【2007年3月HYS72T64000HP–[25F/2.5/3/3S/3.7]–BHYS72T128】,IC型号HYS72T128020HP-2.5-B,HYS72T128020HP-2.5-B PDF资料,HYS72T128020HP-2.5-B经销商,ic,电子元器件-51电子网

2007年3月

HYS72T64000HP–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B

HYS72T128000HP–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B

HYS72T128020HP–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B

HYS72T256220HP–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B

240引脚注册DDR2 SDRAM模组

SDRAM RDIMM

DDR2 SDRAM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.1

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HYS72T[64/128/256]xxxHP–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B

240引脚注册DDR2 SDRAM

HYS72T64000HP- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -B ， HYS72T128000HP- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -B ，

HYS72T128020HP- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -B ， HYS72T256220HP- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -B

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更新的HYS72T [ 64/128/256 ] ××× -3.7 -B产品类型

更新奇梦达

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HYS72T[64/128/256]xxxHP–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B

240引脚注册DDR2 SDRAM

概观

本章给出了1.8 V 240引脚注册DDR2 SDRAM模组与奇偶校验位产品系列和概述

描述了其主要特性。

1.1

特点

通过EMRS2设置可编程的自刷新率

通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新

通过EMRS2设置DCC使

所有输入和输出SSTL_18兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

舞会

RDIMM尺寸（标称）：30毫米高， 133.35毫米

WIDE

基于标准的参考卡的布局原卡“F” ，

“G” ，“H” ， “J”和“L”的

所有速度等级的速度比DDR2-400符合

DDR2-400时序规范。

符合RoHS标准的产品

240引脚PC2-6400 ， PC2-5300和PC2-4200 DDR2

SDRAM内存模块。

一个等级64M

×72,

128M

×72,

两行列128M

×72,

256M

×72

模块组织和512M

×8,

512M

×4

组织芯片

注册的DIMM内存奇偶校验位地址和控制总线

512 MB ， 1 GB ， 2 GB模块内置有512兆DDR2

SDRAM的在P- TFBGA - 60 chipsize包。

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4 ， 5 ， 6 ），突发长度

（ 4 & 8 ）和突发类型

自动刷新（ CBR）和自刷新

表1

性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL6

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–2.5F

PC2–6400

5–5–5

–2.5

PC2–6400

6–6–6

400

333

266

200

–3

PC2–5300

4–4–4

—

333

200

–3S

PC2–5300

5–5–5

—

333

266

200

–3.7

PC2–4200

4–4–4

—

266

200

单位

—

兆赫

CK6

CK5

CK4

CK3

RCD

RAS

400

266

200

12.5

57.5

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

修订版1.1 ， 2007-03

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240引脚注册DDR2 SDRAM

1.2

描述

电容性负载到系统总线，但增加了一个周期来

SDRAM的时序。去耦电容安装在

PCB板。该功能的DIMM串行存在检测

基于串行

使用2针我PROM设备

协议。前128字节被编程

配置数据和第二128字节可用来

客户。

奇梦达HYS72T [ 64/128/256 ] xxxHP- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -B

模块系列是注册的DIMM （带奇偶校验）模块

30毫米的高度基于DDR2技术。

DIMM是作为ECC模块64M

72 （ 512 MB ），

128M

72 （ 1 GB ）， 256M X72 （ 2GB）的组织和密度，

用于安装到240针的连接器的插座。

存储器阵列的设计与512兆位双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。所有的控制和

DIMM使用寄存器上的地址信号被重新驱动

设备和PLL的时钟分配。这将减少

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

PC2–6400

HYS72T64000HP–25F–B

HYS72T128000HP–25F–B

HYS72T128020HP–25F–B

HYS72T256220HP–25F–B

PC2–6400

HYS72T64000HP–2.5–B

HYS72T128000HP–2.5–B

HYS72T128020HP–2.5–B

HYS72T256220HP–2.5–B

PC2–5300

HYS72T64000HP–3–B

HYS72T128000HP–3–B

HYS72T128020HP–3–B

HYS72T256220HP–3–B

PC2–5300

HYS72T64000HP–3S–B

HYS72T128000HP–3S–B

HYS72T128020HP–3S–B

HYS72T256220HP–3S–B

PC2–4200

HYS72T64000HP–3.7–B

HYS72T128000HP–3.7–B

HYS72T128020HP–3.7–B

HYS72T256220HP–3.7–B

512 MB 1Rx8 PC2-4200P - 444-12 -F0

1 GB 1Rx4 PC2-4200P - 444-12 -H0

1 GB 2Rx8 PC2-4200P - 444-12 - G0

2 GB 2Rx4 PC2-4200P - 444-12 -J2

1 ECC排名

2级， ECC

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512 MB 1Rx8 PC2-5300P - 555-12 -F0

1 GB 1Rx4 PC2-5300P - 555-12 -H0

1 GB 2Rx8 PC2-5300P - 555-12 - G0

2 GB 2Rx4 PC2-5300P - 555-12 -J2

1 ECC排名

2级， ECC

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512 MB 1Rx8 PC2-5300P - 444-12 -F0

1 GB 1Rx4 PC2-5300P - 444-12 -H0

1 GB 2Rx8 PC2-5300P - 444-12 - G0

2 GB 2Rx4 PC2-5300P - 444-12 -J2

1 ECC排名

2级， ECC

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512 MB 1Rx8 PC2--6400P - 666-12 -F0

1 GB 1Rx4 PC2--6400P - 666-12 -H0

1 GB 2Rx8 PC2--6400P - 666-12 - G0

2 GB 2Rx4 PC2--6400P - 666-12 - L0

1 ECC排名

2级， ECC

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512 MB 1Rx8 PC2-6400P - 555-12 -F0

1 GB 1Rx4 PC2--6400P - 555-12 -H0

1 GB 2Rx8 PC2--6400P - 555-12 - G0

2 GB 2Rx4 PC2--6400P - 555-12 - L0

1 ECC排名

2级， ECC

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

合规守则

描述

SDRAM

技术

1 ）所有产品类型数量结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS72T64000HP - 3.7 -B ，表示修订版

“B”的模具被用于DDR2 SDRAM组件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

第6章

此数据的

表。

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240引脚注册DDR2 SDRAM

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200R - 444-12 - F0 ”，其中4200P

指注册DIMM模块（带奇偶校验位）与4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-12 ”，是指列地址选通

（ CAS ）延迟= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD 1.2版

并制作的原始卡“ F”

表3

地址格式表

DIMM

密度

512 MB

1 GB

2 GB

模块

组织

64M

×72

128M

×72

128M

×72

256M

×72

256M

×72

内存

秩

ECC /

非ECC

ECC

＃的＃的SDRAM行/行/列

位

14/2/10

14/2/11

14/2/10

14/2/11

生

卡

表4

在模块组件

产品类型

HYS72T64000HP

HYS72T128000HP

HYS72T128020HP

HYS72T256220HP

DRAM组件

1)2)

HYB18T512800BF

HYB18T512400BF

HYB18T512800BF

HYB18T512400BF

DRAM密度

512兆位

DRAM组织

512M × 8

512M × 4

512M × 8

512M × 4

1 ）绿色产品

2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。

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