4Mx64位
PC133 SDRAM SO DIMM
基于SDRAM 4Mx16与LVTTL ， 4银行& 4K刷新
HYM76V4M635HG （L）的T6系列
描述
海力士HYM76V4M635HGT6系列是4Mx64bits同步DRAM模块。这些模块是由四个4Mx16bits
CMOS同步DRAM在400mil 54pin TSOP -II封装，在168PIN玻璃环氧树脂1 2Kbit EEPROM中8PIN TSSOP封装
印刷电路板。每各SDRAM的两个0.33uF和一个0.1uF的去耦电容器被安装在PCB上。
海力士HYM76V4M635HGT6系列是双列直插式内存模块适合简单的交换和另外32M字节的
内存。在现代HYM76V4M635HGT6系列完全参考时钟的上升沿同步操作。所有
输入和输出是与输入时钟的上升沿同步。的数据通路内部流水线达到非常高的
带宽。
特点
PC133 / PC100MHz支持
168PIN SDRAM无缓冲DIMM
串行存在检测与EEPROM
1.00“ （ 25.40毫米）高度PCB板双面的COM
ponents
单3.3 ± 0.3V电源
- 1，2， 4或8个或全部页面为顺序突发
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
- 1，2 ，4或8对交错突发
通过DQM数据屏蔽功能
可编程CAS延时; 2 ， 3个时钟
SDRAM内部银行：四家银行
模块库：一个物理库
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
订购信息
产品型号
HYM76V4M635HGT6-K
正常
HYM76V4M635HGT6-H
133MHz
HYM76V4M635HGLT6-K
低功耗
HYM76V4M635HGLT6-H
4银行
4K
TSOP -II
金
时钟
频率
国内
银行
REF 。
动力
SDRAM
包
电镀
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担使用任何责任
电路描述。没有专利许可。
修订版0.3 / Apr.01
PC133 SDRAM SO DIMM
HYM76V4M635HG （L）的T6系列
引脚说明
针
CK0 ， CK1
引脚名称
时钟输入
描述
系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
CLK的上升沿
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的将其中
中断电状态，暂停或自刷新
启用或禁用除CK ， CKE和DQM所有输入
选择银行时/ RAS活性被激活
选择银行进行读/中/ CAS活动写
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
自动预充电标志： A10
/ RAS ， / CAS和/ WE定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据在写入模式
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
地
串行存在检测时钟输入
串行存在检测数据输入/输出
串行存在检测地址输入
写保护的串行存在检测上的DIMM
无连接
CKE0
/S0
BA0 ， BA1
A0 ~ A11
时钟使能
芯片选择
SDRAM行地址
地址
行地址选通，列
地址选通，写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源（ 3.3V ）
地
SPD时钟输入
SPD数据输入/输出
SPD地址输入
写保护的SPD
无连接
/ RAS ， / CAS ， / WE
DQM0~DQM7
DQ0 DQ63
VCC
V
SS
SCL
SDA
SA0~2
WP
NC
修订版0.3 / Apr.01
2
PC133 SDRAM SO DIMM
HYM76V4M635HG （L）的T6系列
引脚分配
正面
PIN号
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
背面
PIN号
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
正面
PIN号
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
背面
PIN号
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
名字
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQM0
DQM1
VCC
A0
A1
A2
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VCC
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
NC
NC
名字
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VSS
DQM4
DQM5
VCC
A3
A4
A5
VSS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
VCC
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
VSS
NC
NC
名字
NC
NC
VSS
NC
NC
VCC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
A6
A8
VSS
A9
A10/AP
VCC
DQM2
DQM3
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
SDA
VCC
名字
NC
*CK1
VSS
NC
NC
VCC
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VSS
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
VCC
A7
BA0
VSS
BA1
A11
VCC
DQM6
DQM7
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
SCL
VCC
电压键
61
63
65
67
69
CK0
VCC
/ RAS
/ WE
/S0
62
64
66
68
70
CKE0
VCC
/ CAS
NC
NC
135
137
139
141
143
注： * CK1与终端的R / C （参见框图）连接
修订版0.3 / Apr.01
3
PC133 SDRAM SO DIMM
HYM76V4M635HG （L）的T6系列
框图
注：的DQS 1.串联电阻值有10ohms
2.终止R / C中的填充容量为CK1是10pF的
修订版0.3 / Apr.01
4
PC133 SDRAM SO DIMM
HYM76V4M635HG （L）的T6系列
串行存在检测
字节
数
BYTE0
BYTE1
BYTE2
BYTE3
BYTE4
BYTE5
BYTE6
BYTE7
BYTE8
BYTE9
BYTE10
BYTE11
BYTE12
BYTE13
BYTE14
BYTE15
BYTE16
BYTE17
BYTE18
BYTE19
BYTE20
BYTE21
BYTE22
BYTE23
BYTE24
BYTE25
BYTE26
BYTE27
BYTE28
BYTE29
BYTE30
BYTE31
BYTE32
BYTE33
BYTE34
BYTE35
BYTE36
~61
BYTE62
BYTE63
BYTE64
BYTE65
~71
功能
描述
会写入到模块的串行存储器字节数的
生产厂家
SPD内存设备的总字节＃
基本内存类型
＃排在本届大会地址
＃在这个大会列地址
＃模块银行对本届大会
本届大会的数据宽度
本届大会的数据宽度（续）
本届大会的电压接口标准
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 3
从时钟@访问时间/ CAS延时= 3
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟背靠背随机列
地址
突发Lenth支持
＃银行对每个SDRAM器件
SDRAM的设备属性， / CAS Lataency
SDRAM的设备属性， / CS Lataency
SDRAM的设备属性， / WE Lataency
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性，一般
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 2
从时钟@访问时间/ CAS延时= 2
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 1
从时钟@访问时间/ CAS延时= 1
最小行预充电时间（TRP）
最小行主动向行主动延迟（ TRRD ）
最小/ RAS到/ CAS延迟（ tRCD的）
最小/ RAS脉冲宽度（ tRAS的）
模块库密度
命令和地址信号输入建立时间
命令和地址信号输入保持时间
数据信号输入建立时间
数据信号输入保持时间
超集信息（可能在将来使用）
SPD修订
校验和字节0 62
制造商JEDEC ID代码
.... JEDEC制造商ID代码
1.5ns
0.8ns
1.5ns
0.8ns
-
英特尔SPD 1.2A
-
海力士JEDED ID
未使用
66
ADH
FFH
7.5ns
5.4ns
无
15.625us
/自刷新支持
x16
无
TCCD = 1 CLK
1,2,4,8 ，全页
4银行
/ CAS延时= 2,3
/ CS延迟= 0
/ WE延迟= 0
无论是缓冲，也没有注册
+/- 10 ％的电压耐性的，突发读
写一个位，全部预充电，自动
预充电，早期RAS预充电
7.5ns
5.4ns
-
-
20ns
15ns
20ns
45ns
32MB
1.5ns
0.8ns
1.5ns
0.8ns
15h
08h
15h
08h
00h
12h
0Dh
3, 8
10ns
6ns
75h
54h
00h
00h
14h
0Fh
14h
2Dh
08h
15h
08h
15h
08h
功能
-K
128字节
256字节
SDRAM
12
8
1银行
64位
-
LVTTL
7.5ns
5.4ns
75h
54h
00h
80h
10h
00h
01h
8Fh
04h
06h
01h
01h
00h
0Eh
A0h
60h
00h
00h
14h
0Fh
14h
2Dh
2
价值
-H
-K
80h
08h
04h
0Ch
08h
01h
40h
00h
01h
-H
记
1
75h
54h
-
-
20ns
15ns
20ns
45ns
修订版0.3 / Apr.01
5
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