2007年1月
HYS72T64000HR–[3S/3.7/5]–B
HYS72T1280x0HR–[3S/3.7/5]–B
HYS72T256220HR–[3S/3.7/5]–B
240引脚注册DDR2 SDRAM模组
SDRAM RDIMM
DDR2 SDRAM
符合RoHS
互联网数据表
修订版1.2
互联网数据表
HYS72T[64/128/256]xxxHR–[3S/3.7/5]–B
240引脚注册DDR2 SDRAM
HYS72T64000HR- [ 3S / 3.7 / 5 ] -B ， HYS72T1280x0HR- [ 3S / 3.7 / 5 ] -B ， HYS72T256220HR- [ 3S / 3.7 / 5 ] -B
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加入产品类型HYS72T64000HR - 3S -B ， HYS72T128000HR - 3S -B ， HYS72T128020HR - 3S -B和
HYS72T256220HR-3S-B
更新奇梦达
对于DDR800去除产品类型， DRR667这些都是在一个单独的数据表中找到
除去DDR800 ， DDR667生牌数字
除去DDR800 ， DDR667表
除去DDR800 ， DDR667包装纲要
上一个版本： 2006-09 ，牧师1.11
所有
5
8
23,25,35,
36
45
上一个版本： 2006-03 ，牧师1.1
上一个版本： 2005-07 ，牧师1.0
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HYS72T[64/128/256]xxxHR–[3S/3.7/5]–B
240引脚注册DDR2 SDRAM
1
概观
本章给出了1.8 V 240引脚注册DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
通过EMRS2设置可编程的自刷新率
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
通过EMRS2设置DCC使
所有输入和输出SSTL_18兼容
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
串行存在检测为E
2
舞会
RDIMM尺寸（标称）：30毫米高， 133.35毫米
WIDE
基于标准的参考卡的布局原卡“ A” ，
的“B” ，“C” ，“J”
所有速度等级的速度比DDR2-400符合
DDR2-400时序规范。
符合RoHS标准的产品
1)
240引脚PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-3200 DDR2
适用于PC ，工作站和服务器SDRAM内存模块
主存储器应用
一个等级64M
×
72, 128M
×
72和两个行列
128M
×
72 ， 256M X 72模块的组织和512M
×8,
512M
×
4芯片的组织
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
内置有512兆的DDR2 SDRAM在P- TFBGA - 60
chipsize包。
可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4和5 ） ，突发长度
（ 4 & 8 ）和突发类型
自动刷新（ CBR）和自刷新
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–3S
PC2-5300 5-5-5
–3.7
–5
单位
PC2-4200 PC2-3200 4-4-4 3-3-3 -
266
266
200
15
15
45
60
200
200
200
15
15
40
55
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
333
266
200
15
15
45
60
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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240引脚注册DDR2 SDRAM
1.2
描述
电容性负载到系统总线，但增加了一个周期来
SDRAM的时序。去耦电容安装在
PCB板。该功能的DIMM串行存在检测
基于串行
2
使用2针我PROM设备
2
C
协议。前128字节被编程
配置数据和第二128字节可用来
客户。
奇梦达HYS72T [ 64/128/256 ] xxxHR- [ 3S / 3.7 / 5 ] -B
模块系列是注册的DIMM模块， 30毫米
身高基于DDR2技术。 DIMM是作为
ECC模块64M
×
72 （ 512 MB ） ， 128M
×
72 （ 1GB ） ，
256M
×
72 （ 2GB）的组织和密度，适用于
安装到240针连接器插座。
存储器阵列的设计与512兆位双数据 -
速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。所有的控制和
DIMM使用寄存器上的地址信号被重新驱动
设备和PLL的时钟分配。这将减少
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–5300
HYS72T64000HR–3S–B
HYS72T128000HR–3S–B
HYS72T128020HR–3S–B
HYS72T256220HR–3S–B
PC2–4200
HYS72T64000HR–3.7–B
HYS72T128000HR–3.7–B
HYS72T128020HR–3.7–B
HYS72T256220HR–3.7–B
PC2–3200
HYS72T64000HR–5–B
HYS72T128000HR–5–B
HYS72T128020HR–5–B
HYS72T256220HR–5–B
512 MB 1Rx8 PC2-3200R - 333-12 -A0
1 GB 1Rx4 PC2-3200R - 333-12 -C0
1 GB 2Rx8 PC2-3200R - 333-12 -B0
2 GB 2Rx4 PC2-3200R - 333-12 -J1
1 ECC排名
1 ECC排名
2级， ECC
2级， ECC
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512 MB 1Rx8 PC2-4200R - 444-12 -A0
1 GB 1Rx4 PC2-4200R - 444-12 -C0
1 GB 2Rx8 PC2-4200R - 444-12 -B0
2 GB 2Rx4 PC2-4200R - 444-12 -J1
1 ECC排名
1 ECC排名
2级， ECC
2级， ECC
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512 MB 1Rx8 PC2-5300R - 555-12 -A0
1 GB 1Rx4 PC2-5300R - 555-12 -C0
1 GB 2Rx8 PC2-5300R - 555-12 -B0
2 GB 2Rx4 PC2-5300R - 555-12 -J1
1 ECC排名
1 ECC排名
2级， ECC
2级， ECC
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
合规守则
2)
描述
SDRAM技术
1 ）所有产品类型数字结尾的地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS72T64000HR - 3.7 -B ，表示修订版
“B”的模具被用于DDR2 SDRAM组件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
第6章
这
数据表。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200R - 444-12 -A0 ”，其中
4200R是指注册DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-12 ”，是指列地址选通（ CAS ）
延时= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD版本1.2和
生产的原卡“ A” 。
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HYS72T[64/128/256]xxxHR–[3S/3.7/5]–B
240引脚注册DDR2 SDRAM
表3
地址格式
DIMM
密度
512 MB
1 GB
1 GB
2 GB
模块
组织
64M
×72
128M
×72
128M
×72
256M
×72
内存
秩
1
1
2
2
ECC /
非ECC
ECC
ECC
ECC
ECC
＃的＃的SDRAM行/行/列
位
9
18
18
36
14/2/10
14/2/11
14/2/10
14/2/11
生
卡
A
C
B
J
表4
在模块组件
产品类型
1)
HYS72T64000HR
HYS72T128000HR
HYS72T128020HR
HYS72T256220HR
DRAM组件
1)
HYB18T512800BF
HYB18T512400BF
HYB18T512800BF
HYB18T512400BF
DRAM密度
512兆位
512兆位
512兆位
512兆位
DRAM机构注
2)
512M
×8
512M
×4
512M
×8
512M
×4
—
—
—
—
1 ）绿色产品
2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
修订版1.2 ， 2007-01
03292006-JXZQ-CG6T
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