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HZN6.2Z4MFA
硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
REJ03G0204-0100Z
Rev.1.00
Mar.29.2004
特点
HZN6.2Z4MFA有一个整体式四装置,并能吸收浪涌。
低电容( C = 4.0 pF的典型值/ 4.5 pF的最大值),并可以保护信号线的ESD 。
VSON -5T包是适合于高密度的表面安装。
订购信息
型号
HZN6.2Z4MFA
激光标记
N1
封装代码
VSON-5T
管脚配置
1
2
1
2
(月代码)
N1
5
4
3
( TOP VIEW )
5
4
3
( TOP VIEW )
1.阴极
2.阴极
3.阴极
4.阳极
5.阴极
Rev.1.00 , Mar.29.2004 ,第1页4
HZN6.2Z4MFA
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
功耗
结温
储存温度
注:四个设备总,请参见图2 。
符号
PD *
Tj
TSTG
价值
200
150
55
+150
单位
mW
°C
°C
电气特性
*
1
( TA = 25°C )
齐纳电压
反向电流
电容
动态电阻
防静电能力
*
2
符号
V
Z
I
R
C
r
d
5.90
8
典型值
4.0
最大
6.50
3
4.5
60
单位
V
A
pF
kV
测试条件
I
Z
= 5毫安, 40毫秒的脉冲
V
R
= 5.5 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
I
Z
= 5毫安
C = 150 pF的, R = 330
,
正向和
反方向10脉冲
注:1。每一个设备。
2.破坏准则;我
R
& GT ; 3
A
在V
R
= 5.5 V.
3.阴极和阳极之间。
本月码
组合
制造个月
一月
二月
三月
四月
五月
六月
日本
A
B
C
D
E
F
马来西亚
1
2
3
4
5
6
制造个月
七月
八月
九月
十月
十一月
十二月
组合
日本
G
H
J
K
L
M
马来西亚
7
8
9
W
X
Y
Rev.1.00 , Mar.29.2004 , 4个2页
HZN6.2Z4MFA
主要特点
10
2
250
20h
×
15w
×
0.8t
0.3
单位:mm
齐纳电流I
Z
(A)
2.45
10
3
功耗,Pd (MW )
1.0
1.75
1.5
150
聚酰亚胺板
10
4
100
10
5
50
10
6
0
4
6
2
8
齐纳电压V
Z
(V)
10
0
0
50
100
150
环境温度Ta (C )
3.0 3.8
200
200
图1齐纳电流与齐纳电压
图2功耗与环境温度
非重复性浪涌电源反转P
RSM
(W)
10
4
P
RSM
t
10
3
TA = 25
°
C
不重复
10
2
10
1.0
10
–2
10
–1
1.0
时间t (S )
10
10
2
10
3
图3浪涌反向功率额定值
Rev.1.00 , Mar.29.2004 , 4 3页
HZN6.2Z4MFA
包装尺寸
1.6
±
0.05
截至, 2003年1月
(0.1)
5 – 0.2
–0.05
+0.1
单位:mm
1.6
±
0.05
1.2
±
0.1
0.2
0.2
0.5
1.0
±
0.1
0.5
0.5最大
封装代码
JEDEC
JEITA
质谱(参考值)
VSON-5T
0.002 g
Rev.1.00 , Mar.29.2004 , 4 4页
0.12
–0.05
+0.1
(0.1)
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2004年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记.1.0
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    HZN6.2Z4MFA
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    -
    -
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