2006年11月

HYS72T64000HR–[3/…/5]–A

HYS72T1280x0HR–[3/…/5]–A

HYS72T256xx0HR–[3/…/5]–A

240引脚注册DDR2 SDRAM模组

DDR2 SDRAM

SDRAM RDIMM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.31

互联网数据表

HYS72T[64/128/256]xx0HR–[3/3S/3.7/5]–A

注册DDR2 SDRAM模组

HYS72T64000HR- [ 3 / ... / 5 ] -A ， HYS72T1280x0HR- [ 3 / ... / 5 ] -A ， HYS72T256xx0HR- [ 3 / ... / 5 ] -A

修订历史： 2006-11 ，牧师1.31

页面

所有

所有

4

32,33

36, 41, 45

53

科目（自上次调整的重大变化）

更新奇梦达

改编网络版

加入产品类型HYS72T256040HR- [ 3S / 3.7 ] -A

额外

I

DD

对于HYS72T256040HR- [ 3S / 3.7 ] -A值

加入社民党代码HYS72T256040HR- [ 3S / 3.7 ] -A

对于HYS72T256040HR- [ 3S / 3.7 ]增加了封装外形-A

上一个版本： 2006-03 ，牧师1.3

上一个版本： 2005-08 ，牧师1.2

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

03292006-21GC-MK06

2

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HYS72T[64/128/256]xx0HR–[3/3S/3.7/5]–A

注册DDR2 SDRAM模组

1

概观

本章介绍了240针注册DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4 & 5 ） ，突发长度

（ 4 & 8 ）和突发类型

自动刷新（ CBR）和自刷新

所有输入和输出SSTL_18兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

2

舞会

RDIMM尺寸（标称）：30毫米高， 133.35毫米

WIDE

基于标准的参考布局生卡“ F” ， “G” ，

为“H” ， “J”和“N”的

符合RoHS标准的产品

1)

240引脚PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-3200 DDR2

适用于PC ，工作站和服务器SDRAM内存模块

主存储器应用

一个等级64M

×

72, 128M

×

72 ，两个队伍128M

×

72,

256M

×

72 ，和四个等级256M

×

72模块组织

和64M

×

4, 64M

×

8, 128M

×

4芯片的组织

512兆字节， 1 GB和2 GB的内置模块有512-

兆位的DDR2 SDRAM在P- TFBGA - 60 chipsize包。

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

比DDR2-400更快的所有速度等级符合

DDR2-400时序规范。

表1

性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–3

PC2–5300

4–4–4

–3S

PC2–5300

5–5–5

333

266

200

15

15

45

60

–3.7

PC2–4200

4–4–4

266

266

200

15

15

45

60

–5

PC2–3200

3–3–3

200

200

200

15

15

40

55

单位

—

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

333

333

200

12

12

45

57

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.31 ， 2006-11

03292006-21GC-MK06

3

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HYS72T[64/128/256]xx0HR–[3/3S/3.7/5]–A

注册DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

电容性负载到系统总线，但增加了一个周期来

SDRAM的时序。去耦电容安装在

PCB板。该功能的DIMM串行存在检测

基于串行

2

使用2针我PROM设备

2

C

协议。前128字节被编程

配置数据和第二128字节可用来

客户。

奇梦达HYS72T [ 64/128/256 ] xx0HR- [ 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A

模块系列是注册的DIMM模块“的RDIMM ”与

基于DDR2技术3000毫米的高度。 DIMM是

作为ECC模块64M X 72 （ 512兆字节） ，

128M X 72 （ 1G字节）和256M X 72 （ 2 GB的）组织

和密度，用于安装到240针连接器

插槽。

存储器阵列的设计与512兆位双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。所有的控制和

DIMM使用寄存器上的地址信号被重新驱动

设备和PLL的时钟分配。这将减少

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

1)

PC2-5300

HYS72T64000HR–3–A

HYS72T128000HR–3–A

HYS72T128020HR–3–A

HYS72T256220HR–3–A

HYS72T64000HR–3S–A

HYS72T128000HR–3S–A

HYS72T128020HR–3S–A

HYS72T256220HR–3S–A

HYS72T256040HR–3S–A

PC2–4200

HYS72T64000HR–3.7–A

HYS72T128000HR–3.7–A

HYS72T128020HR–3.7–A

HYS72T256220HR–3.7–A

HYS72T256040HR–3.7–A

PC2-3200

HYS72T64000HR–5–A

HYS72T128000HR–5–A

HYS72T128020HR–5–A

HYS72T256220HR–5–A

512 MB 1R × 8 PC2-3200R - 333-12 -F0

1 GB 1R × 4 PC2-3200R - 333-12 -H0

1 GB 2R × 8 PC2-3200R - 333-12 - G0

2 GB 2R × 4 PC2-3200R - 333-12 -J1

1等级， ECC

1等级， ECC

2级， ECC

2级， ECC

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512 MB 1R × 8 PC2-4200R - 444-12 -F0

1 GB 1R × 4 PC2-4200R - 444-12 -H0

1 GB 2R × 8 PC2-4200R - 444-12 - G0

2 GB 2R × 4 PC2-4200R - 444-12 -J1

2 GB 4R × 8 PC2-4200R - 444-12 - N0

1等级， ECC

1等级， ECC

2级， ECC

2级， ECC

4行列， ECC

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512 MB 1R × 8 PC2-5300R - 444-12 -F0

1 GB 1R × 4 PC2-5300R - 444-12 -H0

1 GB 2R × 8 PC2-5300R - 444-12 - G0

2 GB 2R × 4 PC2-5300R - 444-12 -J1

512 MB 1R × 8 PC2-5300R - 555-12 -F0

1 GB 1R × 4 PC2-5300R - 555-12 -H0

1 GB 2R × 8 PC2-5300R - 555-12 - G0

2 GB 2R × 4 PC2-5300R - 555-12 -J1

2 GB 4R × 4 PC2-5300R - 555-12 - N0

1等级， ECC

1等级， ECC

2级， ECC

2级， ECC

1等级， ECC

1等级， ECC

2级， ECC

2级， ECC

4行列， ECC

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

合规守则

2)

描述

SDRAM技术

1 ）产品型号结尾的数字与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS72T64000HR - 3.7 -A ，表示修订版“A”

模具被用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

表6

此数据的

表。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200R - 444-12 - F0 ”，其中

4200R是指注册DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-11 ”，是指列地址选通（ CAS ）延迟

= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD 1.2版并制作

对原卡“ F”

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注册DDR2 SDRAM模组

表3

地址格式

DIMM

密度

512 MB

1 GB

1 GB

2 GB

2 GB

模块

组织

64M

×

72

128M

×

72

128M

×

72

256M

×

72

256M

×

72

内存

秩

1

1

2

2

4

ECC /

非ECC

ECC

ECC

ECC

ECC

ECC

排名第

SDRAM的

9

18

18

36

36

＃行/行/列的位

14/2/10

14/2/11

14/2/10

14/2/11

14/2/10

RAW卡

F

G

H

J

N

表4

在模块组件

产品类型

1)

HYS72T64000HR

HYS72T128000HR

HYS72T128020HR

HYS72T256020HR

HYS72T256220HR

HYS72T256040HR

DRAM组件

1)

HYB18T512800AF

HYB18T512400AF

HYB18T512800AF

HYB18T512400AF

HYB18T512400AF

HYB18T512800AF

DRAM密度

512兆位

512兆位

512兆位

512兆位

512兆位

512兆位

DRAM组织

64M

×

8

128M

×

4

64M

×

8

128M

×

4

128M

×

4

64M

×

8

记

2)

1 ）绿色产品

2）对这些模块的DRAM组件的所有可用功能的详细说明，请参阅该组件的数据表。

牧师1.31 ， 2006-11

03292006-21GC-MK06

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