6

HZU3.9

注意：

民

1.90

2.10

2.30

2.50

2.65

2.80

2.95

3.10

3.25

3.40

3.55

3.70

3.87

反向电流

TEST

条件

(A)

最大

120

TEST

条件

(V)

0.5

0.7

1.0

动态电阻

()

最大

100

110

TEST

条件

（MA ）

最大

2.20

2.40

2.60

2.90

2.75

2.90

3.20

3.05

3.20

3.50

3.35

3.50

3.80

3.65

3.80

4.10

3.97

4.10

（MA ）

1.0

120

1.0

130

1.0

130

1.0

130

1.测试脉冲（P

= 40毫秒）。

Rev.7号， 2002年12月，第2页

HZU系列

齐纳电压

(V)

TYPE

HZU4.3

GRADE

HZU4.7

HZU5.1

HZU5.6

HZU6.2

HZU6.8

HZU7.5

HZU8.2

注意：

民

4.01

4.15

4.28

4.42

4.55

4.69

4.84

4.98

5.14

5.31

5.49

5.67

5.86

6.06

6.26

6.47

6.65

6.86

7.06

7.28

7.52

7.76

8.02

8.28

反向电流

TEST

条件

(A)

最大

TEST

条件

(V)

1.0

动态电阻

()

最大

130

TEST

条件

（MA ）

最大

4.48

4.21

4.34

4.48

4.90

4.61

4.75

4.90

5.37

5.04

5.20

5.37

5.92

5.55

5.73

5.92

6.53

6.12

6.33

6.53

7.14

6.73

6.93

7.14

7.84

7.36

7.60

7.84

8.64

8.10

8.36

8.64

（MA ）

1.0

130

1.5

130

2.5

3.0

3.5

4.0

5.0

1.测试脉冲（P

= 40毫秒）。

Rev.7号， 2002年12月，第3页

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

HZU系列

硅外延平面稳压二极管的稳定器

ADE - 208-024G （ Z）

Rev.7

2002年12月

特点

超小型树脂包装（ URP ），适用于表面贴装设计。

这些二极管是交付流片。

订购信息

型号

HZU系列

标志

让马克代码

封装代码

URP

管脚配置

阴极标记

标志

1.阴极

2.阳极

HZU系列

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

功耗

结温

储存温度

注意：

1. P.C。董事会。

符号

TSTG

价值

200

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

齐纳电压

(V)

TYPE

HZU2.0

HZU2.2

HZU2.4

HZU2.7

GRADE

HZU3.0

HZU3.3

HZU3.6

HZU3.9

注意：

民

1.90

2.10

2.30

2.50

2.65

2.80

2.95

3.10

3.25

3.40

3.55

3.70

3.87

反向电流

TEST

条件

(A)

最大

120

TEST

条件

(V)

0.5

0.7

1.0

动态电阻

()

最大

100

110

TEST

条件

（MA ）

最大

2.20

2.40

2.60

2.90

2.75

2.90

3.20

3.05

3.20

3.50

3.35

3.50

3.80

3.65

3.80

4.10

3.97

4.10

（MA ）

1.0

120

1.0

130

1.0

130

1.0

130

1.测试脉冲（P

= 40毫秒）。

Rev.7号， 2002年12月，第2页

HZU系列

齐纳电压

(V)

TYPE

HZU4.3

GRADE

HZU4.7

HZU5.1

HZU5.6

HZU6.2

HZU6.8

HZU7.5

HZU8.2

注意：

民

4.01

4.15

4.28

4.42

4.55

4.69

4.84

4.98

5.14

5.31

5.49

5.67

5.86

6.06

6.26

6.47

6.65

6.86

7.06

7.28

7.52

7.76

8.02

8.28

反向电流

TEST

条件

(A)

最大

TEST

条件

(V)

1.0

动态电阻

()

最大

130

TEST

条件

（MA ）

最大

4.48

4.21

4.34

4.48

4.90

4.61

4.75

4.90

5.37

5.04

5.20

5.37

5.92

5.55

5.73

5.92

6.53

6.12

6.33

6.53

7.14

6.73

6.93

7.14

7.84

7.36

7.60

7.84

8.64

8.10

8.36

8.64

（MA ）

1.0

130

1.5

130

2.5

3.0

3.5

4.0

5.0

1.测试脉冲（P

= 40毫秒）。

Rev.7号， 2002年12月，第3页