2006年10月
HYS[64/72]T256020EU–[25F/2.5]–B
HYS[64/72]T256020EU–[3/3S]–B
HYS[64/72]T256020EU–3.7–B
240针无缓冲DDR2 SDRAM模组
DDR2 SDRAM
SDRAM UDIMM
符合RoHS
互联网数据表
1.0版
互联网数据表
HYS[64/72]T256020EU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B
无缓冲DDR2 SDRAM模组
HYS [ 64/72 ] T256020EU- [ 25F / 2.5] -B , HYS [ 64/72 ] T256020EU- [ 3 / 3S ] -B , HYS [ 64/72 ] T256020EU - 3.7 -B
修订历史: 2006-10 ,牧师1.0
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17–18
36–38
所有
23
所有
43, 44
科目(自上次调整的重大变化)
改编网络版
更新时钟负载表和框图中的注意事项
I
DD
电流更新
更新奇梦达
修改AC时序参数
更新的速度-5
新增IDD电流值的速度-3S和-3.7
上一个版本: 2006-09 ,牧师0.61
上一个版本: 2006-08 ,牧师0.6
以前的版本:版本0.5
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2
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HYS[64/72]T256020EU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B
无缓冲DDR2 SDRAM模组
1
概观
本章介绍了240针无缓冲DDR2 SDRAM模组产品系列的概述,并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
自动刷新( CBR)和自刷新
通过EMRS2设置可编程的自刷新率
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
通过EMRS2设置DCC使
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
片外驱动器阻抗调整( OCD)和片上
端接( ODT )
串行存在检测为E
2
舞会
UDIMM和EDIMM尺寸(标称) :
30毫米高, 133.35毫米宽
基于标准的参考布局生卡“ E”和
“G”
符合RoHS标准的产品
1)
240引脚PC2-6400 , PC2-5300和PC2-4200 DDR2
SDRAM内存模块。
256M
×
64和256M
×72
模块组织,并
128M
×
8片组织
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
( DDR2 SDRAM ),采用单+ 1.8 V ( ± 0.1 V)电源
供应
2 GB内置带的1Gbit DDR2 SDRAM芯片和中
P- TFBGA - 68-6 chipsize包
比DDR400快所有的速度等级符合
DDR400时序规范。
可编程CAS潜伏期( 3,4, 5和6) ,突发
长度( 8 & 4 )和突发类型
平均更新周期7.8
s
在
T
例
低于85 ℃,
在85 ℃ 95℃ 3.9μs 。
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–25F
PC2–6400
5–5–5
–2.5
PC2–6400
6–6–6
400
333
266
200
15
15
45
60
–3
PC2–5300
4–4–4
–
333
333
200
12
12
45
57
–3S
PC2–5300
5–5–5
–
333
266
200
15
15
45
60
–3.7
PC2–4200
4–4–4
–
266
266
200
15
15
45
60
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK6
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
400
400
266
200
12.5
12.5
45
57.5
1 )符合RoHS产品:使用某些有害物质指令(RoHS )的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会,欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ,
铅,镉,六价铬,多溴联苯和多溴联苯醚。
1.0版, 2006-10
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HYS[64/72]T256020EU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B
无缓冲DDR2 SDRAM模组
1.2
描述
被安装在所述PCB板。该功能的DIMM串行
出现检测基于串行é
2
使用PROM设备
2针I
2
C协议。前128字节被编程
配置数据和写保护;第二个
128字节是提供给客户。
奇梦达HYS [ 64/72 ] T256020EU- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -B
模块系列是无缓冲DIMM模块“ UDIMM的”与
基于DDR2技术3000毫米的高度。 DIMM是
可作为非ECC模块256M
×
64 ( 2 GB)和作为
ECC模块256M
×
72 ( 2 GB)的组织和密度,
用于安装到240针的连接器的插座。
存储器阵列的设计与1-Gb双数据速率 -
二(DDR2 )同步DRAM中。去耦电容
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–6400
HYS64T256020EU–25F–B
HYS72T256020EU–25F–B
PC2–6400
HYS64T256020EU–2.5–B
HYS72T256020EU–2.5–B
PC2–5300
HYS64T256020EU–3–B
HYS72T256020EU–3–B
PC2–5300
HYS64T256020EU–3S–B
HYS72T256020EU–3S–B
PC2–4200
HYS64T256020EU–3.7–B
HYS72T256020EU–3.7–B
2 GB 2R × 8 PC2-4200U - 444-12 - E0
2 GB 2R × 8 PC2-4200E - 444-12 - G0
2级,非ECC
2级, ECC
1吉比特( × 8 )
1吉比特( × 8 )
2 GB 2R × 8 PC2-5300U - 555-12 - E0
2 GB 2R × 8 PC2-5300E - 555-12 - G0
2级,非ECC
2级, ECC
1吉比特( × 8 )
1吉比特( × 8 )
2 GB 2R × 8 PC2-5300U - 444-12 - E0
2 GB 2R × 8 PC2-5300E - 444-12 - G0
2级,非ECC
2级, ECC
1吉比特( × 8 )
1吉比特( × 8 )
2 GB 2R × 8 PC2-6400U - 666-12 - E0
2 GB 2R × 8 PC2-6400E - 666-12 - G0
2级,非ECC
2级, ECC
1吉比特( × 8 )
1吉比特( × 8 )
2 GB 2R × 8 PC2-6400U - 555-12 - E0
2 GB 2R × 8 PC2-6400E - 555-12 - G0
2级,非ECC
2级, ECC
1吉比特( × 8 )
1吉比特( × 8 )
合规守则
2)
描述
SDRAM
技术
1 )所有产品类型数字结尾的地方的代码,指定硅片版本。例如: HYS72T256020EU - 3.7 -B ,表示修订版
“B”的模具被用于DDR2 SDRAM组件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
第6章
此数据的
表。
2 )合规守则印在模块标签上,并描述了速度等级,如“ PC2-4200U - 444-12 - E0 ”,其中
4200U是指无缓冲DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-12 ”,是指列地址选通( CAS )
延时= 4 ,行列延时( RCD )的延迟= 4,行预充电( RP )延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD版本1.2和
生产的原卡“ B” 。
1.0版, 2006-10
10262006-SX8C-DEY8
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HYS[64/72]T256020EU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B
无缓冲DDR2 SDRAM模组
表3
地址格式
DIMM
密度
2 GB的
2 GB的
模块
组织
128M
×
64
128M
×
72
内存
秩
2
2
ECC /
非ECC
非ECC
ECC
#的#的SDRAM行/行/列
位
16
18
14/3/10
14/3/10
生
卡
E
G
表4
在模块组件
产品类型
1)
HYS64T256020EU
HYS72T256020EU
DRAM组件
1)
HYB18T1G800BF
HYB18T1G800BF
DRAM密度
1千兆
1千兆
DRAM组织
128M
×
8
128M
×
8
记
2)
1 )绿色产品
2)关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述,请参见组件数据表。
1.0版, 2006-10
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