8Mx72位
PC133 SDRAM无缓冲DIMM
基于8Mx8 SDRAM与LVTTL ， 4银行& 4K刷新
HYM7V73A801B F系列
描述
海力士HYM7V73A801B F系列是8Mx72bits ECC同步DRAM模块。该模块由
9 8Mx8bits CMOS同步DRAM在400mil 54pin TSOP- II封装， 1 2Kbit EEPROM中8PIN TSSOP
包上的168PIN玻璃环氧印刷电路板。一个0.33uF和每SDRAM每一个0.1uF的去耦电容
安装在PCB上。
该HYM7V73A801B F系列是双列直插式内存模块适合简单的交换和另外64M字节的
内存。该HYM7V75A801B F系列都提供参考的正边沿完全同步操作
时钟。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据通路是内部
流水线，以达到非常高的带宽。
特点
PC133 / 100MHz的支持
168PIN SDRAM无缓冲DIMM
串行存在检测与EEPROM
1.375 “ （ 34.93毫米）高度PCB板单面
组件
单3.3
±
0.3V电源
所有器件的引脚都与LVTTL接口兼容
通过DQM数据屏蔽功能
SDRAM内部银行：四家银行
模块库：一个物理库
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 。 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页的顺序突发
- 。 1，2， 4或8个为交错突发
可编程/ CAS延迟
- 。 2 ， 3个时钟
订购信息
产品型号
HYM7V73A801BTFG-75
马克斯。
频率
133MHz
国内
银行
4银行
REF 。
4K
动力
正常
SDRAM
包
TSOP -II
电镀
金
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担
用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.1 / Apr.01
1999
现代电子
PC133 SDRAM无缓冲DIMM
HYM7V73A801B F系列
引脚说明
引脚名称
CK0~CK3
时钟输入
描述
系统时钟输入。所有其它输入都被注册到
的SDRAM在CLK的上升沿。
控制内部时钟信号和当失活，对SDRAM
将跻身断电的国家之一，暂停或自
刷新。
启用或禁用除CK ， CKE和DQM所有输入。
选择银行时/ RAS活性被激活。
选择银行进行读/中/ CAS活动写
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA8
自动预充电标志： A10
/ RAS定义操作。
参照功能真值表细节。
/ CAS定义操作。
参照功能真值表细节。
/ WE定义操作。
参照功能真值表细节。
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据
写模式。
复用的数据输入/输出管脚
错误检测和校正位
电源为内部电路和输入/输出缓冲器
地
串行存在检测时钟输入
串行存在检测数据输入/输出
串行存在检测地址输入
写保护的串行存在检测上的DIMM
无连接或者不使用
CKE0
/S0, /S2
BA0 ， BA1
时钟使能
芯片选择
SDRAM行地址
A0~A11
地址输入
/ RAS
行地址选通
/ CAS
列地址选通
/ WE
DQM0~DQM7
DQ0~DQ63
CB0~CB7
VCC
VSS
SCL
SDA
SA0~SA2
WP
NC
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
ECC的数据输入/输出
电源（ 3.3V ）
地
SPD时钟输入
SPD数据输入/输出
SPD地址输入
写保护的SPD
无连接
修订版1.1 / Apr.01
2
PC133 SDRAM无缓冲DIMM
HYM7V73A801B F系列
引脚分配
正面
PIN号
名字
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
背面
PIN号
名字
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
正面
PIN号
名字
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
VCC
CK0
VSS
NC
/S2
DQM2
DQM3
NC
VCC
NC
NC
CB2
CB3
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
NC
NC
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
CK2
NC
WP
SDA
SCL
VCC
背面
PIN号
名字
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
*CK1
NC
VSS
CKE0
NC
DQM6
DQM7
NC
VCC
NC
NC
CB6
CB7
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
NC
NC
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
*CK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
体系结构的关键
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
VSS
NC
NC
VCC
/ WE
DQM0
DQM1
/S0
NC
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10/AP
BA1
VCC
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
VSS
NC
NC
VCC
/ CAS
DQM4
DQM5
NC
/ RAS
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
VCC
电压键
注意：
* 。 CK1 ， CK3与终端的R / C连接。 （参见框图）。
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PC133 SDRAM无缓冲DIMM
HYM7V73A801B F系列
框图
注意：
1.部门宿舍的串联电阻值是10欧姆。
2.终止的R / C为CK1的填充容量， CK3是10pF的。
修订版1.1 / Apr.01
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