2006年10月

HYS64T32[0/9]00EU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2

HYS[64/72]T64[0/9]00EU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2

HYS[64/72]T128[0/9]20EU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2

2 4 0 - P inunbuffered DDR 2 SDRAM，莫dules

DDR2 SDRAM

SDRAM UDIMM

符合RoHS

互联网数据表

1.0版

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128][0/9]xxEU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2

无缓冲DDR2 SDRAM模组

HYS64T32 [ 0/9 ] 00EU- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 B2 ， HYS [ 64/72 ] T64 [ 0/9 ] 00EU- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 B2 ， HYS [ 64/72 ] T128 [ 0/9 ] 20EU-

[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2

修订历史： 2006-10 ，牧师1.0

页面

所有

所有

4,5

16 – 20

34, 35

38 – 42

45 – 92

科目（自上次调整的重大变化）

更新奇梦达

改编网络版

订货信息表。新增6LayerWhiteBox产品

框图：时钟信号负载表和注意事项更新

ODT表更新

加入IDD值

SPD代码更新

上一个版本： 2006-07 ，牧师0.5

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

10202006-L0SM-FEYT

2

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128][0/9]xxEU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1

概观

本章介绍了240针无缓冲DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

自动刷新（ CBR）和自刷新

通过EMRS2设置可编程的自刷新率

通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新

通过EMRS2设置DCC使

所有输入和输出SSTL_1.8兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

2

舞会

UDIMM尺寸（标称值） ：30毫米高和

133.35毫米宽

基于标准的参考布局原卡的“C ”，“ D” ，

的“E” ， “F”和“G”的

符合RoHS标准的产品

1)

功能列表和性能表

240引脚PC2-6400 ， PC2-5300和PC2-4200 DDR2

SDRAM内存模块。

模块组织32M

×

64, 64M

×

64, 64M

×

72,

128M

×

64和128M

×

72.

组织芯片32M

×

16和64M

×

8.

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

内建512 - Mbit的256MB ， 512MB和1GB模块

DDR2 SDRAM芯片的P- TFBGA - 60和PG- TFBGA -84

chipsize包

比DDR2-400快所有速度等级符合

DDR400时序规范。

可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6） ，突发

长度（ 8 & 4 ）和突发类型

表1

性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL6

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–25F

PC2–6400

5–5–5

–2.5

PC2–6400

6–6–6

400

333

266

200

15

15

45

60

–3

PC2–5300

4–4–4

–

333

333

200

12

12

45

57

–3S

PC2–5300

5–5–5

–

333

266

200

15

15

45

60

–3.7

PC2–4200

4–4–4

–

266

266

200

15

15

45

60

单位

—

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

f

CK6

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

400

400

266

200

12.5

12.5

45

57.5

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

1.0版， 2006-10

10202006-L0SM-FEYT

3

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128][0/9]xxEU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

存储器阵列的设计与512兆位双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩

电容器被安装在PCB板。安装DIMM

功能串行存在检测基于串行é

2

舞会

使用2针I设备

2

C协议。前128个字节是

编程的配置数据和被写保护;

第二个128字节是提供给客户。

该

奇梦达

HYS[64/72]T[32/64/128][0/9]xxEU-

[ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 B2模块系列是无缓冲DIMM

模块基于DDR2与30.0毫米的高度“的UDIMM ”

技术。 DIMM是可作为非ECC模块

32M

×

64 （ 256 MB ） ，

64M

×

64 （ 512 MB ）

和

128M

×

64 （ 1 GB）和ECC模块64M

×

72 （ 512 MB ） ，

128M

×

72 （ 1 GB）的组织和密度，适用于

安装到240针连接器插座。

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

1)

PC2–6400

HYS64T32000EU–25F–B2

HYS64T32900EU–25F–B2

HYS64T64000EU–25F–B2

HYS64T64900EU–25F–B2

HYS72T64000EU–25F–B2

HYS72T64900EU–25F–B2

HYS64T128020EU–25F–B2

HYS64T128920EU–25F–B2

HYS72T128020EU–25F–B2

HYS72T128920EU–25F–B2

PC2–6400

HYS64T32000EU–2.5–B2

HYS64T32900EU–2.5–B2

HYS64T64000EU–2.5–B2

HYS64T64900EU–2.5–B2

HYS72T64000EU-2.5–B2

HYS72T64900EU-2.5–B2

HYS64T128020EU–2.5–B2

HYS64T128920EU–2.5–B2

HYS72T128020EU–2.5–B2

HYS72T128920EU–2.5–B2

PC2–5300

HYS64T32000EU–3–B2

HYS64T32900EU–3–B2

HYS64T64000EU–3–B2

HYS64T64900EU–3–B2

HYS72T64000EU–3–B2

HYS72T64900EU–3–B2

256MB 1R × 16 PC2-5300U - 444-12 -C1

512MB 1R × 8 PC2-5300U - 444-12 -D0

512MB 1R × 8 PC2-5300E - 444-12 -F0

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-6400U - 666-12 -C1

512 MB 1R × 8 PC2-6400U - 666-12 -D0

512MB 1R × 8 PC2-6400E - 666-12 -F0

1GB 2R × 8 PC2-6400U - 666-12 - E0

1GB 2R × 8 PC2-6400E - 666-12 - G0

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-6400U - 555-12 -C1

512 MB 1R × 8 PC2-6400U - 555-12 -D0

512MB 1R × 8 PC2-6400E - 555-12 -F0

1GB 2R × 8 PC2-6400U - 555-12 - E0

1GB 2R × 8 PC2-6400E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

合规守则

2)

描述

SDRAM

技术

1.0版， 2006-10

10202006-L0SM-FEYT

4

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128][0/9]xxEU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2

无缓冲DDR2 SDRAM模组

产品类型

1)

HYS64T128020EU–3–B2

HYS64T128920EU–3–B2

HYS72T128020EU–3–B2

HYS72T128920EU–3–B2

PC2–5300

HYS64T32000EU–3S–B2

HYS64T32900EU–3S–B2

HYS64T64000EU–3S–B2

HYS64T64900EU–3S–B2

HYS72T64000EU–3S–B2

HYS72T64900EU–3S–B2

HYS64T128020EU–3S–B2

HYS64T128920EU–3S–B2

HYS72T128020EU–3S–B2

HYS72T128920EU–3S–B2

PC2–4200

HYS64T32000EU–3.7–B2

HYS64T32900EU–3.7–B2

HYS64T64000EU–3.7–B2

HYS64T64900EU–3.7–B2

HYS72T64000EU–3.7–B2

HYS72T64900EU–3.7–B2

HYS64T128020EU–3.7–B2

HYS64T128920EU–3.7–B2

HYS72T128020EU–3.7–B2

HYS72T128920EU–3.7–B2

合规守则

2)

1GB 2R × 8 PC2-5300U - 444-12 - E0

1GB 2R × 8 PC2-5300E - 444-12 - G0

描述

2级，非ECC

2级， ECC

SDRAM

技术

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-5300U - 555-12 -C1

512MB 1R × 8 PC2-5300U - 555-12 -D0

512MB 1R × 8 PC2-5300E - 555-12 -F0

1GB 2R × 8 PC2-5300U - 555-12 - E0

1GB 2R × 8 PC2-5300E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-4200U - 444-12 -C1

512MB 1R × 8 PC2-4200U - 444-12 -D0

512MB 1R × 8 PC2-4200E - 444-12 -F0

1GB 2R × 8 PC2-4200U - 444-12 - E0

1GB 2R × 8 PC2-4200E - 444-12 - G0

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 8 ）

1 ）所有产品类型结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T64000EU -3 -B2 ，指示修订版“B2”模具

用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

第6章

本数据手册。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200U - 444-12 -D0 ”，其中

4200U是指无缓冲DIMM模块4.26 GB /秒。模块的带宽和“ 444-12 - D0 ”是指列地址选通（ CAS ）

延时= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD版本1.2和

生产的原卡“ D” 。

1.0版， 2006-10

10202006-L0SM-FEYT

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