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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第229页 > HYS72V2100GCU-10
3.3V 2M ×64位的SDRAM模块
3.3V 2米x 72位的SDRAM模块
168针无缓冲DIMM模块
HYS64V2100G(C)U-10
HYS72V2100G(C)U-10
168引脚JEDEC标准,无缓冲8字节双列直插式SDRAM模块
用于PC的主存储器的应用
1银行2M ×64 , 2米x 72组织
优化字节写非奇偶校验或ECC应用
完全PC66兼容布局
JEDEC标准同步DRAM ( SDRAM )
性能:
-10
f
CK
t
AC
马克斯。时钟频率
马克斯。从时钟存取时间
66兆赫@ CL = 2
100兆赫@ CL = 3
9 NS @ CL = 2
8纳秒@ CL = 3
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
可编程CAS延迟,突发长度和换行序列
(顺序&交错)
自动刷新( CBR)和自刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入,输出是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
采用8 / 9 2M ×8的SDRAM的TSOPII -44封装
4096刷新周期每64毫秒
金触点垫
卡片尺寸: 133,35mm X 29,21mm X 3,00mm的HYS64 / 72V2100GU
HYS64 / 72V2100GCU在芯片上的电路板技术
卡片尺寸: 133,35mm X 25,40mm X 3,00mm的HYS64 / 72V2100GCU
半导体集团
1
12.97
HYS64(72)V2100G(C)U-10
2米x 64/72 SDRAM -模块
该HYS64 ( 72 ) V21 ) 00G (C )U -10工业标准168针8字节双列直插式内存
模块(DIMM ),该组织为2M ×64和2米x 72高速存储阵列
设计的同步DRAM(SDRAM ),用于非奇偶校验和ECC的应用程序。安装DIMM
使用8 2M ×8的SDRAM为2M ×64的组织和一个额外的SDRAM为2米x 72
组织。去耦电容器被安装在PC板上。
DIMM安装有一个串行存在检测,具有串行执行é
2
使用PROM两个引脚I
2
C
协议。第128个字节是由该DIMM制造利用与第二128字节是
提供给最终用户。
西门子所有168针的DIMM提供高性能,灵活的133,35毫米8字节接口
长的足迹。
订购信息
TYPE
HYS 64V2100GU - 10
HYS 72V2100GU - 10
HYS 64V2100GCU - 10
HYS 72V2100GCU - 10
订购代码
L-DIM-168-27
L-DIM-168-27
L-DIM-168-C1
L-DIM-168-C1
说明
PC66 2M ×64 SDRAM模块
PC66 2米x 72 SDRAM模块
PC66 2M ×64 SDRAM COB模块
PC66 2米x 72 SDRAM COB模块
引脚名称
A0-A10
A11 (BS)的
DQ0 - DQ63
CB0-CB7
RAS
CAS
WE
CKE0
地址输入( RA0 RA10 / CA0 CA8 )
BANK SELECT
数据输入/输出
校验位( X72组织只)
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
CLK0 , CLK1
DQMB0 -
DQMB7
CS0 - CS3
VCC
VSS
SCL
SDA
北卡罗来纳州
时钟输入
数据屏蔽
芯片选择
功率( 3.3伏)
时钟设备检测
串行数据输出的存在
检测
无连接
地址格式:
2M ×64
2米x 72
产品型号
HYS64V2100G(C)U
HYS72V2100G(C)U
11
11
9
9
BANK SELECT
1
1
刷新
4k
4k
64毫秒
64毫秒
间隔
15,6
s
15,6
s
半导体集团
2
HYS64(72)V2100G(C)U-10
2米x 64/72 SDRAM -模块
引脚配置
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
NC ( CB0 )
NC ( CB1 )
VSS
NC
NC
VCC
WE
DQMB0
DQMB1
CS0
DU
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
NC
VCC
VCC
CLK0
针#
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
VSS
DU
CS2
DQMB2
DQMB3
DU
VCC
NC
NC
NC ( CB2 )
NC ( CB3 )
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
DU
NC
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
CLK2
NC
NC
SDA
SCL
VCC
针#
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
NC ( CB4 )
NC ( CB5 )
VSS
NC
NC
VCC
CAS
DQMB4
DQMB5
NC
RAS
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
A11=BS
NC
VCC
CLK1
NC
针#
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
VSS
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
VCC
NC
NC
CB6
CB7
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
DU
NC
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
注: Pinnames括号内为X72 ECC版本
半导体集团
3
HYS64(72)V2100G(C)U-10
2米x 64/72 SDRAM -模块
WE
CS0
DQMB0
DQ0-DQ7
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS WE
DQMB1
DQ8-DQ15
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS WE
DQM
CB0-CB7
CS2
DQMB2
DQ16-DQ23
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS WE
DQMB3
DQ24-DQ31
DQM
DQ0-DQ7
D3
D0 - D7,(D8)
D0 - D7,(D8)
C1-C8,(C9)
VSS
RAS
CAS
CKE0
D0 - D7,(D8)
D0 - D7,(D8)
D0 - D7,(D8)
CLK0
CLK1
CLK2,CLK3
2 SDRAM的
2(3)的SDRAM
2 SDRAM的
2 SDRAM的
10 pF的
CS WE
DQMB4
DQ32-DQ39
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS WE
DQMB5
DQ40-DQ47
DQM
DQ0-DQ7
D5
DQ0-DQ7
D8
CS WE
DQMB6
DQ48-DQ55
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS WE
DQMB7
DQ56-DQ63
DQM
DQ0-DQ7
D7
E
2
PROM ( 256wordx8bit )
SA0
SA1
SA2
SA0
SA1
SA2
A0-A10,BS
VCC
D0 - D7,(D8)
SCL
SDA
注: D8只在X72 ECC版本中使用
框图2米x 64/72 SDRAM DIMM模块
半导体集团
4
HYS64(72)V2100G(C)U-10
2米x 64/72 SDRAM -模块
DC特性
T
A
= 0至70
°C;
V
SS
= 0 V;
V
DD,
V
DDQ
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压(
I
OUT
= - 2.0 mA)的
输出低电压(
I
OUT
= 2.0 mA)的
输入漏电流,任何输入
( 0 V& LT ;
V
IN
< 3.6 V ,其他所有输入= 0 V)
输出漏电流
( DQ被禁用, 0 V& LT ;
V
OUT
& LT ;
V
CC
)
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.3
0.8
0.4
40
40
V
V
V
V
A
A
2.0
– 0.5
2.4
– 40
– 40
单位
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
I
O( L)
电容
T
A
= 0至70
°C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1兆赫
参数
符号
限值
分钟。
(x64)
输入电容
( A0到A10 , BS , RAS , CAS , WE)
输入电容
( CS0 - CS3 )
输入电容
( CLK0 - CLK3 )
输入电容
( DQMB0 - DQMB7 )
输入/输出电容
(DQ0-DQ63,CB0-CB7)
输入电容( SCL , SA0-2 )
输入/输出电容
马克斯。
(x72)
55
25
38
13
12
8
10
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
单位
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
IO
C
sc
C
sd
45
20
22
13
12
8
10
半导体集团
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HYS72V2100GCU-10
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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