2007年3月
HYS64T128020EDL–[25F/2.5/3/3S/3.7]–C
HYS64T256020EDL–[25F/2.5/3/3S/3.7]–C
2 0 0 - P中的SO - DIMMDDR 2 SDRAM莫dules
DDR2 SDRAM
SO -DIMM SDRAM
符合RoHS
互联网数据表
1.0版
互联网数据表
HYS64T[128/256]020EDL-[25F/2.5/3/3S/3.7]-C
SO -DIMM DDR2 SDRAM模组
HYS64T128020EDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -C ， HYS64T256020EDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -C
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2
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HYS64T[128/256]020EDL-[25F/2.5/3/3S/3.7]-C
SO -DIMM DDR2 SDRAM模组
1
概观
本章介绍了200针SO -DIMM DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
自动刷新的温度超过85°C
t
REFI
= 3.9 s.
通过EMRS2设置可编程自刷新速率。
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新。
通过EMRS2设置DCC实现。
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
串行存在检测为E
2
舞会
SO- DIMM尺寸（标称）：30毫米高，
67.6毫米宽
基于标准的参考布局生卡“ A”和
“F”
符合RoHS标准的产品
1)
200针PC2-6400 ， PC2-5300和PC2-4200 DDR2
SDRAM内存模块。
128M
×
64, 256M
×
64模块的组织和64M
×
16
和128M
×
8片组织
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
1 GB和2 GB的内置模块与1-Gb的DDR2 SDRAM
在PG- TFBGA - 84和PG- TFBGA - 60封装chipsize
比DDR2-400更快的所有速度等级符合
DDR2-400时序规范。
可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4,5和6 ） ，突发
长度（ 8 & 4 ）和突发类型
自动刷新（ CBR）和自刷新
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–2.5F
PC2–6400
5–5–5
–2.5
PC2–6400
6–6–6
400
333
266
200
15
15
45
60
–3
PC2–5300
4–4–4
—
333
333
200
12
12
45
57
–3S
PC2–5300
5–5–5
—
333
266
200
15
15
45
60
–3.7
PC2–4200
4–4–4
—
266
266
200
15
15
45
60
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK6
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
400
400
266
200
12.5
12.5
45
57.5
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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HYS64T[128/256]020EDL-[25F/2.5/3/3S/3.7]-C
SO -DIMM DDR2 SDRAM模组
1.2
描述
存储器阵列的设计与1-Gb双数据速率 -
二（DDR2 ）同步DRAM中。去耦电容
被安装在所述PCB板。该功能的DIMM串行
出现检测基于串行é
2
使用PROM设备
2针I
2
C协议。前128字节被编程
配置数据和写保护;第二个
128字节是提供给客户。
奇梦达HYS64T [ 128/256 ] 020EDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 ] -C
模块系列是小外形DIMM模块“ SO- DIMM内存模块”
30毫米的高度基于DDR2技术。 DIMM是
可作为非ECC模块128M
×
64 （ 1GB ）和
256M
×
64 （ 2 GB）的组织和密度，适用于
安装到200针连接器插座。
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–6400
HYS64T128020EDL–25F–C
HYS64T256020EDL–25F–C
PC2–6400
HYS64T128020EDL–2.5–C
HYS64T256020EDL–2.5–C
PC2–5300
HYS64T128020EDL–3–C
HYS64T256020EDL–3–C
PC2–5300
HYS64T128020EDL–3S–C
HYS64T256020EDL–3S–C
PC2–4200
HYS64T128020EDL–3.7–C
HYS64T256020EDL–3.7–C
1 GB 2R × 16 PC2-4200S - 444-12 -A0
2 GB 2R × 8 PC2-4200S - 444-12 -F0
2等级，非ECC
2等级，非ECC
1吉比特（ × 16 ）
1吉比特（ × 8 ）
1 GB 2R × 16 PC2-5300S - 555-12 -A0
2 GB 2R × 8 PC2-5300S - 555-12 -F0
2等级，非ECC
2等级，非ECC
1吉比特（ × 16 ）
1吉比特（ × 8 ）
1 GB 2R × 16 PC2-5300S - 444-12 -A0
2 GB 2R × 8 PC2-5300S - 444-12 -F0
2等级，非ECC
2等级，非ECC
1吉比特（ × 16 ）
1吉比特（ × 8 ）
1 GB 2R × 16 PC2-6400S - 666-12 -A0
2 GB 2R × 8 PC2-6400S - 666-12 -F0
2等级，非ECC
2等级，非ECC
1吉比特（ × 16 ）
1吉比特（ × 8 ）
1 GB 2R × 16 PC2-6400S - 555-12 -A0
2 GB 2R × 8 PC2-6400S - 555-12 -F0
2等级，非ECC
2等级，非ECC
1吉比特（ × 16 ）
1吉比特（ × 8 ）
合规守则
2)
描述
SDRAM
技术
1 ）所有产品类型数字结尾的地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T128020EDL - 3.7 -C ，说明修订
“C”的模具被用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
第6章
此数据的
表。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200S - 444-12 -A0 ”，其中4200S
是指无缓冲SO -DIMM模块4.26 GB /秒带宽模块和“ 444-12 ”，是指列地址选通（ CAS ）延迟
= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD 1.2版并制作
对原卡“ A” 。
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HYS64T[128/256]020EDL-[25F/2.5/3/3S/3.7]-C
SO -DIMM DDR2 SDRAM模组
表3
地址格式
DIMM
密度
1千兆字节
2 GB的
模块
组织
128M
×
64
256M
×
64
内存
秩
2
2
ECC /
非ECC
非ECC
非ECC
＃的＃的SDRAM行/行/列
位
8
16
13/3/10
14/3/10
生
卡
A
F
表4
在模块组件
产品类型
HYS64T128020EDL
HYS64T256020EDL
DRAM组件
HYB18T1G160CF
HYB18T1G800CF
DRAM密度
1千兆
1千兆
DRAM组织
64M
×
16
128M
×
8
记
1)2)
—
—
1）对于在这些模块上的DRAM组件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
2 ）绿色产品
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