32Mx64位
无缓冲DDR SDRAM DIMM
HYMD232646A8J
描述
初步
海力士HYMD232646A8J系列是无缓冲的184针双数据速率同步DRAM双列直插内存模组
ULES （ DIMM）的该组织为32Mx64高速存储器阵列。海力士HYMD232646A8J系列由
8 32Mx8 DDR SDRAM在400mil TSOP上184PIN玻璃环氧substrate.Hynix HYMD232646A8J II封装
系列提供一种高性能的8字节接口中的工业标准5.25"宽度的外形。它适合于容易
交换和补充。
海力士HYMD232646A8J系列是专为最高的高速至200MHz ，并提供完全同步操作
引用到的差分时钟输入的上升沿和下降沿。而所有地址和控制输入是
锁存时钟，数据，数据选通脉冲的上升沿和写入数据掩码输入的采样上的上升沿
和下降沿它的边缘。的数据通路内部流水线和2位预取，以达到非常高的带宽。所有
输入和输出电压值与SSTL_2兼容。高速的频率，可编程延迟和
突发长度可在高性能存储系统的各种设备的操作。
海力士HYMD232646A8J系列采用SPD（串行存在检测） 。串行存在检测功能imple-
通过串行2048位的EEPROM mented 。第128字节的串行数据的PD是由力士编程以识别
DIMM的类型，容量和DIMM的其他信息和最后128个字节是提供给客户。
特点
256MB （ 32M ×64 ）无缓冲DDR DIMM基于
32Mx8 DDR SDRAM
JEDEC标准的184针双列直插内存模组
ULE （ DIMM ）
2.5V +/- 0.2V VDD和VDDQ电源
2.6V +/- 0.1V VDD和VDDQ电源供应
DDR400
所有输入和输出都与SSTL_2兼容
接口
全差分时钟操作（ CK & / CK ）与
125MHz/133MHz/166MHz/200MHz
所有的地址和控制输入，除了数据，数据
选通和数据锁存口罩的上升沿
时钟
数据（ DQ ） ，数据选通信号和写口罩锁存
上升沿和下降沿的时钟的边缘
在DQS数据输入中心的时候写（居中
DQ ）
数据选通脉冲与输出数据的读同步
并写入输入数据
可编程CAS延时3/2 / 2.5的支持
可编程的突发长度2 /4/8既
顺序和交错模式
tRAS的锁定功能的支持
内置4组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
8192刷新周期/ 64ms的
订购信息
产品型号
HYMD232646A8J-J
HYMD232646A8J-D4
HYMD232646A8J-D43
电源
V
DD
=V
DDQ
=2.5V
V
DD
=V
DDQ
=2.6V
V
DD
=V
DDQ
=2.6V
时钟频率
为166MHz （ DDR333 ）
为200MHz （ DDR400 ）
为200MHz （ DDR400 ）
接口
SSTL_2
SSTL_2
SSTL_2
外形
184PIN DIMM无缓冲
5.25 X 1.25 X 0.15英寸
184PIN DIMM无缓冲
5.25 X 1.25 X 0.15英寸
184PIN DIMM无缓冲
5.25 X 1.25 X 0.15英寸
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版0.2 / 2003年4月
1
HYMD232646A8J
引脚说明
针
CK0,/CK0,CK1,/CK1,CK2,/CK2
CS0
CKE0
/ RAS ， / CAS ， / WE
A0 ~ A12
BA0 ， BA1
DQ0~DQ63
DQS0~DQS7
DM0~DM7
VDD
引脚说明
差分时钟输入
片选输入
时钟使能输入
赞扬设置输入
地址
银行地址
数据输入/输出
数据选通输入/输出
数据掩码
电源
针
VDDQ
VSS
VREF
VDDSPD
SA0~SA2
SCL
SDA
VDDID
DU
NC
引脚说明
的DQ电源
地
基准电源
电源的防雷器
E
2
PROM的地址输入
E
2
PROM时钟
E
2
PROM的数据I / O
VDD识别标志
不要使用
无连接
引脚分配
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
名字
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
NC
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDDQ
CK1
/CK1
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDDQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
A7
VDDQ
DQ19
53
54
55
56
57
58
59
60
61
针
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
关键
DQ32
VDDQ
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
名字
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
VSS
A1
CB0*
CB1*
VDD
DQS8*
A0
CB2*
VSS
CB3*
BA1
针
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
名字
VDDQ
/ WE
DQ41
/ CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
NC
DQ48
DQ49
VSS
/CK2
CK2
VDDQ
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
WP
SDA
SCL
针
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
名字
VSS
DQ4
DQ5
VDDQ
DM0
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
A13*
VDDQ
DQ12
DQ13
DM1
VDD
DQ14
DQ15
CKE1
VDDQ
BA2*
DQ20
A12
VSS
DQ21
A11
DM2
VDD
DQ22
A8
DQ23
145
146
147
148
149
150
151
152
153
针
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
关键
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
名字
VSS
A6
DQ28
DQ29
VDDQ
DM3
A3
DQ30
VSS
DQ31
CB4*
CB5*
VDDQ
CK0
/CK0
VSS
DM8*
A10
CB6*
VDDQ
CB7*
针
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
名字
/ RAS
DQ45
VDDQ
/CS0
/CS1
DM5
VSS
DQ46
DQ47
NC
VDDQ
DQ52
DQ53
NC
VDD
DM6
DQ54
DQ55
VDDQ
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7
DQ62
DQ63
VDDQ
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
*这些此模块上不使用，而是可以用于在184PIN的DIMM家族其它模块
修订版0.2 / 2003年4月
2
HYMD232646A8J
功能框图
/CS0
DQS0
DM0/DQS9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/ CS
的DQ
DQS4
DM4/DQS13
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/ CS
的DQ
D0
D4
DQS1
DM1/DQS10
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/ CS
的DQ
DQS5
DM5/DQS14
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/ CS
的DQ
D1
D5
DQS2
DM2/DQS11
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/ CS
的DQ
DQS6
DM6/DQS15
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/ CS
的DQ
D2
D6
DQS3
DM3/DQS12
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/ CS
的DQ
DQS7
DM7/DQS16
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/ CS
的DQ
D3
D7
串行PD
SCL
WP
A0
A1
A2
SA2
SDA
*时钟布线
时钟输入
* CK0 ， / CK0
* CK1 ， / CK1
* CK2 ， / CK2
SDRAM的
2 SDRAM的
3 SDRAM的
3 SDRAM的
VDD SPD
VDD / VDDQ
SPD
DO-D7
DO-D7
DO-D7
表带：见注4
VREF
VSS
VDDID
SA0 SA1
*每个时钟加载线
表/接线图
注意：
BA0-BA1
A0-A13
/ RAS
/ CAS
CKE0
/ WE
BA0 - BA1 ： SDRAM的D0 - D7
A0 - A13 ： SDRAM的D0 - D7
/ RAS ： SDRAM芯片D0-D7
/ CAS ： SDRAM的D0 - D7
CKE ： SDRAM的D0 - D7
/ WE ： SDRAM芯片D0-D7
1. DQ到I / O接线如图推荐，但可能
被改变。
2. DQ / DQS / DM / CKE / S的关系必须保持
如图所示。
3. DQ ， DQS ， DM / DQS电阻： 22欧姆± 5 ％ 。
4. VDDID表带连接
（对于存储设备VDD ， VDDQ ） ：
表带OUT （ OPEN ） ： VDD = VDDQ
表带（ VSS ） ： VDD
≠V
DDQ
5. BAX ，斧， RAS ， CAS，WE电阻： 5.1欧姆± 5 ％
修订版0.2 / 2003年4月
3
HYMD232646A8J
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
电压输入相对于V
SS
电压I相对于V / O引脚
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
在V电压
DDQ
相对于V
SS
输出短路电流
功耗
焊接温度·时间
T
A
T
英镑
V
IN
V
IO
V
DD
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
50
8
260 / 10
等级
o
o
单位
C
C
V
V
V
V
mA
W
o
C
/秒
记
：在操作上述绝对最大额定值可能产生不利器件可靠性的影响
直流工作条件
（ TA = 0 70
o
C，电压参考V
SS
= 0V)
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
终止电压
参考电压
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
TT
V
REF
符号
民
2.3
2.5
2.3
2.5
V
REF
+ 0.15
-0.3
V
REF
- 0.04
0.49*V
DDQ
典型值。
2.5
2.6
2.5
2.6
-
-
V
REF
0.5*V
DDQ
最大
2.7
2.7
2.7
2.7
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
REF
+ 0.04
0.51*V
DDQ
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
3
2
4
1
1,4
记
注意：
1. V
DDQ
一定不能超过V的电平
DD
.
2. V
IL
（分钟）是可以接受的-1.5V交流脉冲宽度< 5ns的持续时间。
3. V的值
REF
约等于0.5V
DDQ
.
4.对于DDR400 ， VDD = 2.6V +/- 0.1V ， VDDQ = 2.6V +/- 0.1V
修订版0.2 / 2003年4月
4
HYMD232646A8J
交流工作条件
（ TA = 0 70
o
C，电压参考V
SS
= 0V)
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入差分电压， CK和/ CK投入
输入交叉点电压， CK和/ CK投入
符号
V
IH （AC）的
V
白细胞介素（AC）的
V
的ID （AC）的
V
IX（ AC）
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
民
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+ 0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
记
注意：
1. VID是CK的输入电平与所述输入上/ CK之间的差的量值。
2. VIX的值预计相当于发送装置0.5 * V DDQ和必须跟踪变化的相同的DC电平。
AC运行试验条件
（ TA = 0 70
o
C，电压参考VSS = 0V ）
参数
参考电压
终止电压
AC输入高电平电压（V
IH
，分）
AC输入低电平电压（V
IL
，最大值）
输入定时测量参考电平电压
输出时序测量参考电平电压
输入信号的最大峰值摆幅
最小输入信号斜率
端接电阻器（R
T
)
串联电阻（R
S
)
输出负载电容的访问时间测量（C
L
)
价值
V
DDQ
x 0.5
V
DDQ
x 0.5
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
REF
V
TT
1.5
1
50
25
30
单位
V
V
V
V
V
V
V
V / ns的
W
W
pF
修订版0.2 / 2003年4月
5
QQ：2881677436 复制
