DA TA嘘E等，V 0。 2 2 ，铁B 。 2 00 4
YS72牛逼320 00 GR
（ 2 56男B Y形T E ）
YS72牛逼640 01 GR
（ 5月12日M B T E ）
YS72牛逼640 20 GR
（ 5月12日M B T E ）
DDR 2注册istered IMM冒顿莱
M EM或y P OD UC吨s
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
HYS72T32000GR ， HYS72T64001GR
HYS72T64020GR
初步数据表版本0.22 （ 2.04 ）
低调的240针注册DDR2 SDRAM模块数据表
256兆字节& 512兆字节模块
PC2-3200R / -4200R / -5300R
240针注册8字节的ECC双列直插式
DDR2 SDRAM模组的PC ，工作站
和服务器主内存的应用
一个等级32Mb的X 72 ， 64兆X 72和
两列64兆
×
72组织
JEDEC标准的双倍数据速率2
同步DRAM （ DDR2 SDRAM芯片）与
+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
内置有256 MB的DDR2 SDRAM模块
60球FBGA封装chipsize
可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4 & 5 ）
突发长度（ 4 & 8 ）和突发类型。
自动刷新和自刷新
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
性能：
速度等级指标
组件速度等级的模块
模块速度等级
最大。时钟频率@ CL = 3
马克斯。时钟频率@ CL = 4 & 5
-5
DDR2-400
PC2-3200
200
200
-3.7
DDR2-533
PC2-4200
200
266
-3
DDR2-667
PC2-5300
200
333
兆赫
兆赫
单位
重新驱动器使用寄存器中的所有输入信号
和PLL器件。
OCD （片外驱动器阻抗
调整）和ODT （片上终端）
串行存在检测为E
2
舞会
薄型模块的外形尺寸：
133.35毫米X 30.00毫米（ MO- 237 ）
基于JEDEC标准参考卡
设计原卡“ A” ， “B”和“C” 。
1.0说明
英飞凌HYS72T32000GR ， HYS72T64020GR和HYS72T64001是低调
注册的DIMM模块，基于DDR2技术的30,00毫米的高度。 DIMM是可用
在32M X 72 （ 256兆字节） ， 2× 32M X 72 （ 512兆字节）和64M X 72 （ 512兆字节）的组织和
密度，用于安装到240针连接器插座。
存储器阵列被设计用的256Mbit双倍数据速率（ DDR2 ）同步DRAM中为
ECC的应用程序。使用寄存器的设备的所有控制和地址信号被重新驱动DIMM上的
和PLL的时钟分配。这降低了电容性负载的系统总线，但增加了一个
循环到SDRAM定时。去耦电容器被安装在PCB板，其提供
以上的操作，数字的整个频率范围内一个适当的电压源阻抗和
值是一致的，以JEDEC规范。该功能部件的DIMM串行存在检测依据
在串行é
2
使用2针我PROM设备
2
C协议。前128字节被编程
配置数据和128字节是提供给客户。
在网络连接霓虹灯技术
Rainer.Weidlich@Infineon.com
2
2.04
HYS72Txx0xxGR
注册DDR2 SDRAM模块
1.1订购信息
键入&部分号码
PC2-3200
（ DDR2-400 ） ：
HYS72T32000GR-5-A
HYS72T64020GR-5-A
HYS72T64001GR-5-A
PC2-4200
（ DDR2-533 ） ：
HYS72T32000GR-3.7-A
HYS72T64020GR-3.7-A
HYS72T64001GR-3.7-A
PC2-5300
（ DDR2-667 ） ：
HYS72T32000GR-3-A
HYS72T64020GR-3-A
HYS72T64001GR-3-A
PC2-5300R-44410-A
PC2-5300R-44410-B
PC2-5300R-44410-C
一个等级256 MB注册。 DIMM
两个职级512 MB注册。 DIMM
1居512 MB Reg.DIMM
256兆比特（ X8 ）
256兆比特（ X8 ）
256兆位（4个）
PC2-4200R-44410-A
PC2-4200R-44410-B
PC2-4200R-44410-C
一个等级256 MB注册。 DIMM
两个职级512 MB注册。 DIMM
1居512 MB Reg.DIMM
256兆比特（ X8 ）
256兆比特（ X8 ）
256兆位（4个）
PC2-3200R-33310-A
PC2-3200R-33310-B
PC2-3200R-33310-C
一个等级256 MB注册。 DIMM
两个职级512 MB注册。 DIMM
1居512 MB Reg.DIMM
256兆比特（ X8 ）
256兆比特（ X8 ）
256兆位（4个）
合规守则
描述
SDRAM
技术
注意事项：
1.所有部件号结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS 72T32000GR - 5 -A ，这说明
版本A的模具被用于DDR2 SDRAM元件。所有英飞凌DDR2模块和组件的命名看
该数据表的第8条。
2.遵守守则印在模块标签上，并描述了速度等级，铁“ PC2-4200R - 44410 -C ”，其中
4200R是指注册DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 44410 ”是指CAS延迟= 4 ， tRCD的
延迟= 4和TRP延时= 4采用了最新的JEDEC SPD版本1.0和生产上的原始卡“ C” 。
1.2地址格式
产品型号
HYS72T32000GR
HYS72T64020GR
HYS72T64001GR-
DIMM
密度
256 MB
512 MB
512 MB
组织
32Mb
×
72
2× 32Mb的
×
72
64MB X 72
内存
秩
1
2
1
DDR2-
SDRAM的
(256Mb)
32Mb
×
8
(256Mb)
32Mb
×
8
(256Mb)
64Mb
×
4
排名第
＃行/银行/
SDRAM的
列位
9
18
18
13/2/10
13/2/10
13/2/11
在网络连接霓虹灯技术
3
2.04
HYS72Txx0xxGR
注册DDR2 SDRAM模块
1.3组件的模块和RawCard
DIMM
密度
256 MB
512 MB
512 MB
DRAM组件
参考表
HYB18T256800AC
HYB18T256800AC
HYB18T256400AC
PLL
1:10 ， 1.8V ， CU877
1:10 ， 1.8V ， CU877
1:10 ， 1.8V ， CU877
注册
1 ：1的25位1.8V SSTU32864
1：2的14位1.8V SSTU32864
1：2的14位1.8V SSTU32864
RAW卡
A
B
C
用于DRAM组件的所有功能性的这些模块的详细描述请参见所引用的组件
数据表
1.4引脚定义和功能
引脚名称
A[12:0]
A11, A[9:0]
A10/AP
BA [ 1：0]
CK0
CK0
RAS
CAS
WE
CS [1：0 ]
CKE [1 ：0]的
ODT [1：0 ]
DQ [63： 0]
描述
行地址输入
列地址输入
4)
列地址的输入自动 -
预充电
SDRAM银行选择
时钟输入
（正线差分对）
引脚名称
CB [7：0 ]
DQS [ 8：0]
DM [8：0 ] /
DQS [17： 9]
DQS [17 ：0]
SCL
SDA
SA [ 2 ：0]的
V
DD
V
REF
V
SS
V
DDSPD
1) 3)
描述
DIMM的ECC检查位
SDRAM的低数据选通信号
SDRAM的低数据掩码/
高数据选通信号
SDRAM差分数据选通信号
串行总线时钟
串行总线的数据线
从地址选择
电源（ + 1.8 V ）
I / O基准源
地
EEPROM的电源
寄存器和PLL控制引脚
2)
无连接
时钟输入
（负极线差分对）
行地址选通
列地址选通
读/写输入
芯片选择
3)
时钟使能
3)
有源终端控制线
数据输入/输出
RESET
NC
1 ）活动结束仅适用于DQ ， DQS ， DQS和DM信号
2）当低时，所有的寄存器的输出被驱动为低电平且PLL时钟到DRAM和寄存器将被设置为低电平（在
锁相环将保持与输入时钟同步
3 ） CS1 ， ODT1和CKE1上唯一的双列模块使用
4 ）列地址A11采用基于X4模块组织只有256Mb的DDR2组件。
在网络连接霓虹灯技术
4
2.04
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