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HYS72T512020HR–[3.7/5]–A
注册DDR2 SDRAM模组
HYS72T512020HR–[3.7/5]–A
修订历史： 2006-09 ，牧师1.11
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27,31
36
26, 27
26, 27
科目（自上次调整的重大变化）
更新奇梦达
改编网络版
SPD更新
封装外形图更新
纠正IDD电流
IDD6 （ L）从IDD规格表中删除
上一个版本： 2005-05 ，牧师1.0
上一页修订： 2005年02期，第0.5
上一页修订： 2005年02期，第0.5
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2
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HYS72T512020HR–[3.7/5]–A
注册DDR2 SDRAM模组
1
1.1
概观
特点
可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4 & 5 ） ，突发长度（ 4
& 8 ）和突发类型
自动刷新（ CBR）和自刷新
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
串行存在检测为E
2
舞会
RDIMM尺寸（标称） ： 50.00毫米高133.35
宽
奇梦达专用原始卡布局
符合RoHS标准的产品
1)
本章包含的功能和说明
240针PC2-4200和PC2-3200 DDR2 SDRAM内存
模块的PC ，工作站和服务器主内存
应用
两个职级512M X 72模块的组织与256M
×4
组织芯片
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
内置有1千兆位的DDR2 SDRAM在P- TFBGA - 68 chipsize
包。
表1
为DDR2-533和DDR2-400的性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–3.7
PC2-4200 4-4-4
–5
PC2-3200 3-3-3
200
200
200
15
15
40
55
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
266
266
200
15
15
45
60
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
牧师1.11 ， 2006-09
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3
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注册DDR2 SDRAM模组
1.2
描述
通过寄存器设备和锁相环（PLL）为驱动的DIMM
时钟分配。这降低了电容性负载的
系统总线，但增加了一个周期的SDRAM的定时。
去耦电容安装在PCB板上。该
配备的DIMM串行存在检测基于串行
E
2
采用2引脚I2C协议PROM设备。第一
128字节被编程的配置数据和
128字节是提供给客户。
奇梦达HYS72T512020HR- [ 3.7 / 5 ] -A模块系列
被注册的DIMM模块“的RDIMM ”与50,0毫米
身高基于DDR2技术。
DIMM是作为ECC模块， 512M X 72
（ 4 GB的）组织和密度，用于安装
到240针连接器sockets.The存储器阵列
设计与1-Gb双数据速率 - 双（DDR2）
同步DRAM 。所有的控制和地址信号为重
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–4200
HYS72T512020HR–3.7–A
PC2-3200
HYS72T512020HR–5–A
4 GB 2R × 4 PC2-3200R - 333-11 -ZZ
2级， ECC
1千兆位（ ×4）的
1 ）所有的部件号结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS72T512020HR - 5 -A ，表示修订版“A”死亡
用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
第6章
本数据手册。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200R - 444-11 -ZZ ”，其中
4200R是指注册DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-11 ”，是指列地址选通（ CAS ）延迟
= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD 1.1版并制作
对原卡“ ZZ”
合规守则
2)
4 GB 2R × 4 PC2-4200R - 444-11 -ZZ
描述
2级， ECC
SDRAM技术
1千兆位（ ×4）的
表3
地址格式
DIMM
密度
4 GB
模块
组织
512M
×
72
内存
秩
2
ECC /
非ECC
ECC
排名第
SDRAM的
36
＃行/行/列的位
14/3/11
RAW卡
ZZ
表4
在模块组件
产品类型
1)
HYS72T512020HR
DRAM组件
1)
HYB18T1G400AF
DRAM密度
1千兆
DRAM组织
256M
×
4
记
2)
1 ）绿色产品
2）对这些模块的DRAM组件的所有可用功能的详细说明，请参阅该组件的数据表。
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2.1
引脚配置
引脚配置
和
表7
分别。管脚号在描绘
图1 。
注册DDR2 SDRAM DIMM的引脚配置
在被列出的功能
表5
（ 240针） 。缩写
列引脚和缓冲器类型用于解释
表6
表5
RDIMM的引脚配置
球NO 。
时钟信号
185
186
52
171
CK0
CK0
CKE0
CKE1
NC
控制信号的
193
76
S0
S1
NC
192
74
73
18
地址信号
71
190
54
BA0
BA1
BA2
NC
I
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
银行地址总线2
没有连接
银行地址总线1 ： 0
RAS
CAS
WE
RESET
I
I
NC
I
I
I
I
SSTL
SSTL
—
SSTL
SSTL
SSTL
CMOS
寄存器复位
片选等级1 ： 0
注： 2 -行列模块
没有连接
注： 1级模块
行地址选通（RAS） ，列地址选通（CAS） ，写
使能（ WE）
I
I
I
I
NC
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
—
时钟使能1 ： 0
注： 2 -行列模块
没有连接
注： 1级模块
时钟信号CK0 ，互补时钟信号CK0
名字
针
TYPE
卜FF器
TYPE
功能
牧师1.11 ， 2006-09
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