2006年11月

HYS64T16000HU–[3.7/5]–A

HYS72T32000HU–[2.5/25F/3/3S/3.7/5]–A

HYS64T32001HU–[2.5/25F/3/3S/3.7/5]–A

HYS[64/72]T64020HU–[2.5/25F/3/3S/3.7]–A

240针无缓冲DDR2 SDRAM模组

DDR2 SDRAM

SDRAM UDIMM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.41

互联网数据表

HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

HYS64T16000HU- [ 3.7 / 5 ] -A ， HYS72T32000HU- [ 2.5 / 25F / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A ， HYS64T32001HU- [ 2.5 / 25F / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A ，

HYS[64/72]T64020HU–[2.5/25F/3/3S/3.7]–A

修订历史： 2006-11 ，牧师1.41

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科目（自上次调整的重大变化）

更新奇梦达

改编网络版

产品组合扩展：增加-2.5F和-3.7产品

第1.1章

增加了对普通自刷新和自刷新速率功能列表功能

第3章

第3章

第4章

第4章

第5章

更新

I

DD

电流

更正注4 - 表18

更新SPD码

SPD代码更新：字节49位0 = 1 （ HighT_SRFEntry ）的所有产品类型

包装纲要更新

上一个版本： 2006-04 ，牧师1.4

上一个版本： 2005-09 ，牧师1.3

上一个版本： 2005-05 ，牧师1.2

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

03062006-0GN5-WTPW

2

互联网数据表

HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1

概观

本章给出了1.8 V 240针无缓冲DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6） ，突发

长度（ 4 & 8 ）和突发类型

自动刷新（ CBR）和自刷新

平均更新周期7.8微秒在

T

例

低于

85 ℃， 85 ℃和95 ℃的3.9微秒

通过EMRS2设置可编程自刷新速率

所有输入和输出SSTL_18兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

2

舞会

UDIMM尺寸（标称）：30毫米高， 133.35毫米

WIDE

基于标准的参考布局生卡“ A” ， “C” ，

“D” ，“E” ， “F”和“G”的

符合RoHS标准的产品

1)

240引脚PC2-6400 ， PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-

用作主要的3200 DDR2 SDRAM内存模块

当安装在诸如移动通信系统存储器

个人计算机。

16M

×

64, 32M

×

64, 32M

×

72, 64M

×

64, 64M

×

72

模块的组织和16M

×

16, 32M

×

8芯片

组织

128 MB ， 256 MB和512 MB模块内置256兆

DDR2 SDRAM的在PG- TFBGA -60和PG- TFBGA -84

chipsize包

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

比DDR2-400快所有速度等级符合

DDR2-400的时序规格

表1

性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL6

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–25F

–2.5

–3

–3S

–3.7

–5

单位

PC2-6400 PC2-6400 PC2-5300 PC2-5300 PC2-4200 PC2-3200 -

5–5–5

6–6–6

4–4–4

5–5–5

4–4–4

3–3–3

f

CK6

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

400

400

266

200

12.5

12.5

45

57.5

400

333

266

200

15

15

45

60

–

333

333

200

12

12

45

57

–

333

266

200

15

15

45

60

–

266

266

200

15

15

45

60

–

200

200

200

15

15

40

55

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.41 ， 2006-11

03062006-0GN5-WTPW

3

互联网数据表

HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

存储器阵列的设计与256兆双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩

电容器被安装在PCB板。安装DIMM

功能串行存在检测基于串行é

2

舞会

使用2针I设备

2

C协议。前128个字节是

编程的配置数据和被写保护;

第二个128字节是提供给客户。

奇梦达HYS [ 64/72 ] T [ 16/32/64 ] 0xxHU- [2.5 /../ 5 ] -A

模块系列是无缓冲DIMM模块“ UDIMM的”与

基于DDR2技术30,0 mm的高度。 DIMM是

可作为在16M非ECC模块

×

64 （ 128MB ） ，

32M

×

64 （ 256MB ） ， 64M

×

64 （ 512MB ），并作为ECC模块

在32M

×

72 （ 256MB ） ， 64M

×

72 （ 512MB ）的组织和

密度，用于安装到240针连接器

插槽。

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

1)

PC2–6400

HYS64T32001HU–2.5–A

HYS64T64020HU–2.5–A

HYS72T32000HU–2.5–A

HYS72T64020HU–2.5–A

HYS64T32001HU–25F–A

HYS64T64020HU–25F–A

HYS72T32000HU–25F–A

HYS72T64020HU–25F–A

PC2–5300

HYS64T32001HU–3–A

HYS64T64020HU–3–A

HYS72T32000HU–3–A

HYS72T64020HU–3–A

HYS64T32001HU–3S–A

HYS64T64020HU–3S–A

HYS72T32000HU–3S–A

HYS72T64020HU–3S–A

PC2–4200

HYS64T16000HU–3.7–A

HYS64T32001HU–3.7–A

HYS72T32000HU–3.7–A

HYS64T64020HU–3.7–A

128MB 1Rx16 PC2-4200U - 444-11 -C1

256MB 1Rx8 PC2-4200U - 444-11 -A1

256MB 1Rx8 PC2-4200E - 444-11 -A1

512MB 2Rx8 PC2-4200U - 444-12 -E1

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

256兆位（ X16 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256MB 1Rx8 PC2-5300U - 444-12 -D0

512MB 2Rx8 PC2-5300U - 444-12 - E0

256MB 1Rx8 PC2-5300E - 444-12 -F0

512MB 2Rx8 PC2-5300E - 444-12 - G0

256MB 1Rx8 PC2-5300U - 555-12 -D0

512MB 2Rx8 PC2-5300U - 555-12 - E0

256MB 1Rx8 PC2-5300E - 555-12 -F0

512MB 2Rx8 PC2-5300E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

2级，非ECC

1等级， ECC

2级， ECC

1等级，非ECC

2级，非ECC

1等级， ECC

2级， ECC

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256MB 1Rx8 PC2-6400U - 666-12 -D0

512MB 2Rx8 PC2-6400U - 666-12 - E0

256MB 1Rx8 PC2-6400E - 666-12 -F0

512MB 2Rx8 PC2-6400E - 666-12 - G0

256MB 1Rx8 PC2-6400U - 555-12 -D0

512MB 2Rx8 PC2-6400U - 555-12 - E0

256MB 1Rx8 PC2-6400E - 555-12 -F0

512MB 2Rx8 PC2-6400E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

2级，非ECC

1等级， ECC

2级， ECC

1等级，非ECC

2级，非ECC

1等级， ECC

2级， ECC

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

合规守则

2)

描述

SDRAM技术

牧师1.41 ， 2006-11

03062006-0GN5-WTPW

4

互联网数据表

HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

产品类型

1)

PC2–3200

HYS64T16000HU–5–A

HYS64T32001HU–5–A

HYS72T32000HU–5–A

合规守则

2)

128MB 1Rx16 PC2-3200U - 333-11 -C1

256MB 1Rx8 PC2-3200U - 333-11 -A1

256MB 1Rx8 PC2-3200E - 333-11 -A1

描述

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

SDRAM技术

256兆位（ X16 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

1 ）所有产品类型结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T16000HU - 3.7 -A ，表示修订版“A”死亡

用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

第6章

本数据手册。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200U - 444-11 - C1 ”，其中

4200U是指无缓冲DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-11 ”，是指列地址选通（ CAS ）

延时= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD修订版1.1和

生产的原卡“ C” 。

表3

地址格式

DIMM

密度

128兆字节

256兆字节

512兆字节

模块

组织

16M

×

64

32M

×

64

32M

×

72

64M

×

64

64M

×

72

内存

秩

1

1

1

2

2

ECC /

非ECC

非ECC

非ECC

ECC

非ECC

ECC

＃的＃的SDRAM行/行/列

位

4

8

9

16

18

13/2/9

13/2/10

13/2/10

13/2/10

13/2/10

生

卡

C

A，D

A，F

E

G

表4

在模块组件

产品类型

1)

HYS64T16000HU

HYS64T32001HU

HYS64T64020HU

HYS72T32000HU

HYS72T64020HU

DRAM组件

1)

HYB18T256160AF

HYB18T256800AF

HYB18T256800AF

HYB18T256800AF

HYB18T256800AF

DRAM密度

256兆

256兆

256兆

256兆

256兆

DRAM组织

16M

×

16

32M

×

8

32M

×

8

32M

×

8

32M

×

8

记

2)

1 ）绿色产品

2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。

牧师1.41 ， 2006-11

03062006-0GN5-WTPW

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