2006年11月
HYS64T256022EDL–[25F/2.5]–B
HYS64T256022EDL–[3/3S]–B
HYS64T256022EDL–3.7–B
200针双芯片小外形- DDR2 -SDRAM模块
DDR2 SDRAM
SO -DIMM SDRAM
符合RoHS
互联网数据表
1.0版
互联网数据表
HYS64T256022EDL–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B
小外形封装的DDR2 SDRAM模块
HYS64T256022EDL- [ 25F / 2.5] -B ; HYS64T256022EDL- [ 3 / 3S ] -B ; HYS64T256022EDL - 3.7 -B
修订历史： 2006-11 ，牧师1.0
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11172006-DXYK-2PPW
2
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HYS64T256022EDL–[25F/2.5/3/3S/3.7]–B
小外形封装的DDR2 SDRAM模块
1
概观
本章介绍了200针双概述模具小外形- DDR2 -SDRAM模块产品系列，并介绍
它的主要特征。
1.1
特点
通过EMRS2设置可编程自刷新速率
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
平均更新周期7.8
s
在
T
例
低于85 ℃，
在85 ℃ 95℃ 3.9μs 。
DCC通过EMRS2设置启用
所有输入和输出SSTL_18兼容
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
串行存在检测为E
2
舞会
SO- DIMM尺寸（标称） ：
30毫米高67.6毫米宽
基于标准的参考布局生卡“ D”
符合RoHS标准的产品
1)
200针PC2-6400 ， PC2-5300和PC2-4200 DDR2
SDRAM内存模块。
256M
×
64模块组织和2-
×
128M
×
8芯片
组织
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
2GB模块与内置堆叠1GB DDR2 SDRAM芯片的
PG- TFBGA - 71封装chipsize
比DDR2-400更快的所有速度等级符合
DDR2-400时序规范。
可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6） ，突发
长度（ 8 & 4 ）和突发类型
爆刷新，刷新分布式和自刷新
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–25F
PC2–6400
5–5–5
–2.5
PC2–6400
6–6–6
400
333
266
200
15
15
45
60
–3
PC2–5300
4–4–4
–
333
333
200
12
12
45
57
–3S
PC2–5300
5–5–5
–
333
266
200
15
15
45
60
–3.7
PC2–4200
4–4–4
–
266
266
200
15
15
45
60
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK6
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
400
400
266
200
12.5
12.5
45
57.5
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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小外形封装的DDR2 SDRAM模块
1.2
描述
存储器阵列的设计与叠1千兆位双精度型
数据速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩
电容器被安装在PCB上。该特性的DIMM
串行存在检测基于串行é
2
PROM设备
使用2针I
2
C协议。前128个字节是
编程的配置数据和被写保护;
第二个128字节是提供给客户。
奇梦达HYS64T256022EDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -B
模块系列是小外形模块“ SO- DIMM内存模块”与
基于DDR2技术3000毫米的高度。 DIMM是
可作为非ECC模块256M
×
64 （ 2 GB）
组织和密度，用于安装到200针
连接器插座。
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–6400
HYS64T256022EDL–25F–B
PC2–6400
HYS64T256022EDL–2.5–B
PC2–5300
HYS64T256022EDL–3–B
PC2–5300
HYS64T256022EDL–3S–B
PC2–4200
HYS64T256022EDL–3.7–B
2GB 2R × 8 PC2-4200S - 444-12 -D0
2级，非ECC
1吉比特（ × 8 ）
1 ）所有产品类型数字结尾的地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T256022EDL - 3.7 -B ，表示
修订版“B”的模具被用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
第6章
of
此数据表。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200S - 444-12 -D0 ”，其中
4200S是指SO -DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-12 ”，是指列地址选通（ CAS ）延迟= 4 ，
行列延迟（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD 1.2版和制作上
在原卡“ D” 。
合规守则
2)
2GB 2R × 8 PC2-6400S - 555-12 -D0
2GB 2R × 8 PC2-6400S - 666-12 -D0
2GB 2R × 8 PC2-5300S - 444-12 -D0
2GB 2R × 8 PC2-5300S - 555-12 -D0
描述
2级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
SDRAM技术
1吉比特（ × 8 ）
1吉比特（ × 8 ）
1吉比特（ × 8 ）
1吉比特（ × 8 ）
表3
地址格式
DIMM密度
2 GB的
模块
组织
256M
×64
内存
秩
2
ECC /
非ECC
非ECC
排名第
SDRAM的
16
＃行/行/列的位
14/3/10
RAW卡
D
表4
在模块组件
产品类型
1)
HYS64T256022EDL
DRAM组件
1)
HYB18T2G802BF
DRAM密度
2
×1
千兆位
DRAM组织
2× 128M
×8
记
2)
1 ）绿色产品
2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
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小外形封装的DDR2 SDRAM模块
2
引脚配置
小外形的DDR2 SDRAM DIMM的引脚配置中列出了功能
表5
（200引脚）。缩写
列引脚和缓冲器类型用于解释
表6
和
表7
分别。管脚号在描绘
图1
表5
SO- DIMM的引脚配置
球NO 。
时钟信号
30
164
32
166
79
80
CK0
CK1
CK0
CK1
CKE0
CKE1
NC
控制信号的
110
115
S0
S1
NC
108
113
109
地址信号
107
106
85
BA0
BA1
BA2
NC
I
I
I
NC
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
银行地址总线2
大于512MB的DDR2 SDRAM更高
超过1GB的DDR2 SDRAM少
银行地址总线2 ： 0
RAS
CAS
WE
I
I
NC
I
I
I
SSTL
SSTL
—
SSTL
SSTL
SSTL
没有连接
注： 1级模块
行地址选通
列地址选通
写使能
片选等级1 ： 0
I
I
I
I
I
I
NC
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
—
时钟使能等级1 ： 0
注： 2级模块
没有连接
注： 1级模块
时钟信号2 ： 0 ，补时钟信号2 ： 0
名字
针
TYPE
卜FF器
TYPE
功能
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5
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