144针SO-DIMM SDRAM模块
HYS64V64220GBDL
512 MB PC100 / PC133
144针八字节小外形双列直插式同步DRAM模块
对于笔记本应用
两个银行的64M ×64的非奇偶校验模块组织
适用于PC100和PC133的应用程序中使用
性能：
-7.5
PC133
3-3-3
f
CK
t
AC
时钟频率（最大）
时钟存取时间
CAS延时= 2 & 3
133
5.4
-8
PC100
2-2-2
100
6
单位
兆赫
ns
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源
可编程CAS延迟，突发长度和换行序列
（顺序&交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入，输出是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
使用中国银行（ 「董事会级芯片“ ）技术的256Mbit与SDRAM （ 32Mx8 ）芯片。
8196刷新周期每64毫秒
金触点垫， JEDEC MO- 190外形尺寸
该模块系列在引脚和功能兼容
采用英特尔最新的SO -DIMM规格
重要提示公告
:
该SO - DIMM模块是基于的256Mbit SDRAM的技术，并且可以是
在只应用，其中的256Mbit支持寻址使用。
在网络连接霓虹灯技术
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2002.01.25
HYS64V64220GBDL
144针SO-DIMM SDRAM模块
这英飞凌模块是一个工业标准144针8字节的同步DRAM （SDRAM）的小
双列直插式内存模块（ SO -DIMM ），该组织为64Mx64高速阵列
在两个存储体设计的非奇偶性的应用程序使用。这些SO- DIMM使用中银
（ 「董事会级芯片“ ）技术。去耦电容器安装在电路板上。所有的包银
基于SO -DIMM模块具有机械保护罩。
在DIMM使用串行存在检测通过串行é实施
2
使用PROM两个引脚I
2
C
协议。第128个字节是由该DIMM制造利用与第二128字节是
提供给最终用户。
所有INFINEON 144针SO- DIMM内存模块提供了一个高性能，在67,6灵活的8字节接口
毫米长的足迹。
产品系列
SDRAM的RowAddr 。
银行
列刷新
二手
SELECT
地址。
16 32Mx8
13
BA0 ， BA1
10
8k
16 32Mx8
13
BA0 ， BA1
10
8k
期
64毫秒
64毫秒
64M ×64
64M ×64
HYS64V64220GBDL-7.5
HYS64V64220GBDL-8
注意：
所有partnumbers结束与地点代码（未示出） ，指定的模版。当前向厂家咨询
修订版。例如： HYS64V64220GBDL -8 -C2 ，表示Rev.C2模具被用于SDRAM的组件。
卡片尺寸
组织
64M ×64
PCB板
L-DIM-144-12
长x高x T [毫米]
67.60 x 29.21 x 3.80
引脚名称
A0-A12
BA0,BA1
DQ0 - DQ63
RAS
CAS
WE
CKE0 ， CKE1
CLK0 ， CLK1
DQMB0 - DQMB7
CS0 ， CS1
VDD
VSS
SCL
SDA
北卡罗来纳州
地址输入
银行选择
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
时钟输入
数据屏蔽
芯片选择
功率（ 3.3伏）
地
时钟设备检测
串行数据输出的设备检测
无连接
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HYS64V64220GBDL
144针SO-DIMM SDRAM模块
CS1
CS0
CS
DQMB0
DQ （ 7 ： 0 ）
DQM
DQ0-DQ7
DQM
DQ0-DQ7
CS
DQMB4
DQ （ 39:32 ）
DQM
DQ0-DQ7
CS
DQM
DQ0-DQ7
CS
DQMB1
DQ （ 15 ： 8 ）
DQM
DQM
DQMB5
DQ （ 47:40 ）
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
DQM
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
D0
D4
CS
CS
DQM
DQ0-DQ7
DQMB2
DQ （ 23:16 ）
DQM
DQ0-DQ7
DQMB6
DQ （ 55:48 ）
DQM
DQ0-DQ7
DQMB3
DQ （ 31:24 ）
DQM
DQ0-DQ7
D1
D0 - D7
DQM
DQ0-DQ7
D5
DQMB7
DQ （ 63:56 ）
DQM
DQ0-DQ7
D3
DQM
DQ0-DQ7
D7
A0-A12,BA0,BA1
VDD
C
VSS
RAS ， CAS ， WE
CKE0
CKE1
CLK0
CLK1
E
2
PROM （ 256wordx8bit ）
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D3
D4 - D7
8载荷
8载荷
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
注：1， DQ的布线可以不同于在此描述
绘画，但是DQ / DQMB / CKE / CS关系
被保持，如图所示。
2.在每个D0的这个设计 - D7部件
由两个32M ×8码片来表示。这两个
芯片有效地工作，作为一个单一的32M ×16的设备。
3.所有的电阻为10欧姆。
框图两张银行64M ×64 SDRAM DIMM - 模块
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HYS64V64220GBDL
144针SO-DIMM SDRAM模块
绝对最大额定值
参数
符号
分钟。
输入/输出相对于V电压
SS
在V电源电压
DD
存储温度范围
功耗
数据输出电流（短路）
V
IN，
V
OUT
V
DD
T
英镑
P
D
I
OS
– 1.0
– 1.0
-55
–
–
限值
马克斯。
4.6
4.6
+125
16
50
V
V
o
C
单位
W
mA
如果“绝对最大额定值”超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应限制在推荐的工作条件。
暴露于超过推荐的电压高的时间会影响器件的可靠性长时间
DC特性
T
A
= 0至70
°C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
符号
限值
分钟。
输入高电压
输入低电压
输出高电压（I
OUT
= - 4.0毫安）
输出低电压（I
OUT
= 4.0 mA）的
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 3.6 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DQ被禁用， 0 V＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
V
DD
)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
2.0
– 0.5
2.4
–
– 20
– 20
马克斯。
VDD+0.3
0.8
–
0.4
20
20
V
V
V
V
A
A
单位
电容
T
A
= 0至70
°C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1兆赫
参数
符号
极限
值
64M ×64
马克斯。
输入电容（A0至A11， BA0 ， BA1 ）
输入电容（ RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CLK0 ， CLK1 ）
输入电容（ CS0 ， CS1 ）
输入电容（ DQMB0 - DQMB7 ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ）
输入电容（ SCL ， SA0-2 ）
输入/输出电容（ SDA ）
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
IO
C
sc
C
sd
85
85
70
60
15
50
18
8
10
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
单位
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