数据手册，版本0.5 ， 2003年12月

HYS72D128300GBR-[5/6/7]-B

HYS72D256320GBR-[5/6/7]-B

HYS72D128500HR-[7F/7]-B

HYS72D128321GBR-[5/6/7]-B

184引脚均录得双数据速率SDRAM模块

注册DIMM

DDR SDRAM

绿色产品

含铅产品

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

2003-12版

出版英飞凌科技股份公司，

圣 - 马丁大街53 ，

81669慕尼黑，德国

英飞凌科技股份公司2003 。

版权所有。

请注意！

此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证

的特点。

交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于

电路，说明和图表说明本发明。

信息

有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的

英飞凌科技厅（ www.Infineon.com ） 。

警告

由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息

的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。

在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面

的在网络连接氖技术批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障

生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持

装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持

和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能

受到威胁。

数据手册，版本0.5 ， 2003年12月

HYS72D128300GBR-[5/6/7]-B

HYS72D256320GBR-[5/6/7]-B

HYS72D128500HR-[7F/7]-B

HYS72D128321GBR-[5/6/7]-B

184引脚均录得双数据速率SDRAM模块

注册DIMM

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

HYS72D128300GBR- [ 5/6/7 ] -B ， HYS72D256320GBR- [ 5/6/7 ] -B ， HYS72D128500HR- [ 7F / 7 ] -B

修订历史：

以前的版本：

页面

科目（自上次调整的重大变化）

修订版0.5

2003-12

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HYS72D[128/256][300/320/321/500][GBR/HR]-[5/6/7/7F]-B

录得双数据速率SDRAM模块

1

1.1

1.2

2

3

3.1

4

5

6

概观

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

引脚配置

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

电气特性

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

SPD内容

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

包装纲要

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

应用说明

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

数据表

5

修订版0.5 ， 2003-12

2007年1月

HYS72D64301[G/H]BR–[5/6]–B

HYS72D128xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B

HYS72D256220[G/H]BR–[5/6/7]–B

HYS72D256320[G/H]BR–[5/6/7]–B

1 8 4 - P R中egistered 瓯BL é - D ATA - R的吃SDRAMM odule

DDR SDRAM

符合RoHS标准的产品

互联网数据表

修订版1.42

互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B

注册DDR SDRAM模块

HYS72D64301 [G / H] BR- [ 5/6 ] -B ， HYS72D128xxx [G / H] BR- [ 5/6/7 ] -B ， HYS72D256220 [G / H] BR- [ 5/6/7 ] - B，

HYS72D256320[G/H]BR–[5/6/7]–B

修订历史： 2007-01 ，启示录1.42

所有

所有

67

更新奇梦达

改编网络版

编辑修改

上一个版本： 2006-03 ，牧师1.41

上一个版本： 2004-05 ，牧师1.4

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-07-21

03292006-7CZA-YS85

2

互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B

注册DDR SDRAM模块

1

1.1

概观

特点

184引脚注册的8字节双列直插式DDR SDRAM模块“1U ”PC ，工作站和服务器主内存

应用

一个128M排名

×

72和64M

×

72组织，两列256M

×

72组织

标准双数据速率同步DRAM （ DDR SDRAM ），用一个单一的+ 2.5 V （ ± 0.2 V）电源

对于DDR400 2.6 V（ ± 0.1 V）电源

内置带的DDR SDRAM的P- TFBGA - 60封装

可编程CAS延迟，突发长度和换行序列（序列&交错）

自动刷新（ CBR）和自刷新

所有输入和输出SSTL_2兼容

RAS-锁定支持

t

RAP

=

t

RCD

重新驱动器使用的寄存器和PLL器件所有输入信号。

串行存在检测为E

2

舞会

薄型模块外形尺寸： 133.35毫米

×

28.58 mm (1.1”)

×

4.00毫米和133.35毫米

×

30.48 mm (1.2”)

×

4.00 mm

标准参考卡的布局原卡“ A” ， “B” ， “C” ， “D” 。

镀金触点

表1

性能

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟

频率

部件

模块

@CL3

@CL2.5

@CL2

–5

DDR400B

PC3200–3033

–6

DDR333B

PC2700–2533

166

166

133

–7

DDR266A

PC2100–2033

—

143

133

单位

—

—

兆赫

兆赫

兆赫

f

CK3

f

CK2.5

f

CK2

200

166

133

牧师1.42 ， 2007-01

03292006-7CZA-YS85

3

互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B

注册DDR SDRAM模块

1.2

描述

该HYS72D [ 64/128/256 ] XXX [G / H] BR- [ 5/6/7 ] -B是标准注册的DIMM模块的低调版本

1.1 “英寸（ 28.58 ）和1.2 ”英寸（ 30,40毫米），高度为1U服务器应用程序。低调DIMM版本可作为

64M

×

72 （ 512 MB ） ， 128M

×

72 （ 1 GB）和256M

×

72 （ 2 GB ） 。

存储器阵列的设计与双数据速率同步DRAM的ECC应用。所有的控制和地址

信号被重新驱动使用寄存器设备和锁相环（PLL）的时钟分配的DIMM 。这降低了容性负载

到系统总线，但增加了一个周期的SDRAM的定时。各种去耦合电容器被安装在PC板上。

该功能的DIMM串行存在检测基于串行é

2

使用2针我PROM设备

2

C协议。前128个字节

被编程的配置数据和第二128字节是提供给客户。

表2

铅订购信息 - 包含产品

产品类型

1)

PC3200 （CL = 3）的

HYS72D64301GBR–5–B

HYS72D128300GBR–5–B

HYS72D128321GBR–5–B

HYS72D256220GBR–5–B

PC2700 （CL = 2.5）

HYS72D64301GBR–6–B

HYS72D128300GBR–6–B

HYS72D128321GBR–6–B

HYS72D256320GBR–6–B

HYS72D256220GBR–6–B

PC2100 （CL = 2）的

HYS72D128300GBR–7–B

HYS72D128321GBR–7–B

HYS72D256220GBR–7–B

HYS72D256320GBR–7–B

PC2100R–20330–C0

PC2100R–20330–B0

PC2100R–20330–D0

PC2100R–20330–D0

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

2 ranks1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ ×4）的

PC2700R–25330–A0

PC2700R–25330–C0

PC2700R–25330–B0

PC2700R–25330–D0

PC2700R–25330–D0

一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ ×4）的

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ ×4）的

PC2700R–30331–A0

PC3200R–30331–C0

PC3200R–30331–B0

PC3200R–30331–D0

一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

合规守则

2)

描述

SDRAM

技术

1 ）所有的产品类型与结束的地方代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。

例如： HYS72D128300GBR -5 -B中，指示Rev.B的模具被用于SDRAM的组件。

2）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2100R ” ），则等待时间（例如

“ 20330 ”是指2.0时钟， 3个时钟行 - 列延迟（ RCD）延迟和行预充电延迟3个时钟） ， JEDEC CAS延迟

SPD定义代码版本0和原卡用于此模块。

牧师1.42 ， 2007-01

03292006-7CZA-YS85

4

互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B

注册DDR SDRAM模块

表3

订购信息铅 - 免费（符合RoHS标准）产品

产品类型

1)2)

PC3200 （CL = 3）的

HYS72D64301HBR–5–B

HYS72D128300HBR–5–B

HYS72D128321HBR–5–B

HYS72D256220HBR–5–B

HYS72D256320HBR–5–B

PC2700 （CL = 2.5）

HYS72D64301HBR–6–B

HYS72D128300HBR–6–B

HYS72D128321HBR–6–B

HYS72D256220HBR–6–B

HYS72D256320HBR–6–B

PC2100 （CL = 2）的

HYS72D128300HBR–7–B

HYS72D128321HBR–7–B

HYS72D256220HBR–7–B

HYS72D256320HBR–7–B

PC2100R–20330–C0

PC2100R–20330–B0

PC2100R–20330–D0

PC2100R–20330–F0

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ ×4）的

PC2700R–25330–A0

PC2700R–25330–C0

PC2700R–25330–B0

PC2700R–25330–D0

PC2700R–25330–F0

一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ ×4）的

PC3200R–30331–A0

PC3200R–30331–C0

PC3200R–30331–B0

PC3200R–30331–D0

PC3200R–30331–F0

一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ ×4）的

合规守则

3)

描述

SDRAM

技术

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

2 ）所有产品类型结束与一个地方的代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。

例如： HYS72D128300GBR -5 -B中，指示Rev.B的模具被用于SDRAM的组件。

3）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2100R ” ），则等待时间（例如

“ 20330 ”是指2.0时钟， 3个时钟行 - 列延迟（ RCD）延迟和行预充电延迟3个时钟） ， JEDEC CAS延迟

SPD定义代码版本0和原卡用于此模块。

牧师1.42 ， 2007-01

03292006-7CZA-YS85

5