2006年11月
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HYS72T64400HFD–[3S/3.7]–A
HYS72T128420HFD–[3S/3.7]–A
HYS72T256420HFD–[3S/3.7]–A
240针全缓冲DDR2 SDRAM模组
DDR2 SDRAM
符合RoHS标准的产品
互联网数据表
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HYS72T[64/128/256]4[00/20]HFD–[3S/3.7]–A
1
1.1
概观
特点
检测通道上的错误，并报告给主机
存储器控制器。
自动DDR2 DRAM总线校准。
自动通道校准。
在DDR2的DRAM的完整主机控制。
过温检测和报警。
热添加式和热移除能力。
MBIST和IBIST测试功能。
透明模式的DRAM测试支持。
低调： 133.35毫米
×
30.35 mm
240引脚镀金卡连接器1.00毫米接触
中心（ JEDEC标准待定） 。
基于JEDEC标准参考卡设计（JEDEC
标准待定） 。
SPD （串行存在检测） ，256字节串行
E
2
PROM.Performance ：
符合RoHS标准的产品
1)
本章介绍了240针全缓冲DDR2 SDRAM模组系列产品的主要特点。
240针全缓冲ECC双列直插式
DDR2 SDRAM模组的PC ，工作站和服务器
主存储器应用。
模块组织一个等级64M
×72,
一个等级128M
×72,
两行列128M
×72,
两列256M
×72
JEDEC标准的双倍数据速率2
同步DRAM （ DDR2 SDRAM芯片）与1.8 V
（ ±0.1 V ）供电。
内置了512MB的DDR2 SDRAM的60球FBGA
chipsize包。
重新驱动和全地址，命令，时钟重新同步和
使用AMB （高级内存缓冲器）的数据信号。
高速差分点至点链接的接口
1.5 V（ JEDEC标准待定） 。
主机接口和AMB组件行业标准
兼容的。
支持SMBus协议接口，用于访问AMB
CON组fi guration寄存器。
表1
为DDR2-667和DDR2-533的性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–3S
PC2-5300 5-5-5
–3.7
PC2-4200 4-4-4
266
266
200
15
15
45
60
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
333
266
200
15
15
45
60
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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1.2
描述
使用工业标准的高系统板的DIMM
高速差分点至点连接接口为1.5 V.
高级内存缓冲器还可以缓冲
存储流量，支持大内存容量。所有
用于DRAM存储器控制驻留在主机中，其中包括
内存请求启动，计时，刷新，擦洗，备用，
配置访问和电源管理。该
高级内存缓冲器接口负责处理
信道和存储请求，并从本地的DIMM
以及将请求转发到其他的DIMM的内存
通道。全缓冲DIMM提供了高内存
带宽，大容量信道解决方案，它具有窄的
主机接口。最大内存容量为DDR2 288
每个通道或8个DIMM SDRAM器件。
本文档介绍了电气和机械
一个240引脚的功能， PC2-4200F ， PC2-5300F的ECC类型，
全缓冲双数据速率两个同步DRAM
双列直插式内存模块（ DDR2 SDRAM的FB-DIMM ） 。
全缓冲DIMM使用商品的DRAM从隔离
DIMM上的缓冲区后面的内存通道。他们是
当安装在系统打算用作主存储器
如服务器和工作站。 PC2-4200 ， PC2-5300
指指示DDR2 DIMM的命名约定
运行在266 ， 333 MHz的时钟速度和SDRAM的产品
4200 ， 5300 MB / s的峰值带宽。 FB- DIMM具有新颖
建筑，包括高级内存缓冲器。这
单芯片组件，位于每个DIMM的中心，
充当中继器和缓冲器的所有信号和命令
这是在主机控制器和之间交换
DDR2 SDRAM芯片包括数据输入和输出。安博
与主控制器和/或相邻的连通
表2
订购信息（无铅部件及组装）
产品类型
1)
PC2-4200F （ DDR2-533 ） ：
HYS72T64400HFD–3.7–A
HYS72T128420HFD–3.7–A
HYS72T256420HFD–3.7–A
PC2-5300F （ DDR2-667 ） ：
HYS72T64400HFD–3S–A
HYS72T128420HFD–3S–A
HYS72T256420HFD–3S–A
512MB 1R × 8 PC2-4200F - 444-11 -A
PC2–4200F–444–11–B
2GB 2R × 4 PC2-4200F - 444-11 -H
1等级， FB -DIMM
2级， FB- DIMM
2级， FB- DIMM
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512MB 1R × 8 PC2-4200F - 444-11 -A
1GB 2R × 8 PC2-4200F - 444-11 -B
2GB 2R × 4 PC2-4200F - 444-11 -H
1等级， FB -DIMM
2级， FB- DIMM
2级， FB- DIMM
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
合规守则
2)
描述
SDRAM技术
1 ）所有产品类型结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS 72T64000HFA - 3.7 -A ，表示A版骰子
用于DDR2 SDRAM元件。要了解更多有关奇梦达DDR2模块和组件的命名见本节8
数据表。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200F - 444-11 -A ”，其中4200F手段
全缓冲DIMM与4.26 GB /秒。模块的带宽和“ 444-11 ”，是指CAS延迟= 4 ，T
RCD
延迟= 4和T
rp
延时= 4使用
JEDEC SPD 1.1版和组装在原卡“ A” 。
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表3
地址格式
DIMM
密度
512 MB
1 GB
2 GB
模块
组织
64M
×72
128M
×72
256M
×72
内存
秩
1
2
2
ECC /
非ECC
ECC
ECC
ECC
排名第
SDRAM的
9
18
36
＃行/行/列的位
13/2/10
13/2/10
13/2/11
生
卡
A
B
H
表4
在模块组件
产品类型
HYS72T64000HF
HYS72T128020HF
HYS72T256020HF
DRAM组件
1)
HYB18T512800AF
HYB18T512800AF
HYB18T512400AF
DRAM密度
512兆位
512兆位
512兆位
DRAM组织
64M
×8
64M
×8
128M
×4
记
2)
1 ）绿色产品
2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
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