【2006年12月HYS64T32x00HU–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–BHYS[64】,IC型号HYS64T128020HU-25F-B,HYS64T128020HU-25F-B PDF资料,HYS64T128020HU-25F-B经销商,ic,电子元器件-51电子网

2006年12月

HYS64T32x00HU–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

HYS[64/72]T64x00HU–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

HYS[64/72]T128x20HU–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

240针无缓冲DDR2 SDRAM模组

DDR2 SDRAM

SDRAM UDIMM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.3

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

无缓冲DDR2 SDRAM模组

HYS64T32x00HU- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -B ， HYS [ 64/72 ] T64x00HU- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -B ，

HYS[64/72]T128x20HU–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

修订历史： 2006-12 ，牧师1.3

页面

所有

4, 5

45, 46

科目（自上次调整的重大变化）

改编网络版

增加了白牌产品的速度等级-3S和-3.7

对于速度等级-3S ，并添加白牌产品-3.7至IDD表。

70, 74, 78,

更新SPD代码-3S和-3.7白牌产品。

上一个版本： 2006-09 ，牧师1.21

所有

更新奇梦达

SPD代码更新

加入PC2-6400-555产品类型

额外

电流

增加了速度等级为斌DDR2-800D

额外

测量Contions的DDR2-800D

加入社民党代码PC2-6400-555产品类型

上一个版本： 2006-06 ，牧师1.2

上一个版本： 2006-01 ，牧师1.1

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03292006-6GMD-RSFT

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

无缓冲DDR2 SDRAM模组

概观

本章介绍了240针无缓冲DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

自动刷新（ CBR）和自刷新

通过EMRS2设置可编程的自刷新率

通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新

平均更新周期7.8

在

例

低于

85 ℃下， 3.9μs之间85 ℃和95 ℃。

通过EMRS2设置DCC使

所有输入和输出SSTL_1.8兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和

片上端接（ ODT ）

串行存在检测为E

舞会

UDIMM尺寸（标称）：

30毫米高， 133.35毫米宽

基于标准的参考布局生卡“ C” ，

“D” ，“E” ， “F”和“G”的

符合RoHS标准的产品

功能列表和性能表

240引脚PC2-6400 ， PC2-5300 ， PC2-4200和

PC2-3200 DDR2 SDRAM内存模块。

32M

64, 64M

72, 128M

64和128M

×72

模块的组织和32M

16, 64M

8芯片

组织

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

内建512 - Mbit的256MB ， 512MB和1GB模块

DDR2 SDRAM芯片的P- TFBGA - 84和P- TFBGA - 60

chipsize包

比DDR2-400快所有速度等级符合

DDR2-400时序规范。

可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4和5 ），

突发长度（ 8 & 4 ）和突发类型

表1

性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL6

CK6

@CL5

CK5

@CL4

CK4

@CL3

CK3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–25F

PC2–6400

5–5–5

400

266

200

12.5

57.5

–2.5

PC2–6400

6–6–6

400

333

266

200

–3

PC2–5300

4–4–4

—

333

200

–3S

PC2–5300

5–5–5

—

333

266

200

–3.7

PC2–4200

4–4–4

—

266

200

–5

PC2–3200

3–3–3

—

200

单位

—

兆赫

RCD

RAS

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

修订版1.3 ， 2006-12

03292006-6GMD-RSFT

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HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

存储器阵列的设计与512兆位双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩

电容器被安装在PCB板。安装DIMM

功能串行存在检测基于串行é

舞会

使用2针I设备

C协议。前128个字节是

编程的配置数据和被写保护;

第二个128字节是提供给客户。

奇梦达HYS [ 64/72 ] T [ 32/64/128 ] xx0HU- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -B

模块系列是无缓冲DIMM模块“ UDIMM的”与

基于DDR2技术3000毫米的高度。 DIMM是

可作为在32M非ECC模块

64 （ 256 MB ），

64M

64 （ 512 MB ）， 128M

64 （ 1 GB ），并作为ECC模块

在64M

72 （ 512 MB ）， 128M

72 （ 1 GB）组织

密度，用于安装到240针连接器

插槽。

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

PC2–6400

HYS64T32000HU–25F–B

HYS64T64000HU–25F–B

HYS72T64000HU–25F–B

HYS64T128020HU–25F–B

HYS72T128020HU–25F–B

PC2–6400

HYS64T32000HU–2.5–B

HYS64T64000HU–2.5–B

HYS72T64000HU–2.5–B

HYS64T128020HU–2.5–B

HYS72T128020HU–2.5–B

PC2–5300

HYS64T32000HU–3–B

HYS64T64000HU–3–B

HYS72T64000HU–3–B

HYS64T128020HU–3–B

HYS72T128020HU–3–B

PC2–5300

HYS64T32000HU–3S–B

HYS64T32900HU–3S–B

HYS64T64000HU–3S–B

HYS64T64900HU–3S–B

HYS72T64000HU–3S–B

HYS64T128020HU–3S–B

HYS64T128920HU–3S–B

HYS72T128020HU–3S–B

256 MB 1R × 16 PC2-5300U - 555-12 -C1

512 MB 1R × 8 PC2-5300U - 555-12 -D0

512 MB 1R × 8 PC2-5300E - 555-12 -F0

1 GB 2R × 8 PC2-5300U - 555-12 - E0

1 GB 2R × 8 PC2-5300E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-5300U - 444-12 -C1

512 MB 1R × 8 PC2-5300U - 444-12 -D0

512 MB 1R × 8 PC2-5300E - 444-12 -F0

1 GB 2R × 8 PC2-5300U - 444-12 - E0

1 GB 2R × 8 PC2-5300E - 444-12 - G0

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-6400U - 666-12 -C1

512 MB 1R × 8 PC2-6400U - 666-12 -D0

512 MB 1R × 8 PC2-6400E - 666-12 -F0

1 GB 2R × 8 PC2-6400U - 666-12 - E0

1 GB 2R × 8 PC2-6400E - 666-12 - G0

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-6400U - 555-12 -C1

512 MB 1R × 8 PC2-6400U - 555-12 -D0

512 MB 1R × 8 PC2-6400E - 555-12 -F0

1 GB 2R × 8 PC2-6400U - 555-12 - E0

1 GB 2R × 8 PC2-6400E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

合规守则

描述

SDRAM

技术

修订版1.3 ， 2006-12

03292006-6GMD-RSFT

互联网数据表

HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

无缓冲DDR2 SDRAM模组

产品类型

PC2–4200

HYS64T32000HU–3.7–B

HYS64T32900HU–3.7–B

HYS64T64000HU–3.7–B

HYS64T64900HU–3.7–B

HYS72T64000HU–3.7–B

HYS64T128020HU–3.7–B

HYS64T128920HU–3.7–B

HYS72T128020HU–3.7–B

PC2–3200

HYS64T32000HU–5–B

HYS64T64000HU–5–B

HYS72T64000HU–5–B

HYS64T128020HU–5–B

HYS72T128020HU–5–B

合规守则

描述

SDRAM

技术

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-4200U - 444-12 -C1

512 MB 1R × 8 PC2-4200U - 444-12 -D0

512 MB 1R × 8 PC2-4200E - 444-12 -F0

1 GB 2R × 8 PC2-4200U - 444-12 - E0

1 GB 2R × 8 PC2-4200E - 444-12 - G0

256 MB 1R × 16 PC2-3200U - 333-12 -C1

512 MB 1R × 8 PC2-3200U - 333-12 -D0

512 MB 1R × 8 PC2-3200E - 333-12 -F0

1 GB 2R × 8 PC2-3200U - 333-12 - E0

1 GB 2R × 8 PC2-3200E - 333-12 - G0

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

2级， ECC

1 ）所有产品类型数字结尾的地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T64000HU - 3.7 -B ，表示修订版

“B”的模具被用于DDR2 SDRAM组件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

第6章

此数据的

表。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200U - 444-12 - C1 ”，其中

4200U是指无缓冲DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-12 ”，是指列地址选通（ CAS ）

延时= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD版本1.2和

生产的原卡“ C” 。

修订版1.3 ， 2006-12

03292006-6GMD-RSFT