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HYS 72Vxx3xxGR
PC133 SDRAM注册模块
3.3 V 168针SDRAM注册模块
PC133 128兆字节模块
PC133 256M的模块
PC133 512兆字节模块
PC133 1 GB的模块
PC133 2 GB的模块
168引脚注册8个字节的双列直插式
SDRAM模块的PC和服务器主
内存应用
一个银行16M
×
72 , 32M X 72 , 64M
×
72and
128M X 72 ,两张银行128M
×
72和
256M X 72组织
非常低的优化ECC应用
输入电容
JEDEC标准同步DRAM
( SDRAM )可编程CAS延时,连拍
长度和换行序列(序列&
交错)
单+ 3.3 V (
±
0.3 V )电源
自动刷新( CBR)和自刷新
性能:
速度等级
f
CK
t
CK
t
AC
f
CK
t
CK
t
AC
时钟频率(最大)@ CL = 3
时钟周期时间(min 。 ) @ CL = 3
时钟存取时间(min 。 ) @ CL = 3
时钟频率(最大)@ CL = 2
时钟周期时间(min 。 ) @ CL = 2
时钟存取时间(min 。 ) @ CL = 2
可编程CAS延迟,突发长度,
和包裹序列(序列&
交错)
所有输入和输出都是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
利用SDRAM的在TSOPII -54封装
与寄存器和PLL 。
卡片尺寸: 133.35毫米
×
38.10 / 43.18 mm
与黄金接触片和最大4.00 / 6.80
毫米的厚度( JEDEC MO- 161 )
这些模块全部用完全兼容
目前行业标准的PC133和PC100
特定网络阳离子
-7
133
7.5
5.4
133
7.5
5.4
-7.5
133
7.5
5.4
100
10
6
单位
兆赫
ns
ns
兆赫
ns
ns
描述
该HYS 72Vxx3xxGR -7和-7.5是行业标准的168针8字节的双列直插内存模块(DIMM )
组织为16M
×
72 , 32M X 72 , 64M
×
72, 128M
×
72和256M X 72高速存储阵列设计
同步DRAM(SDRAM )的ECC应用。所有的控制和地址信号被登记在-DIMM
而且设计集成了PLL电路的时钟输入。使用板载寄存器降低电容
装上的输入信号,而是由一个周期中到达SDRAM器件被延迟。去耦电容
安装在PC板上。在使用的DIMM串行存在检测方案通过一个串行执行
E
2
使用PROM的2针I
2
C协议。第128个字节是由在DIMM的制造商和第二利用
128字节是提供给最终用户。所有英飞凌168针的DIMM提供一种高性能的,灵活的8字节
接口在133.35毫米长的足迹。
在网络连接霓虹灯技术
1
2002-07-18
HYS 72Vxx3xxGR
PC133 SDRAM注册模块
订购信息
部分号码
1)
PC133-333 :
HYS 72V16300GR - 7.5 -C
HYS 72V16300GR - 7.5 -E
HYS 72V16301GR - 7.5 -C2
HYS 72V32301GR - 7.5 -C2
HYS 72V32300GR - 7.5 -C2
HYS 72V32300GR - 7.5 -D
HYS 72V64300GR - 7.5 -C2
HYS 72V64300GR - 7.5 -D
PC133R - 333-542 -B2一家银行128 MB注册。 DIMM
PC133R - 333-542 -B2一家银行128 MB注册。 DIMM
PC133R - 333-542 -B2一家银行256 MB注册。 DIMM
PC133R - 333-542 -AA一家银行256 MB注册。 DIMM
PC133R - 333-542 -B2一家银行512 MB注册。 DIMM
64兆位(4个)
128兆比特( X8 )
128兆比特(4个)
256兆比特( X8 )
256兆位(4个)
256兆
( X4 ,叠)
3)
512兆比特(4个)
512兆位
( X4 ,叠)
3)
合规
CODE
2)
描述
SDRAM
技术
HYS 72V128320 / 1GR - 7.5 -C2 PC133R - 333-542 -B2两家银行1 GB的注册。 DIMM
HYS 72V128320 / 1GR - 7.5 -D
HYS 72V128300GR - 7.5 -A
HYS 72V256320 / 1GR - 7.5 -A
PC133R - 333-542 -B2一家银行1 GB的注册。 DIMM
PC133R - 333-542 -B2两家银行2 GB的注册。 DIMM
PC133-222 :
HYS 72V16300GR - 7 -E
HYS 72V16301GR -7 -C2
HYS 72V32301GR -7 -C2
HYS 72V32300GR -7 -D-
HYS 72V64300GR -7 -D-
HYS 72V128320 / 1GR - 7 -D
HYS 72V128300GR - 7 -A
HYS 72V256320 / 1GR - 7 -A
PC133R - 222-542 -B2一家银行128 MB注册。 DIMM
PC133R - 222-542 -B2一家银行128 MB注册。 DIMM
PC133R - 222-542 -B2一家银行256 MB注册。 DIMM
PC133R - 222-542 -AA一家银行256 MB注册。 DIMM
PC133R - 222-542 -B2一家银行512 MB注册。 DIMM
PC133R - 222-542 -B2两家银行1 GB的注册。 DIMM
PC133R - 222-542 -B2一家银行1 GB的注册。 DIMM
PC133R - 222-542 -B2两家银行2 GB的注册。 DIMM
64兆位(4个)
128兆比特( X8 )
128兆比特(4个)
256兆比特( X8 )
256兆位(4个)
256兆
( X4 ,叠)
3)
512兆比特(4个)
512兆位
( X4 ,叠)
3)
注意事项:
1. )所有零件号码结束与地点代码,指定所用的部件的模具修改
注册的DIMM模块。当前版本向厂家咨询。例如: HYS 64V32300GR - 7.5 -D ,
指示Rev.D模具被用于的256Mbit SDRAM组件。
2. )将符合代码打印在所述模块的标签和描述速度排序的模块,
等待时间,访问时间从时钟, SPD版本和原卡版acording实际JEDEC
标准。
3 )与堆叠的组件模块有两种版本,使用堆叠的组件
焊接叠加技术(菲HYS72V128320GR - 7.5)和一个焊接技术通过开发
英飞凌科技( F.E. HYS72V128321GR - 7.5 )
.
在网络连接霓虹灯技术
2
2002-07-18
HYS 72Vxx3xxGR
PC133 SDRAM注册模块
引脚定义和功能
A0 - A11, A12
BA0 , BA1
DQ0 - DQ63
地址输入( A12用于
唯一的256Mbit基础模块)
银行选择
数据输入/输出
DQMB0 - DQMB7
CS0 - CS3
雷杰* )
数据屏蔽
芯片选择
注册启用
“H”或N.C =注册模式
为“L” =缓冲模式
电源( + 3.3V)
时钟设备检测
串行数据输出
无连接
CB0 - CB7
RAS
CAS
WE
CKE0
CLK0 - CLK3
校验位
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
时钟输入
V
DD
V
SS
SCL
SDA
北卡罗来纳州
注: * )确认本规范,主板必须将该引脚拉至高电平状态或无连接。
地址格式
组织密度SDRAM的内存
银行
128 MB 16M
×
72
128 MB 16M
×
72
256 MB 32M X 72
256 MB 32M X 72
512 MB 64M
×
72
1 GB
1 GB
2 GB
128M
×
72
128M
×
72
256M
×
72
1
1
1
1
1
2
1
2
16M
×
4
16M ×8
32M ×4
32M ×8
64M
×
4
64M
×
4
128M
×
4
128M
×
4
排名第
#行/银行/刷新周期间隔
SDRAM的柱位
18
9
18
9
18
36
18
36
12/2/10
12/2/10
12/2/11
13/2/10
13/2/11
13/2/11
13/2/12
13/2/12
4k
4k
4k
8k
8k
8k
8k
8k
64毫秒15.6
s
64毫秒15.6
s
64毫秒15.6
s
64毫秒7.8
s
64毫秒7.8
s
64毫秒7.8
s
64ms
64ms
7.8
s
7.8
s
在网络连接霓虹灯技术
3
2002-07-18
HYS 72Vxx3xxGR
PC133 SDRAM注册模块
引脚配置
PIN #符号
1
V
SS
2
DQ0
3
DQ1
4
DQ2
5
DQ3
6
V
DD
7
DQ4
8
DQ5
9
DQ6
10
DQ7
11
DQ8
V
SS
12
13
DQ9
14
DQ10
15
DQ11
16
DQ12
17
DQ13
18
V
DD
19
DQ14
20
DQ15
21
CB0
22
CB1
23
V
SS
24
北卡罗来纳州
25
北卡罗来纳州
26
V
DD
27
WE
28
DQMB0
29
DQMB1
30
CS0
31
DU
32
V
SS
33
A0
34
A2
35
A4
36
A6
37
A8
38
A10 ( AP)
39
BA1
V
DD
40
41
V
DD
42
CLK0
针#
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
V
SS
DU
CS2
DQMB2
DQMB3
DU
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
北卡罗来纳州
DU
北卡罗来纳州
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
北卡罗来纳州
WP
SDA
SCL
V
DD
针#
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
CAS
DQMB4
DQMB5
CS1
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
CLK1
A12
针#
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
V
SS
CKE0
CS3
DQMB6
DQMB7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
北卡罗来纳州
DU
雷杰
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
北卡罗来纳州
SA0
SA1
SA2
V
DD
在网络连接霓虹灯技术
4
2002-07-18
HYS 72Vxx3xxGR
PC133 SDRAM注册模块
RCS0
RDQMB0
DQ0-DQ3
DQM
CS
DQ0-DQ3
D0
DQM
CS
DQ0-DQ3
D1
DQM
DQ0-DQ3
D2
DQ12-DQ15
CS
DQM
DQ0-DQ3
D3
DQM
CS
DQ0-DQ3
D16
RDQMB4
DQ32-DQ35
DQM
CS
DQ0-DQ3
D8
DQM
CS
DQ0-DQ3
D9
DQM
CS
DQ0-DQ3
D10
CS
DQM
DQ0-DQ3
D11
DQM
CS
DQ0-DQ3
D17
DQ4-DQ7
RDQMB1
DQ8-DQ11
DQ36-DQ39
RDQMB5
DQ40-DQ43
DQ44-DQ47
CB0-CB3
RCS2
RDQMB2
DQ16-DQ19
CB4-CB7
RDQMB6
DQM
CS
DQ0-DQ3
D4
CS
DQM
DQ0-DQ3
D5
CS
DQM
DQ0-DQ3
D6
CS
DQM
DQ0-DQ3
D7
PLL
SDRAM的D0 -D17
CLK1 , CLK2 , CLK3
RCS0/RCS2
RDQMB0-7
RBA0 , RBA1
RA0 - RA11 , RA12
RRAS
RCAS
RCKE0
RWE
12 pF的
SDRAM的D0 -D17
SDRAM的D0 -D17
SDRAM的D0 -D17
SDRAM的D0 -D17
SDRAM的D0 -D17
SDRAM的D0 -D17
1)
DQ48-DQ51
DQM
CS
DQ0-DQ3
D12
CS
DQM
DQ0-DQ3
D13
CS
DQM
DQ0-DQ3
D14
CS
DQM
DQ0-DQ3
D15
E
2
舞会
( 256字×8位)
SA0
SA1 SDA
WP
SA2
SCL
DQ20-DQ23
RDQMB3
DQ24-DQ27
DQ52-DQ55
RDQMB7
DQ56-DQ59
DQ28-DQ31
DQ60-DQ63
CLK0
12 pF的
CS0/CS2
DQMB0-7
BA0 , BA1
A0-A11, A12
RAS
CAS
CKE0
WE
雷杰
10 k
注册
SA0
SA1
SA2
SCL
47 k
V
CC
C
V
SS
D0 - D17 ,注册。 , DLL
D0 - D17 ,注册。 , DLL
V
CC
DQ wirding可以不同于描述下
在该图中;然而, DQ / DQB关系
必须保持如图所示
2)
所有的电阻10
除非另有说明
SPB04135
框图:一是银行16M X 72 , 32M X 72 , 64M X 72和128M X 72 SDRAM DIMM模块
HYS72V16300GR , HYS72V32301GR , HYS72V64300GR和HYS72V128320GR
使用X4举办的SDRAM
在网络连接霓虹灯技术
5
2002-07-18
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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