HYS 64V8301GU
SDRAM模块
3.3 V 8M
×
64位1行， 64MByte SDRAM模块
168针无缓冲DIMM模块
168引脚无缓冲的8字节双列直插式
SDRAM模块用于PC的主存储器
应用
PC100-222 ， PC133-333和PC133-222
版本
一个银行8M
×
64组织
优化字节写非奇偶校验
应用
SDRAM性能：
-7 /-7.5 -8
PC133
PC100
100
兆赫
单位
编程潜伏期：
产品速度
-7
-7.5
-8
CL
t
RCD
2
3
2
t
RP
2
3
2
PC133 2
PC133 3
PC100 2
可编程CAS延迟，突发长度，
和包裹序列
（顺序&交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
安装在基板去耦电容
所有输入和输出都是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
f
CK
时钟
频率
（ MAX 。 ）
133
t
AC
时钟进入5.4
时间
6
ns
利用四个8M
×
16中的SDRAM
TSOPII -54封装
4096刷新周期每64毫秒
133.35 mm
×
29.21 mm
×
3.00毫米卡的大小
金触点垫。
（ JEDEC MO- 161 ）
单3.3 V （
±
0.3 V ）电源
该HYS 64V8301GU是一个工业标准168针8字节的双列直插内存模块（DIMM ）
该组织为8M
×
在设计128兆位的一家银行的高速存储器阵列64
同步DRAM用于非奇偶性的应用程序。在DIMM使用-7 。高速分拣8M
×
16
在TSOP54封装的SDRAM器件，以满足PC133-222要求， -7.5速度排序为
PC133-333和和-8份为标准PC100的应用程序。去耦电容
安装在PC板上。根据Intel的模块规格的PCB板设计。
DIMM安装有一个串行存在检测，使用了2针I串行E2PROM实现
2
C
协议。第128个字节是由该DIMM制造利用与第二128字节是
提供给最终用户。
所有英飞凌168针的DIMM提供一种高性能的，灵活的133.35毫米8字节接口
长的足迹。
在网络连接霓虹灯技术
1
9.01
HYS 64V8301GU
SDRAM模块
订购信息
TYPE
HYS 64V8301GU -7 -C2
CODE
包
描述
模块
高度
PC133-222-520 L- DIM - 168-32 133 MHz的8M
×
64银行1
SDRAM模块
1.15”
1.15”
1.15”
HYS 64V8301GU - 7.5 -C2 PC133-333-520 L- DIM - 168-32 133 MHz的8M
×
64银行1
SDRAM模块
HYS 64V8301GU -8 -C2
PC100-222-620 L- DIM - 168-32 100 MHz的8M
×
64银行1
SDRAM模块
注：所有的部件号结束与一个地方代码（未示出） ，指定的模具修改。请教
工厂的当前版本。例如： HYS64V4300GU -8 -C2 ，表示Rev.C2金属模具
用于SDRAM组件。
引脚定义和功能
A0 - A11
地址输入
（ RA0 RA11 / CA0 CA7 ，
CA10)
BANK SELECT
数据输入/输出
校验位（ X72
组织只）
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
CLK0 - CLK3
时钟输入
BA0 ， BA1
DQ0 - DQ63
CB0 - CB7
RAS
CAS
WE
CKE0
DQMB0 - DQMB7数据面膜
CS0 ， CS2
芯片选择
电源（ + 3.3V）
地
时钟设备检测
串行数据输出的普雷斯。检测
无连接
V
DD
V
SS
SCL
SDA
北卡罗来纳州/杜
地址格式
产品型号
8M
×
64
HYS 64V8301GU
行列库选择
12
9
2
刷新
4k
期
64毫秒
间隔
15.6
s
在网络连接霓虹灯技术
2
9.01
HYS 64V8301GU
SDRAM模块
功能方框图
CS0 ， CLK0
CS ， CLK
LDQM
DQ0-DQ7
UDQM
DQ8-DQ15
D0
CS ， CLK
LDQM
DQ0-DQ7
UDQM
DQ8-DQ15
D1
DQMB4
DQ32-DQ39
DQMB0
DQ0-DQ7
DQMB5
DQ40-DQ47
DQMB1
DQ8-DQ15
CS2 ， CLK2
CS ， CLK
LDQM
DQ0-DQ7
UDQM
DQ8-DQ15
D2
D0-D3
D0-D3
CS ， CLK
LDQM
DQ0-DQ7
UDQM
DQ8-DQ15
D3
PROM （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
47 k
2
DQMB6
DQ48-DQ55
DQMB2
DQ16-DQ23
DQMB7
DQ56-DQ63
DQMB3
DQ24-DQ31
A0 -A11 ， BA0 ， BA1
V
CC
C
V
SS
RAS ， CAS ， WE
CKE0
CLK1 ， CLK3
D0-D3
D0-D3
D0-D3
时钟布线
8一M× 64
10 pF的
注意事项：
1 ）所有的电阻为10欧姆，除非另有说明
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
2 SDRAM + 3.3 pF的
终止
2 SDRAM + 3.3 pF的
终止
BL04 00年7月8日
框图： 8M
x
64一家银行SDRAM DIMM模块（ HYS 64V8301GU ）
在网络连接霓虹灯技术
4
9.01
HYS 64V8301GU
SDRAM模块
绝对最大额定值
参数
符号
分钟。
输入/输出相对于V电压
SS
在V电源电压
DD
存储温度范围
功耗
数据输出电流（短路）
V
IN，
V
OUT
V
DD
T
英镑
P
D
I
OS
– 1.0
– 1.0
-55
–
–
限值
马克斯。
4.6
4.6
+150
8
50
V
V
o
单位
C
W
mA
如果“绝对最大额定值”超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应限制在推荐的工作条件。
暴露于超过推荐的电压高的时间会影响器件的可靠性长时间
DC特性
T
A
= 0至70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 4.0毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.0 mA）的
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 3.6 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DQ被禁用， 0 V＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
V
DD
)
电容
符号
分钟。
限值
马克斯。
2.0
– 0.5
2.4
–
– 10
– 10
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
DD
+ 0.3
0.8
–
0.4
10
10
A
A
T
A
= 0至70
°
C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1兆赫
参数
输入电容（ A0 - A11 ， RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CS0 ， CS2 ）
输入电容（ CLK0 - CLK3 ）
输入电容（ CKE0 ）
输入电容（ DQMB0 - DQMB7 ）
输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ）
输入电容（ SCL ， SA0-2 ）
输入/输出电容
在网络连接霓虹灯技术
5
符号
限值
马克斯。
38
25
43
35
13
10
8
8
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
9.01
C
I1
C
I2
C
ICL
C
I3
C
I4
C
IO
C
SC
C
SD
QQ：2880707522 复制
