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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第782页 > HYS64T128021EDL-3-B2
2007年10月
HYS64T32x00EDL–[25F/…/3.7]–B2
HYS64T64x20EDL–[25F/…/3.7]–B2
HYS64T128x21EDL–[25F/…/3.7]B2
200针SO -DIMM DDR2 SDRAM模组
DDR2 SDRAM
符合RoHS标准的产品
互联网数据表
修订版1.13
互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
HYS64T32x00EDL- [ 25F / ...... / 3.7 B2 ， HYS64T64x20EDL- [ 25F / ...... / 3.7 B2 ， HYS64T128x21EDL- [ 25F / ...... / 3.7 ] B2
修订历史： 2007-10 ，牧师1.13
页面
5-11
16, 17, 23
所有
所有
4
科目（自上次调整的重大变化）
社论变化和适应网络版
技术变化图更新
编辑修改
更新HYS64T [ 32/64/128 ] 9xxEDL- [ 25F /.../ 3.7 ] （ - ） B2
表2修正的产品线，以21位
以前的版本1.11 ， 2007-09
以前的版本1.11 ， 2007-08
以前的1.1版本， 2007-01
以前的版本1.0 ， 2006-10
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techdoc@qimonda.com
qag_techdoc_rev411 / 3.31质量保证小组/ 2007-01-22
08212006-PKYN-2H1B
2
互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
1
概观
本章提供了200引脚小外形DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
自动刷新（ CBR）和自刷新
自动刷新的温度超过85°C
t
REFI
= 3.9
s.
通过EMRS2设置可编程自刷新速率。
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新。
通过EMRS2设置DCC实现。
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
串行存在检测为E
2
舞会
SO- DIMM尺寸（标称）：30毫米高， 67.6毫米
WIDE
基于标准的参考布局原卡'A' ， 'C'
和“E”
符合RoHS标准的产品
1)
200针PC2-6400 ， PC2-5300和PC2-4200 DDR2
SDRAM内存模块。
128M
×
64, 32M
×
64, 64M
×
64模块的组织，并
32M
×
16, 64M
×
8片组织
1GB ， 512MB ， 256MB模块与内置的512Mb DDR2
在PG- TFBGA -60和PG- TFBGA -84 chipsize的SDRAM
包。
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
比DDR2-400更快的所有速度等级符合
DDR2-400时序规范。
可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6） ，突发
长度（8 & 4）。
表1
性能表
质量保证小组的速度代码
DRAM速度等级
模块速度等级
CAS- RCD -RP潜伏期
马克斯。
时钟频率
CL3
CL4
CL5
CL6
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
1)
分钟。行周期时间
DDR2
PC2
–25F
–800D
–6400D
5–5–5
–2.5
–800E
–6400E
6–6–6
200
266
333
400
15
15
45
–3
–667C
–5300C
4–4–4
200
333
333
–
12
12
45
–3S
–667D
–5300D
5–5–5
200
266
333
–
15
15
45
60
–3.7
–533C
–4200C
4–4–4
200
266
266
–
15
15
45
60
单位
t
CK
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
57.5
60
57
1 ） 2007年1月8日之后发布的产品将支持
t
RAS
= 40 ns的所有DDR2速度排序。
f
CK3
f
CK4
f
CK5
f
CK6
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
200
266
400
–
12.5
12.5
45
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
牧师1.13 ， 2007-10
08212006-PKYN-2H1B
3
互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
1.2
描述
存储器阵列的设计与512Mbit的双数据 -
速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。
脱钩
电容器被安装在PCB板。安装DIMM
功能串行存在检测基于串行é
2
舞会
使用2针I设备
2
C协议。前128个字节是
编程的配置数据和被写保护;
第二个128字节是提供给客户。
奇梦达HYS64T [ 32/64/128 ] xxxEDL- [ 25F / ...... / 3.7 ] （ - ） B2
模块系列是小外形DIMM模块“ SO- DIMM内存模块”
30毫米的高度基于DDR2技术。 DIMM是
可作为非ECC模块
in128M
×
64 （ 1GB ） ，
32M
×
64 （ 256MB ） ， 64M
×
64 （ 512MB ）的组织，
密度，用于安装到200针的连接器
插槽。
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2-6400-555
HYS64T128921EDL–25FB2
HYS64T64920EDL–25F–B2
HYS64T32900EDL–25F–B2
HYS64T128021EDL–25FB2
HYS64T64020EDL–25F–B2
HYS64T32000EDL–25F–B2
PC2-6400-666
HYS64T128921EDL–2.5B2
HYS64T64920EDL–2.5–B2
HYS64T32900EDL–2.5–B2
HYS64T128021EDL–2.5B2
HYS64T64020EDL–2.5–B2
HYS64T32000EDL–2.5–B2
PC2-5300-444
HYS64T128921EDL–3–B2
HYS64T64920EDL–3–B2
HYS64T32900EDL–3–B2
HYS64T128021EDL–3–B2
HYS64T64020EDL–3–B2
HYS64T32000EDL–3–B2
PC2-5300-555
HYS64T128921EDL–3S–B2
HYS64T64920EDL–3S–B2
HYS64T32900EDL–3S–B2
HYS64T128021EDL–3S–B2
HYS64T64020EDL–3S–B2
HYS64T32000EDL–3S–B2
1GB 2R × 8 PC2-5300S - 555-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-5300S - 555-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-5300S - 555-12 -C0
1GB 2R × 8 PC2-5300S - 555-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-5300S - 555-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-5300S - 555-12 -C0
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
1GB 2R × 8 PC2-5300S - 444-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-5300S - 444-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-5300S - 444-12 -C0
1GB 2R × 8 PC2-5300S - 444-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-5300S - 444-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-5300S - 444-12 -C0
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
1GB 2R × 8 PC2-6400S - 666-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-6400S - 666-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-6400S - 666-12 -C0
1GB 2R × 8 PC2-6400S - 666-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-6400S - 666-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-6400S - 666-12 -C0
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
1GB 2R × 8 PC2-6400S - 555-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-6400S - 555-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-6400S - 555-12 -C0
1GB 2R × 8 PC2-6400S - 555-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-6400S - 555-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-6400S - 555-12 -C0
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
合规守则
2)
描述
SDRAM技术
牧师1.13 ， 2007-10
08212006-PKYN-2H1B
4
互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
产品类型
1)
PC2-4200-444
HYS64T128921EDL–3.7B2
HYS64T64920EDL–3.7–B2
HYS64T32900EDL–3.7–B2
HYS64T128021EDL–3.7B2
HYS64T64020EDL–3.7–B2
HYS64T32000EDL–3.7–B2
合规守则
2)
1GB 2R × 8 PC2-4200S - 444-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-4200S - 444-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-4200S - 444-12 -C0
1GB 2R × 8 PC2-4200S - 444-12 - E0
512MB 2R × 16 PC2-4200S - 444-12 -A0
256MB 1R × 16 PC2-4200S - 444-12 -C0
描述
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
2级，非ECC
2级，非ECC
1等级，非ECC
SDRAM技术
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 16 ）
512Mbit的（ × 16 ）
1 ）有关奇梦达的产品型号请参见本数据表的章"Product类型Nomenclature"的详细信息。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，例如"PC2-6400S - 555-12 - E0" ，其中6400S
指小外形DIMM模块6.40 GB /秒带宽模块和"555-12"指列地址选通（ CAS ）延迟
= 5 ，行列延时（ RCD）的延迟= 5和行预充电（ RP ）延迟= 5采用了最新的JEDEC SPD 1.2版并制作
对原卡"E" 。
表3
地址格式
DIMM
密度
1GB
512MB
256MB
模块
组织
128M
×
64
64M
×
64
32M
×
64
内存
秩
2
2
1
ECC /
非ECC
非ECC
非ECC
非ECC
＃的＃的SDRAM行/行/列
位
16
8
4
14/2/10
13/2/10
13/2/10
生
卡
E
A
C
表4
在模块组件
产品类型
1)2)
HYS64T128921EDL
HYS64T128021EDL
HYS64T64920EDL
HYS64T64020EDL
HYS64T32900EDL
HYS64T32000EDL
DRAM组件
1)
HYB18T512800B2F
HYB18T512800B2F
HYB18T512160B2F
HYB18T512160B2F
HYB18T512160B2F
HYB18T512160B2F
DRAM密度
512Mbit
512Mbit
512Mbit
512Mbit
512Mbit
512Mbit
DRAM组织
64M
×
8
64M
×
8
32M
×
16
32M
×
16
32M
×
16
32M
×
16
1 ）绿色产品
2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
牧师1.13 ， 2007-10
08212006-PKYN-2H1B
5
2007年1月
HYS64T32x00EDL–[25F/…/3.7]–B2
HYS64T64x20EDL–[25F/…/3.7]–B2
HYS64T128x21EDL–[25F/…/3.7]B2
200针SO -DIMM DDR2 SDRAM模组
DDR2 SDRAM
符合RoHS标准的产品
互联网数据表
修订版1.1
互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
HYS64T32x00EDL- [ 25F / ...... / 3.7 B2 ， HYS64T64x20EDL- [ 25F / ...... / 3.7 B2 ， HYS64T128x21EDL- [ 25F / ...... / 3.7 ] B2
修订历史： 2007-01 ，牧师1.1
页面
所有
所有
4
科目（自上次调整的重大变化）
改编网络版
更新HYS64T [ 32/64/128 ] 9xxEDL- [ 25F /.../ 3.7 ] （ - ） B2
表2修正的产品线，以21位
上一个版本： 2006-10 ，牧师1.0
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你觉得本文件中的任何信息是错误的，不明确或缺少呢？
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techdoc@qimonda.com
qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07
08212006-PKYN-2H1B
2
互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
1
概观
本章介绍了200针SO -DIMM DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
通过EMRS2设置可编程的自刷新率
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
通过EMRS2设置DCC使
所有速度等级的速度比DDR2-400符合
DDR2-400时序规范。
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
串行存在检测为E
2
舞会
SO- DIMM尺寸（标称）：30毫米高，
67.60毫米宽
基于标准的参考布局生卡“ A” ，
“C” ， “E”
符合RoHS标准的产品
1)
200针PC2-6400 ， PC2-5300和PC2-4200 DDR2
用作主内存时， SDRAM内存模块
安装在系统中，如移动台个人电脑。
32M
×
64, 64M
×
64和128M
×
64模块
组织和32M
×
16, 64M
×
8片组织
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
内建512 - Mbit的256MB ， 512MB和1GB模块
DDR2 SDRAM的在PG- TFBGA -60和PG- TFBGA -84
chipsize包
可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6） ，突发
长度（ 8 & 4 ）和突发类型
自动刷新（ CBR）和自刷新
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–2.5F
PC2–6400
5–5–5
–2.5
PC2–6400
6–6–6
400
333
266
200
15
15
45
60
–3
PC2–5300
4–4–4
—
333
333
200
12
12
45
57
–3S
PC2–5300
5–5–5
—
333
266
200
15
15
45
60
–3.7
PC2–4200
4–4–4
—
266
266
200
15
15
45
60
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK6
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
400
400
266
200
12.5
12.5
45
57.5
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版1.1 ， 2007-01
08212006-PKYN-2H1B
3
互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
1.2
描述
电容器被安装在PCB板。安装DIMM
功能串行存在检测基于串行é
2
舞会
使用2针I设备
2
C协议。前128个字节是
编程的配置数据和被写保护;
第二个128字节是提供给客户。
奇梦达HYS64T [ 32/64/128 ] xxxEDL- [ 25F / ...... / 3.7 ] （ - ） B2
模块系列是小外形DIMM模块“ SO- DIMM内存模块”
30毫米的高度基于DDR2技术。 DIMM是
可作为在32M非ECC模块
×
64 （ 256 MB ） ，
64M
×
64 （ 512 MB ）和128M
×
64 （ 1 GB）组织
密度，用于安装到200针的连接器
插槽。
存储器阵列的设计与512兆位双数据 -
速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–6400
HYS64T32000EDL–25F–B2
HYS64T32900EDL–25F–B2
HYS64T64020EDL–25F–B2
HYS64T64920EDL–25F–B2
HYS64T128021EDL–25FB2
HYS64T128921EDL–25FB2
PC2–6400
HYS64T32000EDL–2.5–B2
HYS64T32900EDL–2.5–B2
HYS64T64020EDL–2.5–B2
HYS64T64920EDL–2.5–B2
HYS64T128021EDL–2.5B2
HYS64T128921EDL–2.5B2
PC2–5300
HYS64T32000EDL–3–B2
HYS64T32900EDL–3–B2
HYS64T64020EDL–3–B2
HYS64T64920EDL–3–B2
HYS64T128021EDL–3–B2
HYS64T128921EDL–3–B2
PC2–5300
HYS64T32000EDL–3S–B2
HYS64T32900EDL–3S–B2
HYS64T64020EDL–3S–B2
HYS64T64920EDL–3S–B2
HYS64T128021EDL–3S–B2
HYS64T128921EDL–3S–B2
256 MB 1R
×
16 PC2-5300S - 555-12 -C0
512 MB 2R
×
16 PC2-5300S - 555-12 -A0
1 GB 2R
×
8 PC2-5300S - 555-12 - E0
1等级，非ECC
2等级，非ECC
2等级，非ECC
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 8 ）
256 MB 1R
×
16 PC2-5300S - 444-12 -C0
512 MB 2R
×
16 PC2-5300S - 444-12 -A0
1 GB 2R
×
8 PC2-5300S - 444-12 - E0
1等级，非ECC
2等级，非ECC
2等级，非ECC
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 8 ）
256 MB 1R
×
16 PC2-6400S - 666-12 -C0
512 MB 2R
×
16 PC2-6400S - 666-12 -A0
1 GB 2R
×
8 PC2-6400S - 666-12 - E0
1等级，非ECC
2等级，非ECC
2等级，非ECC
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 8 ）
256 MB 1R
×
16 PC2-6400S - 555-12 -C0
512 MB 2R
×
16 PC2-6400S - 555-12 -A0
1 GB 2R
×
8 PC2-6400S - 555-12 - E0
1等级，非ECC
2等级，非ECC
2等级，非ECC
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 8 ）
合规守则
2)
描述
SDRAM
技术
修订版1.1 ， 2007-01
08212006-PKYN-2H1B
4
互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
产品类型
1)
PC2–4200
HYS64T32000EDL–3.7–B2
HYS64T32900EDL–3.7–B2
HYS64T64020EDL–3.7–B2
HYS64T64920EDL–3.7–B2
HYS64T128021EDL–3.7B2
HYS64T128921EDL–3.7B2
合规守则
2)
描述
SDRAM
技术
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 16 ）
512兆位（ × 8 ）
256 MB 1R
×
16 PC2-4200S - 444-12 -C0
512 MB 2R
×
16 PC2-4200S - 444-12 -A0
1 GB 2R
×
8 PC2-4200S - 444-12 - E0
1等级，非ECC
2等级，非ECC
2等级，非ECC
1 ）所有产品类型数字结尾的地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T64020EDL - 3.7 -B2 ，表明
修订版“B”的模具被用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
第6章
of
此数据表。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200S - 444-12 -A0 ”，其中
4200S是指小轮廓无缓冲DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-12 ”，是指列地址
选通（ CAS ）延迟= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD
1.2版并制作的原始卡“ A” 。
表3
地址格式
DIMM
密度
256兆字节
512兆字节
1千兆字节
模块
组织
32M
×
64
64M
×
64
128M
×
64
内存
秩
1
2
2
ECC /
非ECC
非ECC
非ECC
非ECC
＃的＃的SDRAM行/行/列
位
4
8
16
13/2/10
13/2/10
14/2/10
生
卡
C
A
E
表4
在模块组件
产品类型
1)2)
HYS64T32000EDL
HYS64T32900EDL
HYS64T64020EDL
HYS64T64920EDL
HYS64T128021EDL
HYS64T128921EDL
DRAM组件
2)
HYB18T512160B2F
HYB18T512160B2F
HYB18T512800B2F
DRAM密度
512兆位
512兆位
512兆位
DRAM组织
32M
×
16
32M
×
16
64M
×
8
1）对于在这些模块上的DRAM组件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
2 ）绿色产品
修订版1.1 ， 2007-01
08212006-PKYN-2H1B
5
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