8Mx64位
PC100 SDRAM SO DIMM
基于SDRAM 4Mx16与LVTTL ， 4银行& 4K刷新
HYM7V65801B Q系列
描述
海力士HYM7V65801B Q系列是8Mx64bits同步DRAM模块。该模块由八个
4Mx16bits CMOS同步DRAM在400mil 54pin TSOP- II封装， 2Kbit EEPROM中8PIN TSSOP封装
上一个144pin玻璃环氧印刷电路板。每各SDRAM的三0.1uF的去耦电容器被安装在所述
PCB 。
该HYM7V65801B Q系列是小外形双列直插内存模块适合简单的交换和另外
的64M字节的内存。该HYM7V65801B Q系列都提供参考的积极完全同步操作
在时钟的边缘。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据通路是
内部流水线达到非常高的带宽。
特点
PC100MHz支持
144pin的SDRAM SO DIMM
串行存在检测与EEPROM
1.25“ （ 31.75毫米）高度PCB板双面
组件
单3.3
±
0.3V电源
所有器件的引脚都与LVTTL接口兼容
通过DQM数据屏蔽功能
SDRAM内部银行：四家银行
模块银行：两个物理银行
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 。 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页的顺序突发
- 。 1，2， 4或8个为交错突发
可编程/ CAS延迟
- 。 2 ， 3个时钟
订购信息
产品型号
HYM7V65801BTQG-8
HYM7V65801BTQG-10P
HYM7V65801BTQG-10S
HYM7V65801BLTQG-8
HYM7V65801BLTQG-10P
HYM7V65801BLTQG-10S
马克斯。
频率
125MHz
100MHz
100MHz
125MHz
100MHz
100MHz
4银行
4K
低功耗
正常
TSOP -II
金
国内
银行
REF 。
动力
SDRAM
包
电镀
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担
用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.2 / Apr.01
1999
现代电子
PC100 SDRAM SO DIMM
HYM7V65801B Q系列
引脚说明
引脚名称
CK0 ， CK1
时钟输入
描述
系统时钟输入。所有其它输入都被注册到
的SDRAM在CLK的上升沿。
控制内部时钟信号和当失活，对SDRAM
将跻身断电的国家之一，暂停或自
刷新。
启用或禁用除CK ， CKE和DQM所有输入。
选择银行时/ RAS活性被激活。
选择银行进行读/中/ CAS活动写
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
自动预充电标志： A10
/ RAS定义操作。
参照功能真值表细节。
/ CAS定义操作。
参照功能真值表细节。
/ WE定义操作。
参照功能真值表细节。
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据
写模式。
复用的数据输入/输出管脚
电源为内部电路和输入/输出缓冲器
地
串行存在检测时钟输入
串行存在检测数据输入/输出
无连接或者不使用
CKE0 ， CKE1
/S0, /S1
BA0 ， BA1
时钟使能
芯片选择
SDRAM行地址
A0~A11
地址输入
/ RAS
行地址选通
/ CAS
列地址选通
/ WE
DQM0~DQM7
DQ0~DQ63
VCC
VSS
SCL
SDA
NC
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源（ 3.3V ）
地
SPD时钟输入
SPD数据输入/输出
无连接
修订版1.2 / Apr.01
2
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