HZM4.3FA
硅外延平面齐纳二极管的浪涌吸收
ADE-208-468(Z)
REV 0
特点
HZM4.3FA具有四个设备，并且可以吸收外部+和-surge 。
MPAK - 5封装适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HZM4.3FA
激光标记
43A
封装代码
MPAK-5
概要
1
2
1阴极
2阴极
3阴极
5
4
3
4阳极
5阴极
（ TOP VIEW ）
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
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3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
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其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
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系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
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全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
HZM4.3FA
硅外延平面齐纳二极管的浪涌吸收
ADE - 208-468B （ Z）
Rev.2
2002年11月
特点
HZM4.3FA有四个装置，并能吸收浪涌。
MPAK - 5封装适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HZM4.3FA
激光标记
43A
封装代码
MPAK-5
管脚配置
1
2
5
4
3
（ TOP VIEW ）
1.阴极
2.阴极
3.阴极
4.阳极
5.阴极
QQ：2881677436 复制
