2007年5月

HYS64T32x00HU–[3/3S/3.7/5]–A

HYS[64/72]T64x00HU–[3/3S/3.7/5]–A

HYS[64/72]T128x20HU–[3/3S/3.7/5]–A

240针无缓冲DDR2 SDRAM模组

DDR2 SDRAM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.41

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU–[3/3S/3.7/5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

HYS64T32x00HU- [ 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A ， HYS [ 64/72 ] T64x00HU- [ 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A ， HYS [ 64/72 ] T128x20HU- [ 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A

修订历史： 2007-01 ，牧师1.41

页面

所有

42, 43

所有

所有

43, 44, 45, 46

29, 34, 37

48

科目（自上次调整的重大变化）

改编网络版

表30脚注4更新。

产品附加值HYS64T [ 32/64/128 ] 9x0HU- [ 3S / 3.7 ] -A

更新奇梦达

编辑修改

更新的AC时序参数表DQS DQ歪斜值是最大。值

加入50欧姆数据

上一个版本： 2007-01 ，牧师1.40

上一个版本： 2006-09 ，牧师1.32

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

03292006-EZUJ-JY4S

2

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU–[3/3S/3.7/5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1

概观

本章介绍了240针无缓冲DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4和5 ） ，突发长度

（ 8 & 4 ）和突发类型

自动刷新（ CBR）和自刷新

所有输入和输出SSTL_1.8兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

2

舞会

尺寸（标称）：30毫米高， 133.35毫米宽

基于标准的参考布局生卡“ A” ，

的“B ”，“ C”，“ D” ，“E” ， “F”和“G”的

符合RoHS标准的产品

1)

240引脚PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-3200 DDR2

用作主内存时， SDRAM内存模块

安装在系统中，如移动台个人电脑。

32M

×

64, 64M

×

64, 64M

×

72, 128M

×

64, 128M

×

72

模块组织和32M

×

16, 64M

×

8芯片

组织

256兆字节， 512兆字节和1 GB的内置模块有

512兆位的DDR2 SDRAM在P- TFBGA - 60和P- TFBGA-

84 chipsize包

比DDR2-400更快的所有速度等级符合

DDR2-400时序规范。

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

表1

为-3性能表（ S）

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–3

PC2-5300 4-4-4

–3S

PC2-5300 5-5-5

333

266

200

15

15

45

60

单位

—

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

333

333

200

12

12

45

57

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.41 ， 2007-05

03292006-EZUJ-JY4S

3

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU–[3/3S/3.7/5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

表2

性能表

–3.7

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–3.7

PC2-4200 4-4-4

单位

—

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

266

266

200

15

15

45

60

表3

性能表-5

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

–5

PC2-3200 3-3-3

200

200

200

15

15

40

55

单位

—

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

牧师1.41 ， 2007-05

03292006-EZUJ-JY4S

4

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU–[3/3S/3.7/5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

存储器阵列的设计与512兆位双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩

电容器被安装在PCB板。安装DIMM

功能串行存在检测基于串行é

2

舞会

使用2针I设备

2

C协议。前128个字节是

编程的配置数据和被写保护;

第二个128字节是提供给客户。

奇梦达HYS [ 64/72 ] T [ 32/64/128 ] 0x0HU- [ 3 / ... / 5 ] -A

模块系列是无缓冲DIMM模块“ UDIMM的”与

基于DDR2技术30,0 mm的高度。 DIMM是

可作为在32M非ECC模块

×

64 （ 256MB ） ，

64M

×

64 （ 512MB ） ， 128M

×

64 （ 1GB ），并作为ECC模块

64M

×

72 （ 512MB ） ， 128M

×

72 （ 1GB ）组织

密度，用于安装到240针连接器

插槽。

表4

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

1)

PC2-5300

HYS64T32000HU–3–A

HYS64T64000HU–3–A

HYS72T64000HU–3–A

HYS64T128020HU–3–A

HYS72T128020HU–3–A

HYS64T32000HU–3S–A

HYS64T32900HU–3S–A

HYS64T64000HU–3S–A

HYS64T64900HU–3S–A

HYS72T64000HU–3S–A

HYS64T128020HU–3S–A

HYS64T128920HU–3S–A

HYS72T128020HU–3S–A

PC2-4200

HYS64T32000HU–3.7–A

HYS64T32900HU–3.7–A

HYS64T64000HU–3.7–A

HYS64T64900HU–3.7–A

HYS72T64000HU–3.7–A

HYS64T128020HU–3.7–A

HYS64T128920HU–3.7–A

HYS72T128020HU–3.7–A

PC2-3200

HYS64T32000HU–5–A

HYS64T64000HU–5–A

HYS72T64000HU–5–A

256MB 1R × 16 PC2-3200U - 333-11 -C1

512MB 1R × 8 PC2-3200U - 333-11 -A1

512MB 1R × 8 PC2-3200E - 333-11 -A1

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-4200U - 444-11 -C1

256MB 1R × 16 PC2-4200U - 444-11 -C1

512MB 1R × 8 PC2-4200U - 444-11 -A1

512MB 1R × 8 PC2-4200U - 444-11 -D0

512MB 1R × 8 PC2-4200E - 444-11 -A1

1GB 2R × 8 PC2-4200U - 444-11 -B1

1GB 2R × 8 PC2-4200U - 444-11 - E0

1GB 2R × 8 PC2-4200E - 444-11 -B1

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-5300U - 444-12 -C1

512MB 1R × 8 PC2-5300U - 444-12 -D0

512MB 1R × 8 PC2-5300E - 444-12 -F0

1GB 2R × 8 PC2-5300U - 444-12 - E0

1GB 2R × 8 PC2-5300E - 444-12 - G0

256MB 1R × 16 PC2-5300U - 555-12 -C1

256MB 1R × 16 PC2-5300U - 555-12 -C1

512MB 1R × 8 PC2-5300U - 555-12 -D0

512MB 1R × 8 PC2-5300U - 555-12 -D0

512MB 1R × 8 PC2-5300E - 555-12 -F0

1GB 2R × 8 PC2-5300U - 555-12 - E0

1GB 2R × 8 PC2-5300U - 555-12 - E0

1GB 2R × 8 PC2-5300E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

合规守则

2)

描述

SDRAM

技术

牧师1.41 ， 2007-05

03292006-EZUJ-JY4S

5

D上T A秒H E E T，牧师0.87 ，J ü否E 2 0 0 4

HYS64T32000[G/H]U–[3.7/5]–A

HYS[64/72]T64000[G/H]U–[3.7/5]–A

HYS[64/72]T128020[G/H]U–[3.7/5]–A

240针无缓冲DDR2 SDRAM模组

DDR2 SDRAM

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

2004-06年版

出版英飞凌科技股份公司，

圣 - 马丁大街53 ，

81669慕尼黑，德国

英飞凌科技股份公司2004年。

版权所有。

请注意！

此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证

的特点。

交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于

电路，说明和图表说明本发明。

信息

有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的

英飞凌科技厅（ www.Infineon.com ） 。

警告

由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息

的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。

在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面

的在网络连接氖技术批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障

生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持

装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持

和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能

受到威胁。

D上T A秒H E E T，牧师0.87 ，J ü否E 2 0 0 4

HYS64T32000[G/H]U–[3.7/5]–A

HYS[64/72]T64000[G/H]U–[3.7/5]–A

HYS[64/72]T128020[G/H]U–[3.7/5]–A

240针无缓冲DDR2 SDRAM模组

DDR2 SDRAM

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

HYS[64T[3200/6400/12802]0/72T[6400/12802]0][G/H]U–[3.7/5]–A

修订历史：

以前的版本：

页面

所有

第5章

所有

修订版0.87

修订版0.84

2004-06

2003-09

科目（自上次调整的重大变化）

新模板

加电流

定时更新

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HYS[64T[3200/6400/12802]0/72T[6400/12802]0][G/H]U–[3.7/5]–A

512兆DDR2 SDRAM

目录

1

1.1

1.2

1.3

2

3

3.1

4

4.1

4.2

5

5.1

6

7

7.1

7.2

7.3

8

概观

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

6

6

6

9

方框图

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

电气特性

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

I

DD

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27

ODT （片上终端）电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27

电气特性&交流时序

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

由速度等级AC时序参数（组件级的数据，仅供参考） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28

SPD码

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

包装纲要

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

原卡进行。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

原卡B 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

原卡的温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

62

62

63

64

I

DD

规格和条件

产品型号命名（ DDR2的DRAM和DIMM ）

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

数据表

5

牧师0.87 ， 2004-06

09122003-GZEK-H4J6