HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
3.3 V 32M ×64 /72- BIT， 256MByte SDRAM模块
168针无缓冲DIMM模块
168引脚无缓冲的8字节双列直插式
SDRAM模块用于PC的主存储器
使用的256Mbit技术的应用。
PC100-222 ， PC133-333和PC133-222
版本
一个银行32M
×
64和32M
×
72
组织
优化字节写非奇偶校验或ECC
应用
完全的PC板布局兼容INTEL的
1.0版模块规格
编程潜伏期：
产品速度
-7
-7.5
-8
PC133
PC133
PC100
CL
2
3
2
t
RCD
t
RP
单+ 3.3 V （
±
0.3 V ）电源
可编程CAS延迟，突发长度，
和包裹序列（序列&
交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
安装在基板去耦电容
所有输入，输出是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
采用英飞凌256兆SDRAM组件
在32M
×
8组织TSOPII -54
套餐
金触点垫，卡片尺寸：
133.35 mm
×
31.75 mm
×
3.00 mm
（ JEDEC MO- 161 -BA ）
2
3
2
2
3
2
SDRAM性能：
-7 / -7.5
PC133
f
CK
t
AC
-8
PC100
100
6
单位
兆赫
ns
时钟频率（最大）
时钟存取时间
133
5.4
描述
的HYS 64V32300GU和HYS 72V32300GU是工业标准168针8字节的双列直插式
内存模块（DIMM ），该组织为32M
×
64和32M
×
72合1存储体高
高速存储器阵列设计与256M同步DRAM（SDRAM ），非奇偶校验和
ECC的应用程序。在DIMM使用-7速度32M排序
×
在TSOP54封装8 SDRAM器件
为满足PC133-222要求， -8元件为-7.5组件PC133-333和
PC100标准的应用程序。去耦电容器被安装在PC板上。 PC板
根据Intel的模块规格设计。 DIMM安装有一个串行存在检测，
带有串行é实施
2
使用PROM的2针I
2
C协议。前128个字节被使用
在DIMM的制造商和第二个128字节是提供给最终用户。所有英飞凌168-
销的DIMM提供一种高性能，在一个133.35毫米长足迹灵活的8字节的接口，以
1.25 “ （ 31.75毫米）的高度。
在网络连接霓虹灯技术
1
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
订购信息
TYPE
HYS 64V32300GU -7 -D-
HYS 72V32300GU -7 -D-
CODE
包
说明
模块
高度
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
PC133-222-520 L- DIM - 168-33 32M PC133
×
64银行1
SDRAM模块
PC133-222-520 L- DIM - 168-33 32M PC133
×
72银行1
ECC -SDRAM模块
HYS 64V32300GU - 7.5 -C2 PC133-333-520 L- DIM - 168-33 32M PC133
×
64银行1
HYS 64V32300GU - 7.5 -D
SDRAM模块
HYS 72V32300GU - 7.5 -C2 PC133-333-520 L- DIM - 168-33 32M PC133
×
72银行1
ECC -SDRAM模块
HYS 72V32300GU - 7.5 -D
HYS 64V32300GU -8 -C2
HYS 72V32300GU -8 -C2
PC100-222-620 L- DIM - 168-33 32M PC100
×
64银行1
SDRAM模块
PC100-222-620 L- DIM - 168-33 32M PC100
×
72银行1
ECC -SDRAM模块
注：所有部件号结束与一个地方的代码指定的模具修改。为向厂家咨询
当前版本。例如： HYS 64V32300GU -8 -C2 ，表示版本的C2模具被用于
SDRAM组件。
引脚定义和功能
A0 - A12
BA0 ， BA1
CB0 - CB7
RAS
CAS
WE
CKE0
地址输入
银行选择
CLK0 - CLK3
CS0 ， CS2
时钟输入
芯片选择
电源（ + 3.3V）
地
时钟设备检测
串行数据输出为
设备检测
无连接
DQMB0 - DQMB7数据面膜
DQ0 - DQ63数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
校验位（ X72组织只）
V
DD
V
SS
SCL
SDA
北卡罗来纳州/杜
地址格式
产品型号
行列
10
BANK SELECT
2
刷新周期间隔
8k
64毫秒
7.8
s
32M
×
64/72 HYS64 / 72V32300GU 13
在网络连接霓虹灯技术
2
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
引脚配置
PIN ＃符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
北卡罗来纳州（ CB0 ）
北卡罗来纳州（ CB1 ）
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
WE
DQMB0
DQMB1
CS0
DU
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1
V
DD
V
DD
CLK0
针＃
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
V
SS
DU
CS2
DQMB2
DQMB3
DU
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州（ CB2 ）
北卡罗来纳州（ CB3 ）
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
北卡罗来纳州
DU
北卡罗来纳州
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
北卡罗来纳州
WP
SDA
SCL
V
DD
针＃
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
北卡罗来纳州（ CB4 ）
北卡罗来纳州（ CB5 ）
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
CAS
DQMB4
DQMB5
北卡罗来纳州
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
CLK1
A12
针＃
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
V
SS
CKE0
北卡罗来纳州
DQMB6
DQMB7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
北卡罗来纳州
DU
北卡罗来纳州
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
北卡罗来纳州
SA0
SA1
SA2
V
DD
注：在parantheses引脚名称为X72 ECC版本;例如：引脚106 = （ CB5 ）
在网络连接霓虹灯技术
3
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
WE
CS0
DQMB0
DQ （ 7 ： 0 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D8
DQMB4
DQ （ 39:32 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D5
DQMB1
DQ （ 15 ： 8 ）
DQMB5
DQ （ 47:40 ）
CB（ 7：0 ）
CS2
DQMB2
DQ （ 23:16 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D3
D0-D7, (D8)
DQMB6
DQ （ 55:48 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D7
PROM （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
47 k
2
DQMB3
DQ （ 31:24 ）
DQMB7
DQ （ 63:56 ）
A0 - A12 ， BA0 ， BA1
V
CC
V
SS
RAS
CAS
CKE0
D0-D7, (D8)
C0-C15, (C16, C17)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
时钟布线
16一M× 64
16一M× 72
5 SDRAM
终止
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
BL013
注： D8只在X72 ECC版本使用，
所有的电阻值为10欧姆，除了
另有说明。
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
框图： 32M X 64/72一家银行SDRAM DIMM模块
在网络连接霓虹灯技术
4
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
绝对最大额定值
参数
符号
分钟。
输入/输出相对于V电压
SS
在V电源电压
DD
存储温度范围
每SDRAM组件的功耗
数据输出电流（短路）
V
IN，
V
OUT
V
DD
T
英镑
P
D
I
OS
– 1.0
– 1.0
-55
–
–
限值
马克斯。
4.6
4.6
+150
1
50
V
V
o
单位
C
W
mA
如果“绝对最大额定值”超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应限制在推荐的工作条件。
暴露于超过推荐的电压高的时间会影响器件的可靠性长时间
DC特性
T
A
= 0至70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 4.0毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.0 mA）的
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 3.6 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DQ被禁用， 0 V＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
V
DD
)
符号
分钟。
限值
马克斯。
2.0
– 0.5
2.4
–
– 40
– 40
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
DD
+ 0.3
0.8
–
0.4
40
40
A
A
T
A
= 0至70
°
C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1兆赫
参数
符号
限值
马克斯。
32M ×64
输入电容
(
A0到A11 ， BA0 ， BA1 ， RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CS0 - CS3 ）
输入电容（ CLK0 - CLK3 ）
输入电容（ CKE0 ）
输入电容（ DQMB0 - DQMB7 ）
输入电容（ SCL ， SA0-2 ）
输入/输出电容
马克斯。
32M X 72
72
40
40
72
16
10
8
8
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
单位
电容
C
I1
C
I2
C
ICL
C
I3
C
I4
C
SC
C
SD
65
32
38
65
13
10
8
8
输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ）
C
IO
在网络连接霓虹灯技术
5
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
3.3 V 32M ×64 /72- BIT， 256MByte SDRAM模块
168针无缓冲DIMM模块
168引脚无缓冲的8字节双列直插式
SDRAM模块用于PC的主存储器
使用的256Mbit技术的应用。
PC100-222 ， PC133-333和PC133-222
版本
一个银行32M
×
64和32M
×
72
组织
优化字节写非奇偶校验或ECC
应用
完全的PC板布局兼容INTEL的
1.0版模块规格
编程潜伏期：
产品速度
-7
-7.5
-8
PC133
PC133
PC100
CL
2
3
2
t
RCD
t
RP
单+ 3.3 V （
±
0.3 V ）电源
可编程CAS延迟，突发长度，
和包裹序列（序列&
交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
安装在基板去耦电容
所有输入，输出是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
采用英飞凌256兆SDRAM组件
在32M
×
8组织TSOPII -54
套餐
金触点垫，卡片尺寸：
133.35 mm
×
31.75 mm
×
3.00 mm
（ JEDEC MO- 161 -BA ）
2
3
2
2
3
2
SDRAM性能：
-7 / -7.5
PC133
f
CK
t
AC
-8
PC100
100
6
单位
兆赫
ns
时钟频率（最大）
时钟存取时间
133
5.4
描述
的HYS 64V32300GU和HYS 72V32300GU是工业标准168针8字节的双列直插式
内存模块（DIMM ），该组织为32M
×
64和32M
×
72合1存储体高
高速存储器阵列设计与256M同步DRAM（SDRAM ），非奇偶校验和
ECC的应用程序。在DIMM使用-7速度32M排序
×
在TSOP54封装8 SDRAM器件
为满足PC133-222要求， -8元件为-7.5组件PC133-333和
PC100标准的应用程序。去耦电容器被安装在PC板上。 PC板
根据Intel的模块规格设计。 DIMM安装有一个串行存在检测，
带有串行é实施
2
使用PROM的2针I
2
C协议。前128个字节被使用
在DIMM的制造商和第二个128字节是提供给最终用户。所有英飞凌168-
销的DIMM提供一种高性能，在一个133.35毫米长足迹灵活的8字节的接口，以
1.25 “ （ 31.75毫米）的高度。
在网络连接霓虹灯技术
1
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
订购信息
TYPE
HYS 64V32300GU -7 -D-
HYS 72V32300GU -7 -D-
CODE
包
说明
模块
高度
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
PC133-222-520 L- DIM - 168-33 32M PC133
×
64银行1
SDRAM模块
PC133-222-520 L- DIM - 168-33 32M PC133
×
72银行1
ECC -SDRAM模块
HYS 64V32300GU - 7.5 -C2 PC133-333-520 L- DIM - 168-33 32M PC133
×
64银行1
HYS 64V32300GU - 7.5 -D
SDRAM模块
HYS 72V32300GU - 7.5 -C2 PC133-333-520 L- DIM - 168-33 32M PC133
×
72银行1
ECC -SDRAM模块
HYS 72V32300GU - 7.5 -D
HYS 64V32300GU -8 -C2
HYS 72V32300GU -8 -C2
PC100-222-620 L- DIM - 168-33 32M PC100
×
64银行1
SDRAM模块
PC100-222-620 L- DIM - 168-33 32M PC100
×
72银行1
ECC -SDRAM模块
注：所有部件号结束与一个地方的代码指定的模具修改。为向厂家咨询
当前版本。例如： HYS 64V32300GU -8 -C2 ，表示版本的C2模具被用于
SDRAM组件。
引脚定义和功能
A0 - A12
BA0 ， BA1
CB0 - CB7
RAS
CAS
WE
CKE0
地址输入
银行选择
CLK0 - CLK3
CS0 ， CS2
时钟输入
芯片选择
电源（ + 3.3V）
地
时钟设备检测
串行数据输出为
设备检测
无连接
DQMB0 - DQMB7数据面膜
DQ0 - DQ63数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
校验位（ X72组织只）
V
DD
V
SS
SCL
SDA
北卡罗来纳州/杜
地址格式
产品型号
行列
10
BANK SELECT
2
刷新周期间隔
8k
64毫秒
7.8
s
32M
×
64/72 HYS64 / 72V32300GU 13
在网络连接霓虹灯技术
2
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
引脚配置
PIN ＃符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
北卡罗来纳州（ CB0 ）
北卡罗来纳州（ CB1 ）
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
WE
DQMB0
DQMB1
CS0
DU
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1
V
DD
V
DD
CLK0
针＃
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
V
SS
DU
CS2
DQMB2
DQMB3
DU
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州（ CB2 ）
北卡罗来纳州（ CB3 ）
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
北卡罗来纳州
DU
北卡罗来纳州
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
北卡罗来纳州
WP
SDA
SCL
V
DD
针＃
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
北卡罗来纳州（ CB4 ）
北卡罗来纳州（ CB5 ）
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
CAS
DQMB4
DQMB5
北卡罗来纳州
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
CLK1
A12
针＃
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
V
SS
CKE0
北卡罗来纳州
DQMB6
DQMB7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
北卡罗来纳州
DU
北卡罗来纳州
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
北卡罗来纳州
SA0
SA1
SA2
V
DD
注：在parantheses引脚名称为X72 ECC版本;例如：引脚106 = （ CB5 ）
在网络连接霓虹灯技术
3
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
WE
CS0
DQMB0
DQ （ 7 ： 0 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D8
DQMB4
DQ （ 39:32 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D5
DQMB1
DQ （ 15 ： 8 ）
DQMB5
DQ （ 47:40 ）
CB（ 7：0 ）
CS2
DQMB2
DQ （ 23:16 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D3
D0-D7, (D8)
DQMB6
DQ （ 55:48 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D7
PROM （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
47 k
2
DQMB3
DQ （ 31:24 ）
DQMB7
DQ （ 63:56 ）
A0 - A12 ， BA0 ， BA1
V
CC
V
SS
RAS
CAS
CKE0
D0-D7, (D8)
C0-C15, (C16, C17)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
时钟布线
16一M× 64
16一M× 72
5 SDRAM
终止
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
BL013
注： D8只在X72 ECC版本使用，
所有的电阻值为10欧姆，除了
另有说明。
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
框图： 32M X 64/72一家银行SDRAM DIMM模块
在网络连接霓虹灯技术
4
9.01
HYS 64 / 72V32300GU
SDRAM模块
绝对最大额定值
参数
符号
分钟。
输入/输出相对于V电压
SS
在V电源电压
DD
存储温度范围
每SDRAM组件的功耗
数据输出电流（短路）
V
IN，
V
OUT
V
DD
T
英镑
P
D
I
OS
– 1.0
– 1.0
-55
–
–
限值
马克斯。
4.6
4.6
+150
1
50
V
V
o
单位
C
W
mA
如果“绝对最大额定值”超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应限制在推荐的工作条件。
暴露于超过推荐的电压高的时间会影响器件的可靠性长时间
DC特性
T
A
= 0至70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 4.0毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.0 mA）的
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 3.6 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DQ被禁用， 0 V＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
V
DD
)
符号
分钟。
限值
马克斯。
2.0
– 0.5
2.4
–
– 40
– 40
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
DD
+ 0.3
0.8
–
0.4
40
40
A
A
T
A
= 0至70
°
C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1兆赫
参数
符号
限值
马克斯。
32M ×64
输入电容
(
A0到A11 ， BA0 ， BA1 ， RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CS0 - CS3 ）
输入电容（ CLK0 - CLK3 ）
输入电容（ CKE0 ）
输入电容（ DQMB0 - DQMB7 ）
输入电容（ SCL ， SA0-2 ）
输入/输出电容
马克斯。
32M X 72
72
40
40
72
16
10
8
8
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
单位
电容
C
I1
C
I2
C
ICL
C
I3
C
I4
C
SC
C
SD
65
32
38
65
13
10
8
8
输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ）
C
IO
在网络连接霓虹灯技术
5
9.01
QQ：2881677436 复制
